| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 449321 | GT17VC-6DP-DS | Antena/sensor/y conexiones de la línea interurbana de las comunicaciones | Hirose Electric |
| 449322 | GT19N-1P-V | Conectadores para las antenas ventana-montadas | Hirose Electric |
| 449323 | GT19N-1S-HU | Conectadores para las antenas ventana-montadas | Hirose Electric |
| 449324 | GT19N-1S-R | Conectadores para las antenas ventana-montadas | Hirose Electric |
| 449325 | GT19N-2022/F3.3-5SCF | Conectadores para las antenas ventana-montadas | Hirose Electric |
| 449326 | GT19N-2022/F4-5SCF | Conectadores para las antenas ventana-montadas | Hirose Electric |
| 449327 | GT20D101 | USOS BIPOLARES AISLADOS De la CONMUTACIÓN De la ALTA ENERGÍA Del CANAL IGBT Del SILICIO N Del TRANSISTOR De la PUERTA | TOSHIBA |
| 449328 | GT20D201 | USO BIPOLAR AISLADO De la CONMUTACIÓN De la ALTA ENERGÍA Del CANAL IGBT Del SILICIO P Del TRANSISTOR De la PUERTA | TOSHIBA |
| 449329 | GT20G101 | USOS BIPOLARES AISLADOS del FLASH del ESTROBOSCÓPICO Del N-canal IGBT del SILICIO del TRANSISTOR de la PUERTA | TOSHIBA |
| 449330 | GT20G101(SM) | USOS BIPOLARES AISLADOS del FLASH del ESTROBOSCÓPICO Del N-canal IGBT del SILICIO del TRANSISTOR de la PUERTA | TOSHIBA |
| 449331 | GT20G101SM | CANAL IGBT (USOS DE DESTELLO De N Del ESTROBOSCÓPICO) | TOSHIBA |
| 449332 | GT20G102 | USOS BIPOLARES AISLADOS Del FLASH Del ESTROBOSCÓPICO Del CANAL IGBT Del SILICIO N Del TRANSISTOR De la PUERTA | TOSHIBA |
| 449333 | GT20G102(SM) | USOS BIPOLARES AISLADOS Del FLASH Del ESTROBOSCÓPICO Del CANAL IGBT Del SILICIO N Del TRANSISTOR De la PUERTA | TOSHIBA |
| 449334 | GT20G102SM | CANAL IGBT (USOS DE DESTELLO De N Del ESTROBOSCÓPICO) | TOSHIBA |
| 449335 | GT20J101 | Usos Bipolares Aislados De la Conmutación De la Alta Energía Del Canal IGBT Del Silicio N Del Transistor De la Puerta | TOSHIBA |
| 449336 | GT20J121 | IGBT para aplicaciones de conmutación suave | TOSHIBA |
| 449337 | GT20J301 | USOS BIPOLARES AISLADOS Del CONTROL Del MOTOR De los USOS De la CONMUTACIÓN De la ALTA ENERGÍA Del CANAL IGBT Del SILICIO N Del TRANSISTOR De la PUERTA | TOSHIBA |
| 449338 | GT20J311 | USOS BIPOLARES AISLADOS Del CONTROL Del MOTOR De los USOS De la CONMUTACIÓN De la ALTA ENERGÍA Del CANAL IGBT Del SILICIO N Del TRANSISTOR De la PUERTA | TOSHIBA |
| 449339 | GT20J321 | Usos Bipolares Aislados De la Conmutación De la Alta Energía Del Silicio N Chanenel IGBT Del Transistor De la Puerta Rápidamente Que cambian Usos | TOSHIBA |
| 449340 | GT20J341 | IGBT discreto | TOSHIBA |
| 449341 | GT25G101 | USOS BIPOLARES AISLADOS Del FLASH Del ESTROBOSCÓPICO Del CANAL IGBT Del SILICIO N Del TRANSISTOR De la PUERTA | TOSHIBA |
