| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 48081 | 2N5909 | AMPLIFICADOR DUAL MONOLÍTICO De los FINES GENERALES Del CANAL JFET De N | Intersil |
| 48082 | 2N5910 | TRANSISTORES DE LA CONMUTACIÓN DEL SILICIO DE PMP | Central Semiconductor |
| 48083 | 2N5911 | Alto Aumento Emparejado | Vishay |
| 48084 | 2N5911 | Amplificador Dual El De alta frecuencia Del N-Canal JFET | Calogic |
| 48085 | 2N5911 | El Aumento Wideband, Alto, Monolítico Se dobla, El Canal JFET De la N | Linear Systems |
| 48086 | 2N5911 | Dual N-Channel unión de silicio de efecto de campo transistor | InterFET Corporation |
| 48087 | 2N5911 | Dual JFET de canal N. Amplificador de alta frecuencia. | Intersil |
| 48088 | 2N5911-12 | Amplificador Dual El De alta frecuencia Del N-Canal JFET | Calogic |
| 48089 | 2N5911_D | Dual JFET de canal N. Amplificador de alta frecuencia. | Intersil |
| 48090 | 2N5911_W | Dual JFET de canal N. Amplificador de alta frecuencia. | Intersil |
| 48091 | 2N5912 | Alto Aumento Emparejado | Vishay |
| 48092 | 2N5912 | Amplificador Dual El De alta frecuencia Del N-Canal JFET | Calogic |
| 48093 | 2N5912 | El Aumento Wideband, Alto, Monolítico Se dobla, El Canal JFET De la N | Linear Systems |
| 48094 | 2N5912 | Dual N-Channel unión de silicio de efecto de campo transistor | InterFET Corporation |
| 48095 | 2N5912 | Dual JFET de canal N. Amplificador de alta frecuencia. | Intersil |
| 48096 | 2N5912C | El Aumento Wideband, Alto, Monolítico Se dobla, El Canal JFET De la N | Linear Systems |
| 48097 | 2N5912_D | Dual JFET de canal N. Amplificador de alta frecuencia. | Intersil |
| 48098 | 2N5912_W | Dual JFET de canal N. Amplificador de alta frecuencia. | Intersil |
| 48099 | 2N5930 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 48100 | 2N5933 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 48101 | 2N5933 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 48102 | 2N5934 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 48103 | 2N5937 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 48104 | 2N5937 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 48105 | 2N5945 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF DEL SILICIO DE NPN | Advanced Semiconductor |
| 48106 | 2N5945 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF DEL SILICIO DE NPN | Advanced Semiconductor |
| 48107 | 2N5949 | Fines generales Plomados de JFET | Central Semiconductor |
| 48108 | 2N5949 | SFET RF/VHF/Frecuencia ultraelevada/Amplitiers | Fairchild Semiconductor |
| 48109 | 2N5950 | Fines generales Plomados de JFET | Central Semiconductor |
| 48110 | 2N5950 | SFET RF/VHF/Frecuencia ultraelevada/Amplitiers | Fairchild Semiconductor |
| 48111 | 2N5951 | Fines generales Plomados de JFET | Central Semiconductor |
| 48112 | 2N5951 | SFET RF/VHF/Frecuencia ultraelevada/Amplitiers | Fairchild Semiconductor |
| 48113 | 2N5952 | N-Canal Rf Ampifier | Fairchild Semiconductor |
| 48114 | 2N5952 | Fines generales Plomados de JFET | Central Semiconductor |
| 48115 | 2N5952_D74Z | Amplificador del Rf Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 48116 | 2N5952_D75Z | Amplificador del Rf Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 48117 | 2N5953 | Fines generales Plomados de JFET | Central Semiconductor |
| 48118 | 2N5953 | SFET RF/VHF/Frecuencia ultraelevada/Amplitiers | Fairchild Semiconductor |
| 48119 | 2N5954 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48120 | 2N5954 | Silicio PNP transistor de potencia media. -90V, 40W. | General Electric Solid State |
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