|   Primera página   |   Todos los fabricantes   |   Por la función   |  

Número de pieza, la descripción o el fabricante contener:  
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Las hojas de datos encontraron :: 1351360Página: << | 1396 | 1397 | 1398 | 1399 | 1400 | 1401 | 1402 | 1403 | 1404 | 1405 | 1406 | >>
Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
560012SC5186-T1El TRANSISTOR EPITAXIAL del SILICIO de NPN EN ULTRA ESTUPENDO Mini-moldea el PAQUETE PARA LA AMPLIFICACIÓN De poco ruido de la MICROONDANEC
560022SC5190Dispositivo small-signal - transistor small-signal - de alta frecuencia para los sintonizadoresPanasonic
560032SC5191TRANSISTOR EPITAXIAL DEL RUIDO DE LA MICROONDA DEL SILICIO BAJO DEL AMPLIFICADOR NPNNEC
560042SC5191-T1TRANSISTOR EPITAXIAL DEL RUIDO DE LA MICROONDA DEL SILICIO BAJO DEL AMPLIFICADOR NPNNEC
560052SC5191-T2TRANSISTOR EPITAXIAL DEL RUIDO DE LA MICROONDA DEL SILICIO BAJO DEL AMPLIFICADOR NPNNEC
560062SC5192MOLDE DEL RUIDO DE LA MICROONDA MINI DEL AMPLIFICADOR NPN DEL SILICIO DE LOS PERNOS EPITAXIAL BAJOS DEL TRANSISTOR 4NEC
560072SC5192-T1MOLDE DEL RUIDO DE LA MICROONDA MINI DEL AMPLIFICADOR NPN DEL SILICIO DE LOS PERNOS EPITAXIAL BAJOS DEL TRANSISTOR 4NEC
560082SC5192-T2MOLDE DEL RUIDO DE LA MICROONDA MINI DEL AMPLIFICADOR NPN DEL SILICIO DE LOS PERNOS EPITAXIAL BAJOS DEL TRANSISTOR 4NEC
560092SC5192RUnidad de baja tensión, el transistor de alta frecuenciaNEC
560102SC5192R-T1Unidad de baja tensión, el transistor de alta frecuenciaNEC
560112SC5192R-T2Unidad de baja tensión, el transistor de alta frecuenciaNEC
560122SC5193MOLDE DEL RUIDO DE LA MICROONDA MINI DEL AMPLIFICADOR NPN DEL SILICIO DEL ACUERDO EPITAXIAL BAJO DEL TRANSISTORNEC
560132SC5193-T1MOLDE DEL RUIDO DE LA MICROONDA MINI DEL AMPLIFICADOR NPN DEL SILICIO DEL ACUERDO EPITAXIAL BAJO DEL TRANSISTORNEC
560142SC5193-T2MOLDE DEL RUIDO DE LA MICROONDA MINI DEL AMPLIFICADOR NPN DEL SILICIO DEL ACUERDO EPITAXIAL BAJO DEL TRANSISTORNEC
560152SC5194TRANSISTOR EPITAXIAL DEL RUIDO DE LA MICROONDA DEL SILICIO BAJO DEL AMPLIFICADOR NPNNEC
560162SC5194-T1TRANSISTOR EPITAXIAL DEL RUIDO DE LA MICROONDA DEL SILICIO BAJO DEL AMPLIFICADOR NPNNEC
560172SC5194-T2TRANSISTOR EPITAXIAL DEL RUIDO DE LA MICROONDA DEL SILICIO BAJO DEL AMPLIFICADOR NPNNEC
560182SC5195TRANSISTOR EPITAXIAL DEL RUIDO DE LA MICROONDA DEL SILICIO BAJO DEL AMPLIFICADOR NPNNEC
560192SC5195-T1TRANSISTOR EPITAXIAL DEL RUIDO DE LA MICROONDA DEL SILICIO BAJO DEL AMPLIFICADOR NPNNEC



560202SC5196TIPO DIFUNDIDO TRIPLE DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR. USOS DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍATOSHIBA
560212SC5196C.C. PLANAR DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL SILICIO TRANSISTOR(AUDIO DE NPN AL CONVERTIDOR DE LA C.C.)Wing Shing Computer Components
560222SC5197USOS DIFUNDIDOS TRIPLES DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL TIPO DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTORTOSHIBA
560232SC5198USOS DIFUNDIDOS TRIPLES DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL TIPO DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTORTOSHIBA
560242SC5199USOS DIFUNDIDOS TRIPLES DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL TIPO DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTORTOSHIBA
560252SC5200USOS DIFUNDIDOS TRIPLES DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL TIPO DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTORTOSHIBA
560262SC5200NPN epitaxial transistor del silicioFairchild Semiconductor
560272SC5200NTransistor de potencia para aplicaciones de conmutación de alta velocidadTOSHIBA
560282SC5201TIPO DIFUNDIDO TRIPLE DEL MESA DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR. USOS DE ALTO VOLTAJE DE LA CONMUTACIÓN.TOSHIBA
560292SC5207APLANAR DIFUNDIDA TRIPLE DEL SILICIO NPNHitachi Semiconductor
560302SC5209PARA EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DE LA IMPULSIÓN DEL RELAISIsahaya Electronics Corporation
560312SC5209PARA EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DE LA IMPULSIÓN DEL RELAISIsahaya Electronics Corporation
560322SC5210Transistor NPN 500mW SMD, calificación máxima: 250V VCEO, 100mA Ic, 55-230 hFE.Isahaya Electronics Corporation
560332SC5211SILICIO NPN TRANSISORIsahaya Electronics Corporation
560342SC5211SILICIO NPN TRANSISORIsahaya Electronics Corporation
560352SC5212PARA EL TIPO EPITAXIAL ARRIBA ACTUAL DEL SILICIO NP DELUSO DE LA IMPULSIÓNIsahaya Electronics Corporation
560362SC5212PARA EL TIPO EPITAXIAL ARRIBA ACTUAL DEL SILICIO NP DELUSO DE LA IMPULSIÓNIsahaya Electronics Corporation
560372SC52132SC5213Isahaya Electronics Corporation
560382SC52132SC5213Isahaya Electronics Corporation
560392SC5214Para La Frecuencia Baja Amplifique El Tipo Epitaxial DeNpn Del Silicio Del UsoIsahaya Electronics Corporation
560402SC5214Para La Frecuencia Baja Amplifique El Tipo Epitaxial DeNpn Del Silicio Del UsoIsahaya Electronics Corporation
Las hojas de datos encontraron :: 1351360Página: << | 1396 | 1397 | 1398 | 1399 | 1400 | 1401 | 1402 | 1403 | 1404 | 1405 | 1406 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com