| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 48121 | 2N5955 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48122 | 2N5955 | Silicio PNP transistor de potencia media. -70V, 40W. | General Electric Solid State |
| 48123 | 2N5956 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48124 | 2N5956 | Silicio PNP transistor de potencia media. -50V, 40W. | General Electric Solid State |
| 48125 | 2N5961 | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 48126 | 2N5961 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 48127 | 2N5961_D27Z | Fines generales Amplifer de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 48128 | 2N5962 | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 48129 | 2N5962 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 48130 | 2N5962_D74Z | Fines generales Amplifer de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 48131 | 2N5963 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 48132 | 2N5971 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 48133 | 2N5971 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 48134 | 2N5986 | SILICIO COMPLEMENTARIO DE 12 DEL AMPERIO TRANSISTORES DE ENERGÍA | Motorola |
| 48135 | 2N5987 | SILICIO COMPLEMENTARIO DE 12 DEL AMPERIO TRANSISTORES DE ENERGÍA | Motorola |
| 48136 | 2N5988 | SILICIO COMPLEMENTARIO DE 12 DEL AMPERIO TRANSISTORES DE ENERGÍA | Motorola |
| 48137 | 2N5989 | SILICIO COMPLEMENTARIO DE 12 DEL AMPERIO TRANSISTORES DE ENERGÍA 40.60.80 VOLTIOS 100 VATIOS | Motorola |
| 48138 | 2N5989 | SILICIO COMPLEMENTARIO DE 12 DEL AMPERIO TRANSISTORES DE ENERGÍA | Motorola |
| 48139 | 2N5991 | SILICIO COMPLEMENTARIO DE 12 DEL AMPERIO TRANSISTORES DE ENERGÍA | Motorola |
| 48140 | 2N6010 | Transistores Del Silicio | Semiconductor Technology |
| 48141 | 2N6027 | Tiristor Plomado PUESTO | Central Semiconductor |
| 48142 | 2N6027 | Transistor Programable De Unijunction | ON Semiconductor |
| 48143 | 2N6027 | Transistor monounión programable. | General Electric Solid State |
| 48144 | 2N6027 | Silicio monounión programable transistor, 40V, 150mA | Planeta |
| 48145 | 2N6027-D | Transistor Programable De Unijunction | ON Semiconductor |
| 48146 | 2N6027RL1 | Transistor Programable De Unijunction | ON Semiconductor |
| 48147 | 2N6027RLRA | Transistor Programable De Unijunction | ON Semiconductor |
| 48148 | 2N6028 | Tiristor Plomado UJT | Central Semiconductor |
| 48149 | 2N6028 | UJT Programable | ON Semiconductor |
| 48150 | 2N6028 | Transistor monounión programable. | General Electric Solid State |
| 48151 | 2N6028 | Silicio monounión programable transistor, 40V, 150mA | Planeta |
| 48152 | 2N6028RLRA | UJT Programable | ON Semiconductor |
| 48153 | 2N6028RLRM | UJT Programable | ON Semiconductor |
| 48154 | 2N6028RLRP | UJT Programable | ON Semiconductor |
| 48155 | 2N6029 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | Central Semiconductor |
| 48156 | 2N6030 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | Central Semiconductor |
| 48157 | 2N6030 | Colector-emisor de tensión / base: 120Vdc; 16Amp; de alto voltaje, el transistor de alta potencia. Para aplicaciones de alta potencia del amplificador de audio y circuitos reguladores de conmutación de alta tensión | Motorola |
| 48158 | 2N6031 | Transistores De alta potencia De alto voltaje | ON Semiconductor |
| 48159 | 2N6031 | Colector-emisor de tensión / base: 140Vdc; 16Amp; de alto voltaje, el transistor de alta potencia. Para aplicaciones de alta potencia del amplificador de audio y circuitos reguladores de conmutación de alta tensión | Motorola |
| 48160 | 2N6032 | Transistor de NPN | Microsemi |
| | | |
