| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 44961 | 2N3032 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44962 | 2N3043 | TRANSISTOR DUAL DEL AMPLIFICADOR | Motorola |
| 44963 | 2N3043 | TRANSISTOR DUAL DEL AMPLIFICADOR | Motorola |
| 44964 | 2N3044 | TRANSISTOR DUAL DEL AMPLIFICADOR | Motorola |
| 44965 | 2N3044 | TRANSISTOR DUAL DEL AMPLIFICADOR | Motorola |
| 44966 | 2N3045 | TRANSISTOR DUAL DEL AMPLIFICADOR | Motorola |
| 44967 | 2N3045 | TRANSISTOR DUAL DEL AMPLIFICADOR | Motorola |
| 44968 | 2N3048 | TRANSISTOR DUAL DEL AMPLIFICADOR | Motorola |
| 44969 | 2N3048 | TRANSISTOR DUAL DEL AMPLIFICADOR | Motorola |
| 44970 | 2N3053 | TRANSISTORES DEL SILICIO | Micro Electronics |
| 44971 | 2N3053 | SILICIO DE FINES GENERALES DE TRANSISTOR(NPN) | Boca Semiconductor Corporation |
| 44972 | 2N3053 | TRANSISTOR PLANAR MEDIO DEL SILICIO NPN DE LA ENERGÍA | SemeLAB |
| 44973 | 2N3053 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 44974 | 2N3053 | Propósito General de 5.000W NPN metal puede transistor. 40V VCEO, 0.700A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
| 44975 | 2N3053 | Pequeña señal del amplificador de fines generales de NPN. | Fairchild Semiconductor |
| 44976 | 2N3053 | Propósito general, medio Silicon Power plana transistor NPN. | General Electric Solid State |
| 44977 | 2N3053A | SILICIO DE FINES GENERALES DE TRANSISTOR(NPN) | Boca Semiconductor Corporation |
| 44978 | 2N3053A | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 44979 | 2N3053A | Propósito General de 7.000W NPN metal puede transistor. 60V VCEO, 0.700A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
| 44980 | 2N3053A | Propósito general, medio Silicon Power plana transistor NPN. | General Electric Solid State |
| 44981 | 2N3054 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 44982 | 2N3054A | TRANSISTOR De ENERGÍA De NPN EN Un PAQUETE HERMÉTICO | SemeLAB |
| 44983 | 2N3054A | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 44984 | 2N3055 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | ST Microelectronics |
| 44985 | 2N3055 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 44986 | 2N3055 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 44987 | 2N3055 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 44988 | 2N3055 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 44989 | 2N3055 | TRANSISTOR DE NPN PARA LAS ETAPAS DE GRAN ALCANCE DE LA SALIDA DEL AF | Siemens |
| 44990 | 2N3055 | ENERGÍA TRANSISTORS(1Ä, 50v, 115w) | MOSPEC Semiconductor |
| 44991 | 2N3055 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 44992 | 2N3055 | SILICIO COMPLEMENTARIO DE 15 DEL AMPERIO TRANSISTORES DE ENERGÍA 60 VOLTIOS 115 VATIOS | Motorola |
| 44993 | 2N3055 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO DE 15 AMPERIOS 60, 120 VOLTIOS 115, 180 VATIOS | Motorola |
| 44994 | 2N3055 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 44995 | 2N3055 | Ç$ä 60V NPN Discreto De la Energía | ON Semiconductor |
| 44996 | 2N3055 | 115.000W Potencia NPN metal puede transistor. 60V VCEO, 15.000A Ic, 5 hFE. | Continental Device India Limited |
| 44997 | 2N3055 | General de transistor de potencia propósito. | General Electric Solid State |
| 44998 | 2N3055 | Transistor de potencia NPN, 100V, 15A | SemeLAB |
| 44999 | 2N3055 | Alta potencia transistor NPN. Conmutación de uso general y aplicación amplificador. VCEO = 60 Vdc, Vcer = 70 Vcc, Vcb = 100Vdc, Veb = 15Vdc, Ic = 7Adc, Ib = 7Adc, PD = 115W. | USHA India LTD |
| 45000 | 2N3055-D | Transistores De alta potencia Del Silicio Complementario | ON Semiconductor |
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