| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 48561 | 2N6288 | Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 40V. | General Electric Solid State |
| 48562 | 2N6289 | Epitaxial-base, SILICIO N-p-n Y TRANSISTORES De P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48563 | 2N6289 | Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 40V. | General Electric Solid State |
| 48564 | 2N6290 | ENERGÍA TRANSISTORS(7A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48565 | 2N6290 | Epitaxial-base, SILICIO N-p-n Y TRANSISTORES De P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48566 | 2N6290 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48567 | 2N6290 | 40.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 50V VCEO, 7.000A Ic, 2 hFE. 2N6109 Complementaria | Continental Device India Limited |
| 48568 | 2N6290 | Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 60V. | General Electric Solid State |
| 48569 | 2N6291 | Epitaxial-base, SILICIO N-p-n Y TRANSISTORES De P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48570 | 2N6291 | Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 60V. | General Electric Solid State |
| 48571 | 2N6292 | ENERGÍA TRANSISTORS(7A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48572 | 2N6292 | Epitaxial-base, SILICIO N-p-n Y TRANSISTORES De P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48573 | 2N6292 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48574 | 2N6292 | Energía 7A 70V NPN Discreto | ON Semiconductor |
| 48575 | 2N6292 | 40.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 70V VCEO, 7.000A Ic, 2 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48576 | 2N6292 | Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 80V. | General Electric Solid State |
| 48577 | 2N6292 | Plástico de silicio del transistor NPN de potencia. Conmutación y amplificadores aplicaciones de propósito general. VCEO = 70 Vcc, Vcb = 80VDC, Veb = 5 Vdc, Ic = 7Adc, Ib = 3Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
| 48578 | 2N6293 | Epitaxial-base, SILICIO N-p-n Y TRANSISTORES De P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48579 | 2N6293 | Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 80V. | General Electric Solid State |
| 48580 | 2N6294 | SILICIO COMPLEMENTARIO DARLINGTONl | Central Semiconductor |
| 48581 | 2N6295 | SILICIO COMPLEMENTARIO DARLINGTONl | Central Semiconductor |
| 48582 | 2N6295 | TRANSISTOR DE ENERGÍA COMPLEMENTARIO DEL SILICIO DE DARLINGTON | SemeLAB |
| 48583 | 2N6296 | SILICIO COMPLEMENTARIO DARLINGTONl | Central Semiconductor |
| 48584 | 2N6296 | Dispositivo Bipolar de PNP | SemeLAB |
| 48585 | 2N6297 | SILICIO COMPLEMENTARIO DARLINGTONl | Central Semiconductor |
| 48586 | 2N6298 | Transistor de PNP Darlington | Microsemi |
| 48587 | 2N6298 | ENERGÍA TRANSISTORS(Å, 75W) | MOSPEC Semiconductor |
| 48588 | 2N6298 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO DE DARLINGTON | Boca Semiconductor Corporation |
| 48589 | 2N6298 | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 48590 | 2N6299 | Transistor de PNP Darlington | Microsemi |
| 48591 | 2N6299 | ENERGÍA TRANSISTORS(Å, 75W) | MOSPEC Semiconductor |
| 48592 | 2N6299 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO DE DARLINGTON | Boca Semiconductor Corporation |
| 48593 | 2N6299 | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 48594 | 2N6300 | Transistor de NPN Darlington | Microsemi |
| 48595 | 2N6300 | ENERGÍA TRANSISTORS(Å, 75W) | MOSPEC Semiconductor |
| 48596 | 2N6300 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO DE DARLINGTON | Boca Semiconductor Corporation |
| 48597 | 2N6300 | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 48598 | 2N6301 | Transistor de NPN Darlington | Microsemi |
| 48599 | 2N6301 | ENERGÍA TRANSISTORS(Å, 75W) | MOSPEC Semiconductor |
| 48600 | 2N6301 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO DE DARLINGTON | Boca Semiconductor Corporation |
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