Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
54321 | 2SC3552 | DESCRIPCIÓN Planar Epitaxial De Transistor(GENERAL Del Silicio) | Wing Shing Computer Components |
54322 | 2SC3553 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
54323 | 2SC3553 | Silicio NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
54324 | 2SC3554 | MOLDE DE LA ENERGÍA EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN MINI | NEC |
54325 | 2SC3554-T1 | Transistor del silicio | NEC |
54326 | 2SC3554-T2 | Transistor del silicio | NEC |
54327 | 2SC3559 | 3A; 30W; V (ceo): 800V; Transistor NPN. Para la regulación de conmutación | TOSHIBA |
54328 | 2SC3560 | 2A; 20W; V (ceo): 400V; Transistor NPN. Para la regulación de conmutación | TOSHIBA |
54329 | 2SC3561 | 2A; 20W; V (ceo): 400V; Transistor NPN. Para la regulación de conmutación | TOSHIBA |
54330 | 2SC3562 | 10A; 40W; V (ceo): 400V; Transistor NPN. Para la regulación de conmutación | TOSHIBA |
54331 | 2SC3563 | 10A; 40W; V (ceo): 450V; Transistor NPN. Para la regulación de conmutación | TOSHIBA |
54332 | 2SC3567 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN | NEC |
54333 | 2SC3568 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN | NEC |
54334 | 2SC3569 | Transistor del silicio | NEC |
54335 | 2SC3571 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN | NEC |
54336 | 2SC3572 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN | NEC |
54337 | 2SC3572 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN | NEC |
54338 | 2SC3572 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN | NEC |
54339 | 2SC3576 | HFE del transistor planar epitaxial del silicio de NPN alto, usos de uso general de baja frecuencia del amplificador | SANYO |
54340 | 2SC3580 | 900MW de plomo transistor NPN marco, calificación máxima: 20V VCEO, 700mA Ic, 150 a 800 hFE. 2SA1398 Complementaria | Isahaya Electronics Corporation |
54341 | 2SC3581 | 900MW de plomo transistor NPN marco, calificación máxima: 50V VCEO, 400mA Ic, 90-500 hFE. 2SA1399 Complementaria | Isahaya Electronics Corporation |
54342 | 2SC3582 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL RUIDO DE LA MICROONDA DEL SILICIO BAJO DEL AMPLIFICADOR NPN | NEC |
54343 | 2SC3582-T | Para amplificar microondas y bajo nivel de ruido. | NEC |
54344 | 2SC3583 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL RUIDO DE LA MICROONDA DEL SILICIO BAJO DEL AMPLIFICADOR NPN | NEC |
54345 | 2SC3583-L | Para amplificar microondas y bajo nivel de ruido. | NEC |
54346 | 2SC3583-T1B | Para amplificar microondas y bajo nivel de ruido. | NEC |
54347 | 2SC3583-T2B | Para amplificar microondas y bajo nivel de ruido. | NEC |
54348 | 2SC3585 | SILICIO BAJO TRANSISOR EPITAXIAL DEL AMPLIFICADOR NPN DEL RUIDO DE LA MICROONDA | NEC |
54349 | 2SC3585-L | Para amplificar microondas y bajo nivel de ruido. | NEC |
54350 | 2SC3585-T1B | Para amplificar microondas y bajo nivel de ruido. | NEC |
54351 | 2SC3585-T2B | Para amplificar microondas y bajo nivel de ruido. | NEC |
54352 | 2SC3587 | TRANSISTOR EPITAXIAL del SILICIO de NPN PARA LA AMPLIFICACIÓN De poco ruido de la MICROONDA | NEC |
54353 | 2SC3588 | TRANSISTOR DIFUNDIDO TRIPLE MP-3 DEL SILICIO DE NPN | NEC |
54354 | 2SC3588-Z | TRANSISTOR DIFUNDIDO TRIPLE MP-3 DEL SILICIO DE NPN | NEC |
54355 | 2SC3591 | Usos Horizontales De la Salida De la Desviación De la Exhibición De alta definición de la CRT | SANYO |
54356 | 2SC3595 | Usos Video De la Salida Del Silicio de NPN Del Transistor De la Ultraalto-Definicio'n De la Exhibición Planar Epitaxial de la CRT | SANYO |
54357 | 2SC3596 | Usos Video De la Salida Del Silicio de NPN De los Transistores De la Exhibición Ultraalta-Difinition Planar Epitaxial de la CRT | SANYO |
54358 | 2SC3597 | Usos Video De la Salida Del Silicio de NPN De los Transistores De la Exhibición Ultraalta-Difinition Planar Epitaxial de la CRT | SANYO |
54359 | 2SC3598 | Usos Video De la Salida Del Silicio de NPN De los Transistores De la Exhibición Ultraalta-Difinition Planar Epitaxial de la CRT | SANYO |
54360 | 2SC3599 | Usos Video De la Salida Del Silicio de NPN De los Transistores De la Exhibición Ultraalta-Difinition Planar Epitaxial de la CRT | SANYO |
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