| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 53081 | 2SC1921 | Triple Del Silicio NPN Difundido | Hitachi Semiconductor |
| 53082 | 2SC1921 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53083 | 2SC1921 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 53084 | 2SC1922 | Transistores Del Paquete De la Energía TO-3 (NPN) | Unknow |
| 53085 | 2SC1922 | Transistores Del Paquete De la Energía TO-3 (NPN) | Unknow |
| 53086 | 2SC1923 | Usos de alta frecuencia planar epitaxial FM, RF, MEZCLA del amplificador del tipo del silicio NPN del transistor (proceso del PCT), SI usos del amplificador | TOSHIBA |
| 53087 | 2SC1927 | TRANSISTOR DUAL EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN PARA EL AMPLIFICADOR DIFERENCIADO Y EL USO INDUSTRIAL DE LA CONMUTACIÓN ULTRA DE ALTA VELOCIDAD | NEC |
| 53088 | 2SC1929 | PLANAR EPITAXIAL DEL SI NPN | Panasonic |
| 53089 | 2SC1929 | PLANAR EPITAXIAL DEL SI NPN | Panasonic |
| 53090 | 2SC1940 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 53091 | 2SC1940 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 53092 | 2SC1941 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 53093 | 2SC1941 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 53094 | 2SC1942 | SALIDA HORIZONTAL DE ALTO VOLTAJE DE LA DESVIACIÓN DE LA CONMUTACIÓN TV DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 53095 | 2SC1942 | SALIDA HORIZONTAL DE ALTO VOLTAJE DE LA DESVIACIÓN DE LA CONMUTACIÓN TV DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 53096 | 2SC1944 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53097 | 2SC1945 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53098 | 2SC1946 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53099 | 2SC1946A | TRANSISTOR DE ENERGÍA DE MITSUBISHI RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53100 | 2SC1947 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53101 | 2SC1953 | Dispositivo De Energía - Transistores De Energía - Otros | Panasonic |
| 53102 | 2SC1959 | Usos bajos epitaxial del amplificador de la etapa de conductor de los usos del amplificador de energía de la frecuencia audio del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) que cambian usos | TOSHIBA |
| 53103 | 2SC1966 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53104 | 2SC1967 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53105 | 2SC1968 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53106 | 2SC1968A | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53107 | 2SC1969 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53108 | 2SC1970 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53109 | 2SC1971 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53110 | 2SC1972 | Los amplificadores de energía PLANAR EPITAXIAL de NPN TYPE(for RF en el VHF congriegan usos de radio móviles) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53111 | 2SC1973 | PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR NPN | Panasonic |
| 53112 | 2SC1974 | Planar Epitaxial Del Silicio NPN | Unknow |
| 53113 | 2SC1974 | Planar Epitaxial Del Silicio NPN | Unknow |
| 53114 | 2SC1975 | Planar Epitaxial Del Silicio NPN | Unknow |
| 53115 | 2SC1975 | Planar Epitaxial Del Silicio NPN | Unknow |
| 53116 | 2SC1980 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - General-utilice Amplifires de baja frecuencia | Panasonic |
| 53117 | 2SC1983 | INVERSORES SOLENOIDE DE LOS REGULADORES PWM DEL SILICIO DARLINGTON TRANSISTOR(SWITCHING DE NPN Y CONDUCTORES DEL RELAIS) | Wing Shing Computer Components |
| 53118 | 2SC1985 | 60V NPN transistor de silicio | Sanken |
| 53119 | 2SC1986 | 80V NPN transistor de silicio | Sanken |
| 53120 | 2SC1988 | TRANSISTOR ALTO DEL SILICIO FREQUNY DE NPN | NEC |
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