| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 53681 | 2SC2883 | USOS AUDIO EPITAXIAL DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL TIPO DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR (PROCESO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 53682 | 2SC2884 | USOS AUDIO EPITAXIAL DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL TIPO DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR (PROCESO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 53683 | 2SC2885 | Transistor del silicio | NEC |
| 53684 | 2SC2893 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF DEL SILICIO DE NPN | Advanced Semiconductor |
| 53685 | 2SC2898 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53686 | 2SC2898 | Triple Del Silicio NPN Difundido | Hitachi Semiconductor |
| 53687 | 2SC2898 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 53688 | 2SC2899 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53689 | 2SC2899 | Triple Del Silicio NPN Difundido | Hitachi Semiconductor |
| 53690 | 2SC2901 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 53691 | 2SC2904 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53692 | 2SC2905 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53693 | 2SC2908 | ENERGÍA TRANSISTORS(5.0A, 100v, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53694 | 2SC2909 | Usos De alto voltaje del Af 60W Predriver De la Conmutación De los Transistores Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | SANYO |
| 53695 | 2SC2910 | La Conmutación De alto voltaje 80W Audio De los Transistores Planar Epitaxial Del Silicio de NPN Hizo salir Los Usos De Predriver | SANYO |
| 53696 | 2SC2911 | Conmutación de alto voltaje planar epitaxial de los transistores 160V/140mA del silicio de NPN y usos del AF 100W Predriver | SANYO |
| 53697 | 2SC2912 | CONMUTACIÓN DE ALTO VOLTAJE, USOS DEL AF 150W PREDRIVER | SANYO |
| 53698 | 2SC2912 | CONMUTACIÓN DE ALTO VOLTAJE, USOS DEL AF 150W PREDRIVER | SANYO |
| 53699 | 2SC2921 | Transistor Del Silicio NPN | Sanken |
| 53700 | 2SC2921 | ENERGÍA TRANSISTORS(1Ä, 160v, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53701 | 2SC2921 | C.C. PLANAR DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL SILICIO TRANSISTOR(AUDIO DE NPN AL CONVERTIDOR DE LA C.C.) | Wing Shing Computer Components |
| 53702 | 2SC2922 | ENERGÍA TRANSISTORS(17A, 180v, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53703 | 2SC2922 | DESCRIPCIÓN Planar Epitaxial De Transistor(GENERAL Del Silicio) | Wing Shing Computer Components |
| 53704 | 2SC2922 | Transistor Para Power Amplifier | Sanken |
| 53705 | 2SC2923 | Transistor de energía - Silicio PNP Difundido Triple-Planar Tipo | Panasonic |
| 53706 | 2SC2925 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - General-utilice Amplifires de baja frecuencia | Panasonic |
| 53707 | 2SC2928 | CONMUTACIÓN DEL ALTO VOLTAJE, DE ALTA VELOCIDAD Y ALTA DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 53708 | 2SC2928 | CONMUTACIÓN DEL ALTO VOLTAJE, DE ALTA VELOCIDAD Y ALTA DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 53709 | 2SC2929 | TIPO TRANSISTORES BIPOLARES DEL MOLDE | Unknow |
| 53710 | 2SC2929 | Transistor de alta velocidad de la conmutación | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53711 | 2SC2929 | TIPO TRANSISTORES BIPOLARES DEL MOLDE | Unknow |
| 53712 | 2SC2929 | Transistor de alta velocidad de la conmutación | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53713 | 2SC2932 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53714 | 2SC2933 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53715 | 2SC2938 | ENERGÍA TRANSISTORS(10A, 400v, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53716 | 2SC2944 | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DIFUNDIDA TRIPLE DEL TIPO DE LA CEPILLADORA | Fuji Electric |
| 53717 | 2SC2944 | TIPO TRANSISTORES BIPOLARES DEL MOLDE | Unknow |
| 53718 | 2SC2944 | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DIFUNDIDA TRIPLE DEL TIPO DE LA CEPILLADORA | Fuji Electric |
| 53719 | 2SC2944 | TIPO TRANSISTORES BIPOLARES DEL MOLDE | Unknow |
| 53720 | 2SC2946 | TRANSISTOR EPITAXIAL MP-3 DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| | | |
