| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 49081 | 2N657A | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 49082 | 2N6581 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 49083 | 2N6583 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 49084 | 2N6594 | ENERGÍA TRANSISTORS(1À, 40v, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49085 | 2N6594 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 49086 | 2N6594 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 49087 | 2N660 | SCRs | Central Semiconductor |
| 49088 | 2N660 | SCRs | Central Semiconductor |
| 49089 | 2N6605 | SCR Plomado Del Tiristor | Central Semiconductor |
| 49090 | 2N6606 | SCR Plomado Del Tiristor | Central Semiconductor |
| 49091 | 2N6607 | SCR Plomado Del Tiristor | Central Semiconductor |
| 49092 | 2N6608 | SCR Plomado Del Tiristor | Central Semiconductor |
| 49093 | 2N6609 | ENERGÍA TRANSISTORS(1Ã, 140v, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49094 | 2N6609 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 49095 | 2N6609 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 49096 | 2N6609 | Energía 1Ã 140V PNP Discreto | ON Semiconductor |
| 49097 | 2N6609 | Silicio PNP epitaxial-base del transistor de alta potencia. -160V, 150W. | General Electric Solid State |
| 49098 | 2N6619 | 12 V, 30 mA, NPN transistor de silicio para el amplificador de banda ancha de RF de bajo ruido y la aplicación de conmutación de alta velocidad | Siemens |
| 49099 | 2N6620 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN PARA EL AMPLIFICADOR DE BANDA ANCHA DEL RF DEL RUIDO BAJO | Siemens |
| 49100 | 2N6620 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN PARA EL AMPLIFICADOR DE BANDA ANCHA DEL RF DEL RUIDO BAJO | Siemens |
| 49101 | 2N6621 | 25 V, 25 mA, la banda ancha de transistor de silicio NPN RF | Siemens |
| 49102 | 2N6648 | Transistor de PNP Darlington | Microsemi |
| 49103 | 2N6648 | ENERGÍA TRANSISTORS(10A, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49104 | 2N6648 | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 49105 | 2N6648 | 10 Un transistor de potencia PNP Darlington. -40 V. 70 W. Ganancia de 1000 a las 5 A. | General Electric Solid State |
| 49106 | 2N6649 | Transistor de PNP Darlington | Microsemi |
| 49107 | 2N6649 | ENERGÍA TRANSISTORS(10A, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49108 | 2N6649 | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 49109 | 2N6649 | 10 Un transistor de potencia PNP Darlington. -60 V. 70 W. Ganancia de 1000 a las 5 A. | General Electric Solid State |
| 49110 | 2N6650 | Transistor de PNP Darlington | Microsemi |
| 49111 | 2N6650 | ENERGÍA TRANSISTORS(10A, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49112 | 2N6650 | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 49113 | 2N6650 | 10 Un transistor de potencia PNP Darlington. -80 V. 70 W. Ganancia de 1000 a las 5 A. | General Electric Solid State |
| 49114 | 2N6653 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3. | SemeLAB |
| 49115 | 2N6654 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 49116 | 2N6655 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 49117 | 2N6659 | TRANSISTOR del MOS del MODO del REALCE Del N-canal | SemeLAB |
| 49118 | 2N6659 | TRANSISTORES DEL FET DE LA CONMUTACIÓN DE TMOS | Motorola |
| 49119 | 2N6660 | TRANSISTORES DEL FET DE LA CONMUTACIÓN DE TMOS | Motorola |
| 49120 | 2N6660 | FETs Verticales Del Realce-Modo DMOS Del N-Canal | Supertex Inc |
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