| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 52361 | 2SB549 | (2SB548) Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP/NPN | NEC |
| 52362 | 2SB554 | Usos Del Amplificador De Energía | TOSHIBA |
| 52363 | 2SB555 | TRANSISTOR DIFUNDIDO TRIPLE DEL MESA DEL SILICIO PNP | Unknow |
| 52364 | 2SB556 | TRANSISTOR DIFUNDIDO TRIPLE DEL MESA DEL SILICIO PNP | Unknow |
| 52365 | 2SB557 | TRANSISTOR DIFUNDIDO TRIPLE DEL MESA DEL ICONO PNP | Unknow |
| 52366 | 2SB559 | Energía Amperio, Usos Medios De la Frecuencia Baja De la Conmutación De la Velocidad | Unknow |
| 52367 | 2SB560 | Usos De baja frecuencia Del Amperio De la Energía | SANYO |
| 52368 | 2SB561 | Transistor Del Silicio PNP | Hitachi Semiconductor |
| 52369 | 2SB561 | Silicio PNP Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 52370 | 2SB561 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 52371 | 2SB562 | Transistor Del Silicio PNP | Hitachi Semiconductor |
| 52372 | 2SB562 | Silicio PNP Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 52373 | 2SB562 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 52374 | 2SB564 | TRANSISTOR DEL SILICIO | Micro Electronics |
| 52375 | 2SB564A | Amplificador de potencia de frecuencia de audio. Tensión colector-base VCBO = -30V. Tensión de colector-emisor VCEO = -25V. Tensión emisor-base Vebo = 5V. Disipación del colector PC (máx) = 800mW. Corriente de colector Ic = -1.0A. | USHA India LTD |
| 52376 | 2SB566 | Triple Del Silicio PNP Difundido | Hitachi Semiconductor |
| 52377 | 2SB566 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 52378 | 2SB566(K) | Transistor Del Silicio PNP | Hitachi Semiconductor |
| 52379 | 2SB566A | Triple Del Silicio PNP Difundido | Hitachi Semiconductor |
| 52380 | 2SB566A | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 52381 | 2SB566A(K) | Transistor Del Silicio PNP | Hitachi Semiconductor |
| 52382 | 2SB566AK | Triple Del Silicio PNP Difundido | Hitachi Semiconductor |
| 52383 | 2SB566K | Triple Del Silicio PNP Difundido | Hitachi Semiconductor |
| 52384 | 2SB592 | 750 mW transistor NPN de silicio | Micro Electronics |
| 52385 | 2SB592A | 750 mW transistor NPN de silicio | Micro Electronics |
| 52386 | 2SB595 | ENERGÍA AMPLIFIER(PNP EPITAXUAL DE LA FRECUENCIA BAJA) | Wing Shing Computer Components |
| 52387 | 2SB596 | ENERGÍA TRANSISTORS(4.0A, 80v, 30w) | MOSPEC Semiconductor |
| 52388 | 2SB596 | AMPLIFICADOR DE ENERGÍA EPITAXIAL DE LA FRECUENCIA DEL SILICIO TRANSISTOR(LOW DE PNP) | Wing Shing Computer Components |
| 52389 | 2SB598 | PARA LA ENERGÍA AMPERIO DE LA FRECUENCIA AUDIO, CONVERTIDORES, GOBERNADORES ELECTRÓNICOS | SANYO |
| 52390 | 2SB601 | Transistor del silicio | NEC |
| 52391 | 2SB601-S | Transistor del silicio | NEC |
| 52392 | 2SB601-Z | Transistor del silicio | NEC |
| 52393 | 2SB605 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE PNP | NEC |
| 52394 | 2SB621 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - General-utilice Amplifires de baja frecuencia | Panasonic |
| 52395 | 2SB621 | 750 mW transistor NPN de silicio | Micro Electronics |
| 52396 | 2SB621A | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - General-utilice Amplifires de baja frecuencia | Panasonic |
| 52397 | 2SB621A | 750 mW transistor NPN de silicio | Micro Electronics |
| 52398 | 2SB624 | MOLDE DEL TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DE LA FRECUENCIA AUDIO PNP MINI | NEC |
| 52399 | 2SB624-L | Transistor del silicio | NEC |
| 52400 | 2SB624-T1B | Transistor del silicio | NEC |
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