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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
460812N4104Dispositivo Bipolar de NPNSemeLAB
460822N4104Dispositivo Bipolar de NPNSemeLAB
460832N4113Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3SemeLAB
460842N4113Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3SemeLAB
460852N4114Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3SemeLAB
460862N4117Amplificador De los Fines generales Del N-Canal JFETCalogic
460872N4117N-Canal unión de silicio de efecto de campo transistorInterFET Corporation
460882N4117Ultra-alta impedancia de entrada de canal N de JFETLinear Systems
460892N4117ASalida Ultra Baja, N-Canal JFETsVishay
460902N4117AAmplificador De los Fines generales Del N-Canal JFETCalogic
460912N4117AAmplificador Ultra Alto Del N-Canal JFET De la Impedancia De la EntradaLinear Systems
460922N4117AN-Canal unión de silicio de efecto de campo transistorInterFET Corporation
460932N4118Amplificador De los Fines generales Del N-Canal JFETCalogic
460942N4118N-canal Ultraalto JFET de la IMPEDANCIA de la ENTRADALinear Systems
460952N4118N-Canal unión de silicio de efecto de campo transistorInterFET Corporation
460962N4118ASalida Ultra Baja, N-Canal JFETsVishay
460972N4118AAmplificador De los Fines generales Del N-Canal JFETCalogic
460982N4118AAmplificador Ultra Alto Del N-Canal JFET De la Impedancia De la EntradaLinear Systems
460992N4118AN-Canal unión de silicio de efecto de campo transistorInterFET Corporation



461002N4119Amplificador De los Fines generales Del N-Canal JFETCalogic
461012N4119N-canal Ultraalto JFET de la IMPEDANCIA de la ENTRADALinear Systems
461022N4119N-Canal unión de silicio de efecto de campo transistorInterFET Corporation
461032N4119ASalida Ultra Baja, N-Canal JFETsVishay
461042N4119AAmplificador De los Fines generales Del N-Canal JFETCalogic
461052N4119AAmplificador Ultra Alto Del N-Canal JFET De la Impedancia De la EntradaLinear Systems
461062N4119AN-Canal unión de silicio de efecto de campo transistorInterFET Corporation
461072N4123Amplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor
461082N4123TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPNMicro Electronics
461092N4123Transistor De fines generales 625mW Del Silicio de NPNMicro Commercial Components
461102N4123Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
461112N4123Silicio De fines generales De Transistors(PNP)ON Semiconductor
461122N4123TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
461132N4123Planar epitaxial transistor NPN de silicio pasivado. 30V, 200mA.General Electric Solid State
461142N4123Ic = 200mA, Vce = 1.0V transistorMCC
461152N4123Transistor de propósito general. Tensión de colector-emisor: 30V = VCEO. Tensión colector-base: 40V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW.USHA India LTD
461162N4123-DSilicio De fines generales De los Transistores NPNON Semiconductor
461172N4123BUAmplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor
461182N4123RLRATransistores para aplicaciones generales Propósito - NPNON Semiconductor
461192N4123RLRMTransistores para aplicaciones generales Propósito - NPNON Semiconductor
461202N4123TAAmplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor
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