| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 53721 | 2SC2946(1) | Transistor del silicio | NEC |
| 53722 | 2SC29461 | TRANSISTOR EPITAXIAL MP-3 DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 53723 | 2SC2951 | El ASI 2SC2951 es un transistor de alta frecuencia diseñado para los usos de fines generales del oscilador hasta 10 gigahertz. | Advanced Semiconductor |
| 53724 | 2SC2951 | El ASI 2SC2951 es un transistor de alta frecuencia diseñado para los usos de fines generales del oscilador hasta 10 gigahertz. | Advanced Semiconductor |
| 53725 | 2SC2952 | El 2SC2592 es un transistor de alta frecuencia diseñadopara los usos de fines generales del amplificador de VHF-UHF. | Advanced Semiconductor |
| 53726 | 2SC2952 | El 2SC2592 es un transistor de alta frecuencia diseñadopara los usos de fines generales del amplificador de VHF-UHF. | Advanced Semiconductor |
| 53727 | 2SC2954 | MOLDE DE LA ENERGÍA EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN MINI | NEC |
| 53728 | 2SC2954-T1 | Para la alta frecuencia de amplificación, bajo nivel de ruido, y de ancho de banda. | NEC |
| 53729 | 2SC2954-T2 | Para la alta frecuencia de amplificación, bajo nivel de ruido, y de ancho de banda. | NEC |
| 53730 | 2SC2958 | Transistor del silicio | NEC |
| 53731 | 2SC2958-T | Transistor del silicio | NEC |
| 53732 | 2SC2959 | Transistor del silicio | NEC |
| 53733 | 2SC2959-T | Transistor del silicio | NEC |
| 53734 | 2SC2960 | Usos De alta velocidad De la Conmutación De los Transistores Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | SANYO |
| 53735 | 2SC2979 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53736 | 2SC2979 | Triple Del Silicio NPN Difundido | Hitachi Semiconductor |
| 53737 | 2SC2979 | ENERGÍA TRANSISTORS(Á, 800v, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53738 | 2SC2979 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 53739 | 2SC2982 | Usos medios del amplificador de energía del tipo del silicio NPN del transistor (proceso del PCT) de los usos de destello epitaxial de Storobo | TOSHIBA |
| 53740 | 2SC2983 | Usos epitaxial del amplificador de la etapa de conductor de los usos del amplificador de energía del tipo del silicio NPN del transistor (proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 53741 | 2SC2987 | EL TRIPLE DEL SILICIO DEL SILICIO EPITAXIAL/NPN DE PNP DIFUNDIÓ EL TRANSISTOR | Unknow |
| 53742 | 2SC2987 | EL TRIPLE DEL SILICIO DEL SILICIO EPITAXIAL/NPN DE PNP DIFUNDIÓ EL TRANSISTOR | Unknow |
| 53743 | 2SC2987 | EL TRIPLE DEL SILICIO DEL SILICIO EPITAXIAL/NPN DE PNP DIFUNDIÓ EL TRANSISTOR | Unknow |
| 53744 | 2SC2987 | EL TRIPLE DEL SILICIO DEL SILICIO EPITAXIAL/NPN DE PNP DIFUNDIÓ EL TRANSISTOR | Unknow |
| 53745 | 2SC2987A | EL TRIPLE DEL SILICIO DEL SILICIO EPITAXIAL/NPN DE PNP DIFUNDIÓ EL TRANSISTOR | Unknow |
| 53746 | 2SC2987A | EL TRIPLE DEL SILICIO DEL SILICIO EPITAXIAL/NPN DE PNP DIFUNDIÓ EL TRANSISTOR | Unknow |
| 53747 | 2SC2987A | EL TRIPLE DEL SILICIO DEL SILICIO EPITAXIAL/NPN DE PNP DIFUNDIÓ EL TRANSISTOR | Unknow |
| 53748 | 2SC2987A | EL TRIPLE DEL SILICIO DEL SILICIO EPITAXIAL/NPN DE PNP DIFUNDIÓ EL TRANSISTOR | Unknow |
| 53749 | 2SC2988 | Transistores (guía de la selección por Applications y funciones) | Panasonic |
| 53750 | 2SC2995 | Tipo epitaxial del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT FM/AM RF, MEZCLA, OSCILADOR, SI usos de alta frecuencia del amplificador | TOSHIBA |
| 53751 | 2SC2996 | Tipo epitaxial del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT FM/AM RF, MEZCLA, local, SI usos de alta frecuencia del amplificador | TOSHIBA |
| 53752 | 2SC2999 | Usos Planar Epitaxial Del Amplificador del Hf Del Transistor Del Silicio de NPN | SANYO |
| 53753 | 2SC3000 | Usos Planar Epitaxial Del Amplificador del Hf Del Transistor Del Silicio de NPN | SANYO |
| 53754 | 2SC3001 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53755 | 2SC3006 | TRANSISTOR (USOS DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DE LA VENDA) | TOSHIBA |
| 53756 | 2SC3007 | TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN (PROCESO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 53757 | 2SC3007 | TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN (PROCESO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 53758 | 2SC3007 | TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN (PROCESO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 53759 | 2SC3011 | Usos Bajos Del Amplificador Del Ruido De la Venda Planar Epitaxial Del Tipo UHF~C Del Silicio NPN Del Transistor | TOSHIBA |
| 53760 | 2SC3012 | EL TRIPLE DEL SILICIO DEL SILICIO EPITAXIAL/NPN DE PNP DIFUNDIÓ EL TRANSISTOR | Unknow |
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