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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
461212N4123TARAmplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor
461222N4123TFAmplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor
461232N4123TFRAmplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor
461242N4124Amplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor
461252N4124Transistor Pequeño De la Señal (NPN)Vishay
461262N4124Transistores Pequeños De la Señal (NPN)General Semiconductor
461272N4124TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPNMicro Electronics
461282N4124Transistor de los fines generales de NPNPhilips
461292N4124Transistor De fines generales 625mW Del Silicio de NPNMicro Commercial Components
461302N4124Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
461312N4124Transistor De fines generales - NPNON Semiconductor
461322N4124TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
461332N4124TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL DE NPNTRSYS
461342N4124Planar epitaxial transistor NPN de silicio pasivado. 25V, 200mA.General Electric Solid State
461352N4124Ic = 200mA, Vce = 1.0V transistorMCC
461362N412425 V, NPN transistor de pequeña señalTRANSYS Electronics Limited
461372N4124Transistor de propósito general. Tensión de colector-emisor: 25V = VCEO. Tensión colector-base: 30V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW.USHA India LTD
461382N4124BUAmplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor
461392N4124TAAmplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor



461402N4124TARAmplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor
461412N4124TFAmplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor
461422N4124TFRAmplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor
461432N4124_J18ZAmplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor
461442N4125Amplificador De los Fines generales de PNPFairchild Semiconductor
461452N4125Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
461462N4125TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPSamsung Electronic
461472N4125Planar epitaxial pasivado PNP transistor de silicio. -30V, 200mA.General Electric Solid State
461482N4125Transistores amplificador. Tensión de colector-emisor: VCEO = -30V. Tensión colector-base: VCBO = -30V. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW.USHA India LTD
461492N4125BUAmplificador De los Fines generales de PNPFairchild Semiconductor
461502N4125TAAmplificador De los Fines generales de PNPFairchild Semiconductor
461512N4125TARAmplificador De los Fines generales de PNPFairchild Semiconductor
461522N4125TFAmplificador De los Fines generales de PNPFairchild Semiconductor
461532N4125TFRAmplificador De los Fines generales de PNPFairchild Semiconductor
461542N4126Amplificador De los Fines generales de PNPFairchild Semiconductor
461552N4126Transistor Pequeño De la Señal (PNP)Vishay
461562N4126Transistores Pequeños De la Señal (PNP)General Semiconductor
461572N4126Transistor de los fines generales de PNPPhilips
461582N4126Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
461592N4126TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPSamsung Electronic
461602N4126TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL DE PNPTRSYS
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