| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 51201 | 2SA497-O | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO PNP | Unknow |
| 51202 | 2SA497-O | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO PNP | Unknow |
| 51203 | 2SA497-R | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO PNP | Unknow |
| 51204 | 2SA497-R | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO PNP | Unknow |
| 51205 | 2SA497-Y | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO PNP | Unknow |
| 51206 | 2SA497-Y | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO PNP | Unknow |
| 51207 | 2SA498 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO PNP | Unknow |
| 51208 | 2SA498 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO PNP | Unknow |
| 51209 | 2SA498 | Transistor PNP para los usos del amplificador de energía medio | TOSHIBA |
| 51210 | 2SA498-O | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO PNP | Unknow |
| 51211 | 2SA498-O | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO PNP | Unknow |
| 51212 | 2SA498-R | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO PNP | Unknow |
| 51213 | 2SA498-R | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO PNP | Unknow |
| 51214 | 2SA498-Y | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO PNP | Unknow |
| 51215 | 2SA498-Y | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO PNP | Unknow |
| 51216 | 2SA505 | PROCESO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 51217 | 2SA510 | TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP | TOSHIBA |
| 51218 | 2SA510 | TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP | TOSHIBA |
| 51219 | 2SA512 | TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP | TOSHIBA |
| 51220 | 2SA512 | TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP | TOSHIBA |
| 51221 | 2SA52 | TRANSISTOR DE ENSAMBLADURA DE ALEACIÓN DEL GERMANIO PNP | Unknow |
| 51222 | 2SA52 | TRANSISTOR DE ENSAMBLADURA DE ALEACIÓN DEL GERMANIO PNP | Unknow |
| 51223 | 2SA532 | Amplificadores e interruptores medios de energía | Micro Electronics |
| 51224 | 2SA539 | Amplificador de baja frecuencia. Tensión colector-base: VCBO = -60V. Tensión de colector-emisor: VCEO = -45V. Tensión emisor-base Vebo = 5V. Disipación del colector: Pc (máx) = 400mW. | USHA India LTD |
| 51225 | 2SA542 | Amplificador de baja frecuencia. Tensión colector-base: VCBO = -30V. Tensión de colector-emisor: VCEO = -25V. Tensión emisor-base Vebo = 5V. Disipación del colector: Pc (max) = 250 mW. | USHA India LTD |
| 51226 | 2SA561 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
| 51227 | 2SA562 | TO-92 Pla'stico-Encapsulan Los Transistores | Unknow |
| 51228 | 2SA562 | TO-92 Pla'stico-Encapsulan Los Transistores | Unknow |
| 51229 | 2SA562TM | Usos bajos epitaxial del amplificador de la etapa de conductor de los usos del amplificador de energía de la frecuencia audio del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) que cambian usos | TOSHIBA |
| 51230 | 2SA564 | Nivel bajo y amplificadores de fines generales | Micro Electronics |
| 51231 | 2SA564 | Transistores Pequeños De la Señal De la Frecuencia Audio | Semiconductor Technology |
| 51232 | 2SA573 | TRANSISTOR DEL SI PNP | Unknow |
| 51233 | 2SA573 | TRANSISTOR DEL SI PNP | Unknow |
| 51234 | 2SA574 | TRANSISTOR DEL SI PNP | Unknow |
| 51235 | 2SA574 | TRANSISTOR DEL SI PNP | Unknow |
| 51236 | 2SA603 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Unknow |
| 51237 | 2SA603 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Unknow |
| 51238 | 2SA606 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP/NPN | Unknow |
| 51239 | 2SA606 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP/NPN | Unknow |
| 51240 | 2SA607 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP/NPN | Unknow |
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