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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
485612N6288Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 40V.General Electric Solid State
485622N6289Epitaxial-base, SILICIO N-p-n Y TRANSISTORES De P-n-p VERSAWATTBoca Semiconductor Corporation
485632N6289Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 40V.General Electric Solid State
485642N6290ENERGÍA TRANSISTORS(7A, 40w)MOSPEC Semiconductor
485652N6290Epitaxial-base, SILICIO N-p-n Y TRANSISTORES De P-n-p VERSAWATTBoca Semiconductor Corporation
485662N6290Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
485672N629040.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 7.000A Ic, 2 hFE. 2N6109 ComplementariaContinental Device India Limited
485682N6290Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 60V.General Electric Solid State
485692N6291Epitaxial-base, SILICIO N-p-n Y TRANSISTORES De P-n-p VERSAWATTBoca Semiconductor Corporation
485702N6291Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 60V.General Electric Solid State
485712N6292ENERGÍA TRANSISTORS(7A, 40w)MOSPEC Semiconductor
485722N6292Epitaxial-base, SILICIO N-p-n Y TRANSISTORES De P-n-p VERSAWATTBoca Semiconductor Corporation
485732N6292Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
485742N6292Energía 7A 70V NPN DiscretoON Semiconductor
485752N629240.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 70V VCEO, 7.000A Ic, 2 hFE.Continental Device India Limited
485762N6292Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 80V.General Electric Solid State
485772N6292Plástico de silicio del transistor NPN de potencia. Conmutación y amplificadores aplicaciones de propósito general. VCEO = 70 Vcc, Vcb = 80VDC, Veb = 5 Vdc, Ic = 7Adc, Ib = 3Adc, PD = 40W.USHA India LTD
485782N6293Epitaxial-base, SILICIO N-p-n Y TRANSISTORES De P-n-p VERSAWATTBoca Semiconductor Corporation



485792N6293Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 80V.General Electric Solid State
485802N6294SILICIO COMPLEMENTARIO DARLINGTONlCentral Semiconductor
485812N6295SILICIO COMPLEMENTARIO DARLINGTONlCentral Semiconductor
485822N6295TRANSISTOR DE ENERGÍA COMPLEMENTARIO DEL SILICIO DE DARLINGTONSemeLAB
485832N6296SILICIO COMPLEMENTARIO DARLINGTONlCentral Semiconductor
485842N6296Dispositivo Bipolar de PNPSemeLAB
485852N6297SILICIO COMPLEMENTARIO DARLINGTONlCentral Semiconductor
485862N6298Transistor de PNP DarlingtonMicrosemi
485872N6298ENERGÍA TRANSISTORS(Å, 75W)MOSPEC Semiconductor
485882N6298TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO DE DARLINGTONBoca Semiconductor Corporation
485892N6298Transistor De Energía Plomado DarlingtonCentral Semiconductor
485902N6299Transistor de PNP DarlingtonMicrosemi
485912N6299ENERGÍA TRANSISTORS(Å, 75W)MOSPEC Semiconductor
485922N6299TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO DE DARLINGTONBoca Semiconductor Corporation
485932N6299Transistor De Energía Plomado DarlingtonCentral Semiconductor
485942N6300Transistor de NPN DarlingtonMicrosemi
485952N6300ENERGÍA TRANSISTORS(Å, 75W)MOSPEC Semiconductor
485962N6300TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO DE DARLINGTONBoca Semiconductor Corporation
485972N6300Transistor De Energía Plomado DarlingtonCentral Semiconductor
485982N6301Transistor de NPN DarlingtonMicrosemi
485992N6301ENERGÍA TRANSISTORS(Å, 75W)MOSPEC Semiconductor
486002N6301TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO DE DARLINGTONBoca Semiconductor Corporation
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