| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 501801 | HN1A01FE | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501802 | HN1A01FU | Usos De fines generales Epitaxial Del Amplificador De la Frecuencia Audio Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 501803 | HN1A02F | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501804 | HN1A07F | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501805 | HN1A26FS | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501806 | HN1B01F | Usos De fines generales Epitaxial Epitaxial Del Amplificador De la Frecuencia Audio Del Tipo Del Silicio NPN Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT) (Proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 501807 | HN1B01FDW1T1 | Complementaria de uso general Dual Amplificador de transistor | ON Semiconductor |
| 501808 | HN1B01FDW1T1-D | Transistor de fines generales dual complementario PNP del amplificador y montaje de la superficie de NPN | ON Semiconductor |
| 501809 | HN1B01FU | Usos De fines generales Epitaxial Epitaxial Del Amplificador De la Frecuencia Audio Del Tipo Del Silicio NPN Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT) (Proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 501810 | HN1B04F | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501811 | HN1B04FE | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501812 | HN1B04FU | Usos De fines generales Epitaxial Epitaxial Del Amplificador De la Frecuencia Audio Del Tipo Del Silicio PNP Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT) (Proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 501813 | HN1B26FS | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501814 | HN1C01F | Usos De fines generales Epitaxial Del Amplificador De la Frecuencia Audio Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 501815 | HN1C01FE | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501816 | HN1C01FU | Usos De fines generales Epitaxial Del Amplificador De la Frecuencia Audio Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 501817 | HN1C03F | Tipo Epitaxial Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT) Para Los Usos Que apagan Y Que cambian | TOSHIBA |
| 501818 | HN1C03FU | Tipo epitaxial de Npn del silicio del transistor (proceso del PCT) para los usos que apagan y que cambian | TOSHIBA |
| 501819 | HN1C05FE | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501820 | HN1C07F | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501821 | HN1C26FS | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501822 | HN1D01F | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 501823 | HN1D01FE | Diodo de conmutación | TOSHIBA |
| 501824 | HN1D01FU | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 501825 | HN1D02F | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 501826 | HN1D02FE | Diodo de conmutación | TOSHIBA |
| 501827 | HN1D02FU | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 501828 | HN1D03F | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 501829 | HN1D03FU | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 501830 | HN1D04FU | Diodo de conmutación | TOSHIBA |
| 501831 | HN1J02FU | Usos Análogos Del Interruptor De los Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Tipo Del MOS Del Canal Del Silicio P Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
| 501832 | HN1K02FU | Usos Análogos Del Interruptor De los Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Tipo del MOS Del Canal Del Silicio N Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
| 501833 | HN1K03FU | Usos Análogos Del Interruptor De los Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Tipo del MOS Del Canal Del Silicio N Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
| 501834 | HN1K04FU | Usos Análogos Del Interruptor De los Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Tipo del MOS Del Canal Del Silicio N Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
| 501835 | HN1K05FU | Tipo del MOS Del Canal Del Silicio N Del Transistor De Efecto De Campo Para Los Usos De alta velocidad Del Interfaz De los Usos De la Conmutación De los Dispositivos Portables | TOSHIBA |
| 501836 | HN1K06FU | Usos Análogos Del Interruptor De los Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Tipo del MOS Del Canal Del Silicio N Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
| 501837 | HN1L02FU | Usos Análogos Del Interruptor De los Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Tipo del MOS Del Canal De N-p Del Silicio Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
| 501838 | HN1L03FU | Usos Análogos Del Interruptor De los Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Tipo del MOS Del Canal De N-p Del Silicio Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
| 501839 | HN1V01H | Usos Que templan De la Capacitancia De la Venda De radio Variable Del Diodo | TOSHIBA |
| 501840 | HN1V02H | Usos Que templan De la Capacitancia De la Venda De radio Variable Del Diodo | TOSHIBA |
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