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Nr.	Nombre de la Parte	Descripción	Fabricante
441521	GM71CS17403CLT-5	CMOS DRAM 4.194.304 palabras x 4 bits, 5.0V, 50ns, energía baja	Hynix Semiconductor
441522	GM71CS17403CLT-6	CMOS DRAM 4.194.304 palabras x 4 bits, 5.0V, 60ns, energía baja	Hynix Semiconductor
441523	GM71CS17403CLT-7	CMOS DRAM 4.194.304 palabras x 4 bits, 5.0V, 70ns, energía baja	Hynix Semiconductor
441524	GM71CS17403CT-5	CMOS DRAM 4.194.304 palabras x 4 bits, 5.0V, 50ns	Hynix Semiconductor
441525	GM71CS17403CT-6	CMOS DRAM 4.194.304 palabras x 4 bits, 5.0V, 60ns	Hynix Semiconductor
441526	GM71CS17403CT-7	CMOS DRAM 4.194.304 palabras x 4 bits, 5.0V, 70ns	Hynix Semiconductor
441527	GM71CS17800CJ-5	CMOS DRAM 2.097.152 palabras x 8 bits, 5.0V, 50ns	Hynix Semiconductor
441528	GM71CS17800CJ-6	CMOS DRAM 2.097.152 palabras x 8 bits, 5.0V, 60ns	Hynix Semiconductor
441529	GM71CS17800CJ-7	CMOS DRAM 2.097.152 palabras x 8 bits, 5.0V, 70ns	Hynix Semiconductor
441530	GM71CS17800CLJ-5	CMOS DRAM 2.097.152 palabras x 8 bits, 5.0V, 50ns, energía baja	Hynix Semiconductor
441531	GM71CS17800CLJ-6	CMOS DRAM 2.097.152 palabras x 8 bits, 5.0V, 60ns, energía baja	Hynix Semiconductor
441532	GM71CS17800CLJ-7	CMOS DRAM 2.097.152 palabras x 8 bits, 5.0V, 70ns, energía baja	Hynix Semiconductor
441533	GM71CS17800CLT-5	CMOS DRAM 2.097.152 palabras x 8 bits, 5.0V, 50ns, energía baja	Hynix Semiconductor
441534	GM71CS17800CLT-6	CMOS DRAM 2.097.152 palabras x 8 bits, 5.0V, 60ns, energía baja	Hynix Semiconductor
441535	GM71CS17800CLT-7	CMOS DRAM 2.097.152 palabras x 8 bits, 5.0V, 70ns, energía baja	Hynix Semiconductor
441536	GM71CS17800CT-5	CMOS DRAM 2.097.152 palabras x 8 bits, 5.0V, 50ns	Hynix Semiconductor
441537	GM71CS17800CT-6	CMOS DRAM 2.097.152 palabras x 8 bits, 5.0V, 60ns	Hynix Semiconductor
441538	GM71CS17800CT-7	CMOS DRAM 2.097.152 palabras x 8 bits, 5.0V, 70ns	Hynix Semiconductor
441539	GM71CS18163ALJ-6	1.048.576 palabras x 16 bits DRAM, 60ns, energía baja	LG Semiconductor

441540	GM71CS18163ALJ-7	1.048.576 palabras x 16 bits DRAM, 70ns, energía baja	LG Semiconductor
441541	GM71CS18163ALJ-8	1.048.576 palabras x 16 bits DRAM, 80ns, energía baja	LG Semiconductor
441542	GM71CS18163ALT-6	1.048.576 palabras x 16 bits DRAM, 60ns, energía baja	LG Semiconductor
441543	GM71CS18163ALT-7	1.048.576 palabras x 16 bits DRAM, 70ns, energía baja	LG Semiconductor
441544	GM71CS18163ALT-8	1.048.576 palabras x 16 bits DRAM, 80ns, energía baja	LG Semiconductor
441545	GM71CS18163CLJ-5	1.048.576 palabras x 16 bit CMOS DRAM, 50ns, energía baja	Hynix Semiconductor
441546	GM71CS18163CLJ-6	1.048.576 palabras x 16 bit CMOS DRAM, 60ns, energía baja	Hynix Semiconductor
441547	GM71CS18163CLJ-7	1.048.576 palabras x 16 bit CMOS DRAM, 70ns, energía baja	Hynix Semiconductor
441548	GM71CS18163CLT-5	1.048.576 palabras x 16 bit CMOS DRAM, 50ns, energía baja	Hynix Semiconductor
441549	GM71CS18163CLT-6	1.048.576 palabras x 16 bit CMOS DRAM, 60ns, energía baja	Hynix Semiconductor
441550	GM71CS18163CLT-7	1.048.576 palabras x 16 bit CMOS DRAM, 70ns, energía baja	Hynix Semiconductor
441551	GM71V17403C	4.194.304 PALABRAS x ESPOLÓN DINÁMICO de 4 PEDACITOS Cmos	Hynix Semiconductor
441552	GM71V17403C-5	4.194.304 PALABRAS x ESPOLÓN DINÁMICO de 4 PEDACITOS Cmos	Hynix Semiconductor
441553	GM71V17403C-6	4.194.304 PALABRAS x ESPOLÓN DINÁMICO de 4 PEDACITOS Cmos	Hynix Semiconductor
441554	GM71V17403C-7	4.194.304 PALABRAS x ESPOLÓN DINÁMICO de 4 PEDACITOS Cmos	Hynix Semiconductor
441555	GM71V17403CJ-5	CMOS DRAM 4.194.304 palabras x 4 bits, 3.3V, 50ns	Hynix Semiconductor
441556	GM71V17403CJ-6	CMOS DRAM 4.194.304 palabras x 4 bits, 3.3V, 60ns	Hynix Semiconductor
441557	GM71V17403CJ-7	CMOS DRAM 4.194.304 palabras x 4 bits, 3.3V, 70ns	Hynix Semiconductor
441558	GM71V17403CL-5	4.194.304 PALABRAS x ESPOLÓN DINÁMICO de 4 PEDACITOS Cmos	Hynix Semiconductor
441559	GM71V17403CL-6	4.194.304 PALABRAS x ESPOLÓN DINÁMICO de 4 PEDACITOS Cmos	Hynix Semiconductor
441560	GM71V17403CL-7	4.194.304 PALABRAS x ESPOLÓN DINÁMICO de 4 PEDACITOS Cmos	Hynix Semiconductor

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