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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
480812N5909AMPLIFICADOR DUAL MONOLÍTICO De los FINES GENERALES Del CANAL JFET De NIntersil
480822N5910TRANSISTORES DE LA CONMUTACIÓN DEL SILICIO DE PMPCentral Semiconductor
480832N5911Alto Aumento EmparejadoVishay
480842N5911Amplificador Dual El De alta frecuencia Del N-Canal JFETCalogic
480852N5911El Aumento Wideband, Alto, Monolítico Se dobla, El Canal JFET De la NLinear Systems
480862N5911Dual N-Channel unión de silicio de efecto de campo transistorInterFET Corporation
480872N5911Dual JFET de canal N. Amplificador de alta frecuencia.Intersil
480882N5911-12Amplificador Dual El De alta frecuencia Del N-Canal JFETCalogic
480892N5911_DDual JFET de canal N. Amplificador de alta frecuencia.Intersil
480902N5911_WDual JFET de canal N. Amplificador de alta frecuencia.Intersil
480912N5912Alto Aumento EmparejadoVishay
480922N5912Amplificador Dual El De alta frecuencia Del N-Canal JFETCalogic
480932N5912El Aumento Wideband, Alto, Monolítico Se dobla, El Canal JFET De la NLinear Systems
480942N5912Dual N-Channel unión de silicio de efecto de campo transistorInterFET Corporation
480952N5912Dual JFET de canal N. Amplificador de alta frecuencia.Intersil
480962N5912CEl Aumento Wideband, Alto, Monolítico Se dobla, El Canal JFET De la NLinear Systems
480972N5912_DDual JFET de canal N. Amplificador de alta frecuencia.Intersil
480982N5912_WDual JFET de canal N. Amplificador de alta frecuencia.Intersil
480992N5930Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3SemeLAB



481002N5933Dispositivo Bipolar de NPNSemeLAB
481012N5933Dispositivo Bipolar de NPNSemeLAB
481022N5934Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3SemeLAB
481032N5937Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3SemeLAB
481042N5937Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3SemeLAB
481052N5945TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF DEL SILICIO DE NPNAdvanced Semiconductor
481062N5945TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF DEL SILICIO DE NPNAdvanced Semiconductor
481072N5949Fines generales Plomados de JFETCentral Semiconductor
481082N5949SFET RF/VHF/Frecuencia ultraelevada/AmplitiersFairchild Semiconductor
481092N5950Fines generales Plomados de JFETCentral Semiconductor
481102N5950SFET RF/VHF/Frecuencia ultraelevada/AmplitiersFairchild Semiconductor
481112N5951Fines generales Plomados de JFETCentral Semiconductor
481122N5951SFET RF/VHF/Frecuencia ultraelevada/AmplitiersFairchild Semiconductor
481132N5952N-Canal Rf AmpifierFairchild Semiconductor
481142N5952Fines generales Plomados de JFETCentral Semiconductor
481152N5952_D74ZAmplificador del Rf Del N-CanalFairchild Semiconductor
481162N5952_D75ZAmplificador del Rf Del N-CanalFairchild Semiconductor
481172N5953Fines generales Plomados de JFETCentral Semiconductor
481182N5953SFET RF/VHF/Frecuencia ultraelevada/AmplitiersFairchild Semiconductor
481192N5954Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
481202N5954Silicio PNP transistor de potencia media. -90V, 40W.General Electric Solid State
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