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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
452012N3824N-Canal JFETsUnknow
452022N3824N-Canal JFETsUnknow
452032N3824N-Canal unión de silicio de efecto de campo transistorInterFET Corporation
452042N3829Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
452052N3830Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
452062N3831Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
452072N3838NPN PNP ElogiosoMicrosemi
452082N3839Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
452092N3846Transistor de NPNMicrosemi
452102N3847Transistor de NPNMicrosemi
452112N3858TRANSISTORES DEL SILICIOGeneral Electric Solid State
452122N3858TRANSISTORES DEL SILICIOGeneral Electric Solid State
452132N3858-60TRANSISTORES DEL SILICIOGeneral Electric Solid State
452142N3858-60TRANSISTORES DEL SILICIOGeneral Electric Solid State
452152N3858ATRANSISTORES DEL SILICIOGeneral Electric Solid State
452162N3858ATRANSISTORES DEL SILICIOGeneral Electric Solid State
452172N3859Planar epitaxial transistor NPN de silicio pasivado. 30V, 100mA.General Electric Solid State
452182N3859AAmplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor
452192N3859AFines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor



452202N3859APlanar epitaxial transistor NPN de silicio pasivado. 60V, 100mA.General Electric Solid State
452212N3859A_D75ZAmplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor
452222N3860Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
452232N3860Planar epitaxial transistor NPN de silicio pasivado. 30V, 100mA.General Electric Solid State
452242N3860Chip: 4.5V; Agrimensores 0003; Polaridad NPNSemicoa Semiconductor
452252N3866Transistores epitaxial planar del recubrimiento del silicioPhilips
452262N3866Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
452272N3866TRANSISTOR EL DE ALTA FRECUENCIA DEL SILICIO DE NPNAdvanced Semiconductor
452282N3866TRANSISTORES DE ENERGÍA BAJOS DISCRETOS DEL RF Y DE LA MICROONDAMicrosemi
452292N3866Polaridad 1007 De la Geometría Del Tipo 2C386Ã De la Viruta NPNSemicoa Semiconductor
452302N3866ATRANSISTORES DE ENERGÍA BAJOS DISCRETOS DEL RF Y DE LA MICROONDAMicrosemi
452312N3866APolaridad 1007 De la Geometría Del Tipo 2C386Ã De la Viruta NPNSemicoa Semiconductor
452322N3866AFChip: geometría 1007; polaridad NPNSemicoa Semiconductor
452332N3866AUBPolaridad 1007 De la Geometría Del Tipo 2C386Ã De la Viruta NPNSemicoa Semiconductor
452342N3867Transistor de PNPMicrosemi
452352N3867Transistor de PNPMicrosemi
452362N3867Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
452372N3867Propósito 1.000W general PNP metal puede transistor. 40V VCEO, 3.000A Ic, 40-200 hFE.Continental Device India Limited
452382N3867STransistor de PNPMicrosemi
452392N3868Transistor de PNPMicrosemi
452402N3868Transistor de PNPMicrosemi
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