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Nr.	Nombre de la Parte	Descripción	Fabricante
48841	2N6469	Fines generales Plomados Del Transistor De Energía	Central Semiconductor
48842	2N6469	Epitaxial-base, PNP transistor de silicio de alta potencia. -50V, 125W.	General Electric Solid State
48843	2N6470	Fines generales Plomados Del Transistor De Energía	Central Semiconductor
48844	2N6471	Fines generales Plomados Del Transistor De Energía	Central Semiconductor
48845	2N6472	Fines generales Plomados Del Transistor De Energía	Central Semiconductor
48846	2N6473	CONMUTACIÓN COMPLEMENTARIA TRANSITORS DEL SILICIO	Central Semiconductor
48847	2N6473	Epitaxial-base, SILICIO N-p-n Y TRANSISTORES De P-n-p VERSAWATT	Boca Semiconductor Corporation
48848	2N6473	Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 110V.	General Electric Solid State
48849	2N6474	CONMUTACIÓN COMPLEMENTARIA TRANSITORS DEL SILICIO	Central Semiconductor
48850	2N6474	130 V, epitaxial-base NPN selicon versawatt transistor	Boca Semiconductor Corporation
48851	2N6474	Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 130V.	General Electric Solid State
48852	2N6475	CONMUTACIÓN COMPLEMENTARIA TRANSITORS DEL SILICIO	Central Semiconductor
48853	2N6475	Epitaxial-base, SILICIO N-p-n Y TRANSISTORES De P-n-p VERSAWATT	Boca Semiconductor Corporation
48854	2N6475	Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -110V.	General Electric Solid State
48855	2N6476	CONMUTACIÓN COMPLEMENTARIA TRANSITORS DEL SILICIO	Central Semiconductor
48856	2N6476	Epitaxial-Base, silicio N-p-n y transistores de P-n-p VERSAWATT	Boca Semiconductor Corporation
48857	2N6476	Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -130V.	General Electric Solid State
48858	2N6477	TRANSISTORES MEDIOS DEL SILICIO NPN DE LA ENERGÍA	General Electric Solid State
48859	2N6477	TRANSISTORES MEDIOS DEL SILICIO NPN DE LA ENERGÍA	General Electric Solid State

48860	2N6478	TRANSISTORES MEDIOS DEL SILICIO NPN DE LA ENERGÍA	General Electric Solid State
48861	2N6478	TRANSISTORES MEDIOS DEL SILICIO NPN DE LA ENERGÍA	General Electric Solid State
48862	2N6486	ENERGÍA TRANSISTORS(1Ä, 75w)	MOSPEC Semiconductor
48863	2N6486	TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DE NPN/PNP	Boca Semiconductor Corporation
48864	2N6486	Fines generales Plomados Del Transistor De Energía	Central Semiconductor
48865	2N6486	75.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 40V VCEO, 15.000A Ic, 20-150 hFE.	Continental Device India Limited
48866	2N6486	15A, 75W, silicio NPN epitaxial base VERSAWATT transistor. 50V.	General Electric Solid State
48867	2N6487	TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO	ST Microelectronics
48868	2N6487	TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO	SGS Thomson Microelectronics
48869	2N6487	TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO	SGS Thomson Microelectronics
48870	2N6487	ENERGÍA TRANSISTORS(1Ä, 75w)	MOSPEC Semiconductor
48871	2N6487	TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DE NPN/PNP	Boca Semiconductor Corporation
48872	2N6487	Fines generales Plomados Del Transistor De Energía	Central Semiconductor
48873	2N6487	Ç$ä 80V NPN Discreto De la Energía	ON Semiconductor
48874	2N6487	75.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 15.000A Ic, 20-150 hFE.	Continental Device India Limited
48875	2N6487	15A, 75W, silicio NPN epitaxial base VERSAWATT transistor. 70V.	General Electric Solid State
48876	2N6487-D	Transistores De Energía Plásticos Del Silicio Complementario 2N6487	ON Semiconductor
48877	2N6488	TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO	ST Microelectronics
48878	2N6488	TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO	SGS Thomson Microelectronics
48879	2N6488	TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO	SGS Thomson Microelectronics
48880	2N6488	ENERGÍA TRANSISTORS(1Ä, 75w)	MOSPEC Semiconductor

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