| 449342 | GT25G101(SM) | USOS BIPOLARES AISLADOS Del FLASH Del ESTROBOSCÓPICO Del CANAL IGBT Del SILICIO N Del TRANSISTOR De la PUERTA | TOSHIBA |
| 449343 | GT25G101SM | CANAL IGBT (USOS DE DESTELLO De N Del ESTROBOSCÓPICO) | TOSHIBA |
| 449344 | GT25G102 | USOS BIPOLARES AISLADOS Del FLASH Del ESTROBOSCÓPICO Del CANAL IGBT Del SILICIO N Del TRANSISTOR De la PUERTA | TOSHIBA |
| 449345 | GT25G102(SM) | USOS BIPOLARES AISLADOS Del FLASH Del ESTROBOSCÓPICO Del CANAL IGBT Del SILICIO N Del TRANSISTOR De la PUERTA | TOSHIBA |
| 449346 | GT25G102SM | CANAL IGBT (USOS DE DESTELLO De N Del ESTROBOSCÓPICO) | TOSHIBA |
| 449347 | GT25J101 | Usos Bipolares Aislados Del Control Del Motor De los Usos De la Conmutación De la Alta Energía Del Canal IGBT Del Silicio N Del Transistor De la Puerta | TOSHIBA |
| 449348 | GT25J102 | Usos Bipolares Aislados Del Control Del Motor De los Usos De la Conmutación De la Alta Energía Del Canal IGBT Del Silicio N Del Transistor De la Puerta | TOSHIBA |
| 449349 | GT25Q101 | Usos Bipolares Aislados Del Control Del Motor De los Usos De la Conmutación De la Alta Energía Del Canal IGBT Del Silicio N Del Transistor De la Puerta | TOSHIBA |
| 449350 | GT25Q102 | Usos Bipolares Aislados De la Conmutación De la Alta Energía Del Canal IGBT Del Silicio N Del Transistor De la Puerta | TOSHIBA |
| 449351 | GT25Q301 | Usos Bipolares Aislados Del Control Del Motor De los Usos De la Conmutación De la Alta Energía Del Canal IGBT Del Silicio N Del Transistor De la Puerta | TOSHIBA |
| 449352 | GT28F008B3B110 | 3 ELEGANTES AVANZARON EL BLOQUE 4 -, 8 -, 16 DEL CARGADOR -, FAMILIA DE DESTELLO DE LA MEMORIA 32-MBIT | Intel |
| 449353 | GT28F008B3B110 | 3 Voltios Avanzaron Memoria Del Flash Del Bloque Del Cargador | Intel |
| 449354 | GT28F008B3B120 | 3 ELEGANTES AVANZARON EL BLOQUE del CARGADOR Byte-wide | Intel |
| 449355 | GT28F008B3B150 | 3 ELEGANTES AVANZARON EL BLOQUE del CARGADOR Byte-wide | Intel |
| 449356 | GT28F008B3B90 | 3 ELEGANTES AVANZARON EL BLOQUE 4 -, 8 -, 16 DEL CARGADOR -, FAMILIA DE DESTELLO DE LA MEMORIA 32-MBIT | Intel |
| 449357 | GT28F008B3B90 | 3 Voltios Avanzaron Memoria Del Flash Del Bloque Del Cargador | Intel |
| 449358 | GT28F008B3BA110 | 3 ELEGANTES AVANZARON EL BLOQUE 4 -, 8 -, 16 DEL CARGADOR -, FAMILIA DE DESTELLO DE LA MEMORIA 32-MBIT | Intel |
| 449359 | GT28F008B3BA90 | 3 ELEGANTES AVANZARON EL BLOQUE 4 -, 8 -, 16 DEL CARGADOR -, FAMILIA DE DESTELLO DE LA MEMORIA 32-MBIT | Intel |
| 449360 | GT28F008B3T110 | 3 ELEGANTES AVANZARON EL BLOQUE 4 -, 8 -, 16 DEL CARGADOR -, FAMILIA DE DESTELLO DE LA MEMORIA 32-MBIT | Intel |
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