| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 53641 | 2SC2833A | Mesa Difundido Triple De la Ensambladura Del Silicio NPN | Unknow |
| 53642 | 2SC2833A | Mesa Difundido Triple De la Ensambladura Del Silicio NPN | Unknow |
| 53643 | 2SC2833A | Si NPN triples difundida. De alta velocidad de conmutación. | Panasonic |
| 53644 | 2SC2834 | Tipo Triple-Difundido NPN Del Mesa De la Ensambladura Del Silicio | Unknow |
| 53645 | 2SC2834 | Tipo Triple-Difundido NPN Del Mesa De la Ensambladura Del Silicio | Unknow |
| 53646 | 2SC2834A | Tipo Triple-Difundido NPN Del Mesa De la Ensambladura Del Silicio | Unknow |
| 53647 | 2SC2834A | Tipo Triple-Difundido NPN Del Mesa De la Ensambladura Del Silicio | Unknow |
| 53648 | 2SC2837 | Transistor Del Silicio NPN | Sanken |
| 53649 | 2SC2837 | ENERGÍA TRANSISTORS(10A, 150v, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53650 | 2SC2839 | Usos Planar Epitaxial Del Amplificador del Hf Del Transistor Del Silicio de NPN | SANYO |
| 53651 | 2SC2840 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio Del Tipo de NPN | SANYO |
| 53652 | 2SC2840 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio Del Tipo de NPN | SANYO |
| 53653 | 2SC2841 | Si NPN DIFUNDIDO TRIPLE DEL MESA. Alta velocidad de conmutación de potencia. | Panasonic |
| 53654 | 2SC2845 | PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO NPN | Panasonic |
| 53655 | 2SC2845 | PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO NPN | Panasonic |
| 53656 | 2SC2851 | Transistores (guía de la selección por Applications y funciones) | Panasonic |
| 53657 | 2SC2853 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53658 | 2SC2853 | Silicio NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 53659 | 2SC2853 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 53660 | 2SC2854 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53661 | 2SC2854 | Silicio NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 53662 | 2SC2855 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53663 | 2SC2855 | Silicio NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 53664 | 2SC2856 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53665 | 2SC2856 | Silicio NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 53666 | 2SC2856 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 53667 | 2SC2857 | Usos De alto voltaje Difundidos Triples Del Conductor Del Transistor Planar Del Silicio de NPN | SANYO |
| 53668 | 2SC2859 | Usos bajos epitaxial del amplificador de la etapa de conductor de los usos del amplificador de energía de la frecuencia audio del silicio NPN del transistor (proceso del PCT) que cambian usos | TOSHIBA |
| 53669 | 2SC2860 | Planar Epitaxial Del Silicio NPN | Panasonic |
| 53670 | 2SC2860 | Planar Epitaxial Del Silicio NPN | Panasonic |
| 53671 | 2SC2869 | Amplificador bajo del ruido de la venda del VHF y de la frecuencia ultraelevada | NEC |
| 53672 | 2SC2869 | TRANSISTOR EL DE ALTA FRECUENCIA DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 53673 | 2SC2869 | Amplificador bajo del ruido de la venda del VHF y de la frecuencia ultraelevada | NEC |
| 53674 | 2SC2869 | TRANSISTOR EL DE ALTA FRECUENCIA DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 53675 | 2SC2873 | Los usos epitaxial del amplificador de energía del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) accionan usos de la conmutación | TOSHIBA |
| 53676 | 2SC2878 | Tipo epitaxial del silicio NPN del transistor para los usos que apagan y que cambian | TOSHIBA |
| 53677 | 2SC2879 | USOS LINEARES PLANAR EPITAXIAL DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL TIPO 2~30CMcHz SSB DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR (USO BAJO DEL VOLTAJE DE FUENTE) | TOSHIBA |
| 53678 | 2SC2880 | El silicio NPN del transistor triplica usos de alto voltaje difundidos de la conmutación del tipo (proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 53679 | 2SC2881 | Usos epitaxial del amplificador de energía de los usos del amplificador del voltaje del tipo del silicio NPN del transistor (proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 53680 | 2SC2882 | Usos epitaxial del amplificador del voltaje de los usos del amplificador de energía del tipo del silicio NPN del transistor (proceso del PCT) | TOSHIBA |
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