| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 48041 | 2N5881 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48042 | 2N5882 | ENERGÍA TRANSISTORS(1Ä, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48043 | 2N5882 | TRANSISTORES De alta potencia del SILICIO COMPLEMENTARIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 48044 | 2N5882 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48045 | 2N5882-D | Transistor De alta potencia Del Silicio NPN | ON Semiconductor |
| 48046 | 2N5883 | ENERGÍA TRANSISTORS(2Ä, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48047 | 2N5883 | TRANSISTORES De alta potencia del SILICIO COMPLEMENTARIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 48048 | 2N5883 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48049 | 2N5883 | Energía 2Ä 60V PNP Discreto | ON Semiconductor |
| 48050 | 2N5883-D | Transistores De alta potencia Del Silicio Complementario | ON Semiconductor |
| 48051 | 2N5884 | ENERGÍA TRANSISTORS(2Ä, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48052 | 2N5884 | TRANSISTORES De alta potencia del SILICIO COMPLEMENTARIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 48053 | 2N5884 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48054 | 2N5884 | Energía 2Ä 80V PNP Discreto | ON Semiconductor |
| 48055 | 2N5884 | TRANSISTORES DE ALTA ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | ST Microelectronics |
| 48056 | 2N5884 | HFE min 20 polaridad del transistor PNP Ic Corriente continua máx 25 A Voltaje VCEO 80 V Ic actual (HFE) 10 A Alimentación Ptot 200 W de potencia Temperatura 25? C número de transistores 1 | SGS Thomson Microelectronics |
| 48057 | 2N5885 | ENERGÍA TRANSISTORS(2Ä, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48058 | 2N5885 | TRANSISTORES De alta potencia del SILICIO COMPLEMENTARIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 48059 | 2N5885 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48060 | 2N5885 | Energía 2Ä 60V NPN Discreto | ON Semiconductor |
| 48061 | 2N5885 | De alta corriente, de alta potencia, transistor de potencia de alta velocidad. 60V, 200W. | General Electric Solid State |
| 48062 | 2N5886 | TRANSISTOR DE ALTA ENERGÍA COMPLEMENTARIO DEL SILICIO | ST Microelectronics |
| 48063 | 2N5886 | TRANSISTOR DE ENERGÍA ACTUAL ALTO DEL SILICIO NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 48064 | 2N5886 | ENERGÍA TRANSISTORS(2Ä, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48065 | 2N5886 | TRANSISTORES De alta potencia del SILICIO COMPLEMENTARIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 48066 | 2N5886 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48067 | 2N5886 | Energía 2Ä 80V NPN Discreto | ON Semiconductor |
| 48068 | 2N5886 | De alta corriente, de alta potencia, transistor de potencia de alta velocidad. 80V, 200W. | General Electric Solid State |
| 48069 | 2N5902 | AMPLIFICADOR DUAL MONOLÍTICO De los FINES GENERALES Del CANAL JFET De N | Intersil |
| 48070 | 2N5903 | AMPLIFICADOR DUAL MONOLÍTICO De los FINES GENERALES Del CANAL JFET De N | Intersil |
| 48071 | 2N5904 | AMPLIFICADOR DUAL MONOLÍTICO De los FINES GENERALES Del CANAL JFET De N | Intersil |
| 48072 | 2N5905 | La Salida Baja, Deriva Baja, Monolítica Se dobla, El N-Canal JFET | Linear Systems |
| 48073 | 2N5905 | AMPLIFICADOR DUAL MONOLÍTICO De los FINES GENERALES Del CANAL JFET De N | Intersil |
| 48074 | 2N5906 | La Salida Baja, Deriva Baja, Monolítica Se dobla, El N-Canal JFET | Linear Systems |
| 48075 | 2N5906 | AMPLIFICADOR DUAL MONOLÍTICO De los FINES GENERALES Del CANAL JFET De N | Intersil |
| 48076 | 2N5907 | La Salida Baja, Deriva Baja, Monolítica Se dobla, El N-Canal JFET | Linear Systems |
| 48077 | 2N5907 | AMPLIFICADOR DUAL MONOLÍTICO De los FINES GENERALES Del CANAL JFET De N | Intersil |
| 48078 | 2N5908 | La Salida Baja, Deriva Baja, Monolítica Se dobla, El N-Canal JFET | Linear Systems |
| 48079 | 2N5908 | AMPLIFICADOR DUAL MONOLÍTICO De los FINES GENERALES Del CANAL JFET De N | Intersil |
| 48080 | 2N5909 | La Salida Baja, Deriva Baja, Monolítica Se dobla, El N-Canal JFET | Linear Systems |
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