| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 49281 | 2N6759 | MOSFETs/5.Ä/350V/400V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 49282 | 2N6759 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4,5 A. | General Electric Solid State |
| 49283 | 2N6760 | 400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âa | International Rectifier |
| 49284 | 2N6760 | MOSFETs/5.Ä/350V/400V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 49285 | 2N6760 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5.5A. | General Electric Solid State |
| 49286 | 2N6761 | MOSFETs/4.Ä/450V/500V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 49287 | 2N6761 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 450V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 49288 | 2N6762 | 500V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âa | International Rectifier |
| 49289 | 2N6762 | MOSFETs/4.Ä/450V/500V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 49290 | 2N6762 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 500V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4,5 A. | General Electric Solid State |
| 49291 | 2N6763 | MOSFETs/3Å/60V/100V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 49292 | 2N6764 | 100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âe | International Rectifier |
| 49293 | 2N6764 | MOSFETs/3Å/60V/100V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 49294 | 2N6764 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 38A. | General Electric Solid State |
| 49295 | 2N6764 | N-canal de modo de mejora transistor de potencia MOSFET | Omnirel |
| 49296 | 2N6765 | MOSFETs/30A/150V/200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 49297 | 2N6766 | 200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âe | International Rectifier |
| 49298 | 2N6766 | MOSFETs/30A/150V/200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 49299 | 2N6766 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 30A. | General Electric Solid State |
| 49300 | 2N6766 | N-canal de modo de mejora transistor de potencia MOSFET | Omnirel |
| 49301 | 2N6767 | MOSFETs/1Ä/350V/400V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 49302 | 2N6768 | 400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âe | International Rectifier |
| 49303 | 2N6768 | MOSFETs/1Ä/350V/400V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 49304 | 2N6768 | N-canal de modo de mejora transistor de potencia MOSFET | Omnirel |
| 49305 | 2N6769 | MOSFETs/1À/450V/500V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 49306 | 2N6770 | 500V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âa | International Rectifier |
| 49307 | 2N6770 | MOSFETs/1À/450V/500V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 49308 | 2N6770 | N-canal de modo de mejora transistor de potencia MOSFET | Omnirel |
| 49309 | 2N6781 | 60 V, 06 ohmios, FET de potencia realce-modo de canal N de D-MOS | Topaz Semiconductor |
| 49310 | 2N6782 | 100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
| 49311 | 2N6782 | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | SemeLAB |
| 49312 | 2N6782 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. 3.5 A, 100 V. | General Electric Solid State |
| 49313 | 2N6782 | 100 V, 06 ohmios, N-canal-modo de mejora D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 49314 | 2N6782LCC4 | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | SemeLAB |
| 49315 | 2N6784 | 200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
| 49316 | 2N6786 | 400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
| 49317 | 2N6786 | Mosfet del N-Canal en un paquete hermético sellado del metal TO39 | SemeLAB |
| 49318 | 2N6788 | 100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
| 49319 | 2N6788 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. 6,0 A, 100 V. | General Electric Solid State |
| 49320 | 2N6790 | 200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
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