Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
56001 | 2SC5186-T1 | El TRANSISTOR EPITAXIAL del SILICIO de NPN EN ULTRA ESTUPENDO Mini-moldea el PAQUETE PARA LA AMPLIFICACIÓN De poco ruido de la MICROONDA | NEC |
56002 | 2SC5190 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - de alta frecuencia para los sintonizadores | Panasonic |
56003 | 2SC5191 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL RUIDO DE LA MICROONDA DEL SILICIO BAJO DEL AMPLIFICADOR NPN | NEC |
56004 | 2SC5191-T1 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL RUIDO DE LA MICROONDA DEL SILICIO BAJO DEL AMPLIFICADOR NPN | NEC |
56005 | 2SC5191-T2 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL RUIDO DE LA MICROONDA DEL SILICIO BAJO DEL AMPLIFICADOR NPN | NEC |
56006 | 2SC5192 | MOLDE DEL RUIDO DE LA MICROONDA MINI DEL AMPLIFICADOR NPN DEL SILICIO DE LOS PERNOS EPITAXIAL BAJOS DEL TRANSISTOR 4 | NEC |
56007 | 2SC5192-T1 | MOLDE DEL RUIDO DE LA MICROONDA MINI DEL AMPLIFICADOR NPN DEL SILICIO DE LOS PERNOS EPITAXIAL BAJOS DEL TRANSISTOR 4 | NEC |
56008 | 2SC5192-T2 | MOLDE DEL RUIDO DE LA MICROONDA MINI DEL AMPLIFICADOR NPN DEL SILICIO DE LOS PERNOS EPITAXIAL BAJOS DEL TRANSISTOR 4 | NEC |
56009 | 2SC5192R | Unidad de baja tensión, el transistor de alta frecuencia | NEC |
56010 | 2SC5192R-T1 | Unidad de baja tensión, el transistor de alta frecuencia | NEC |
56011 | 2SC5192R-T2 | Unidad de baja tensión, el transistor de alta frecuencia | NEC |
56012 | 2SC5193 | MOLDE DEL RUIDO DE LA MICROONDA MINI DEL AMPLIFICADOR NPN DEL SILICIO DEL ACUERDO EPITAXIAL BAJO DEL TRANSISTOR | NEC |
56013 | 2SC5193-T1 | MOLDE DEL RUIDO DE LA MICROONDA MINI DEL AMPLIFICADOR NPN DEL SILICIO DEL ACUERDO EPITAXIAL BAJO DEL TRANSISTOR | NEC |
56014 | 2SC5193-T2 | MOLDE DEL RUIDO DE LA MICROONDA MINI DEL AMPLIFICADOR NPN DEL SILICIO DEL ACUERDO EPITAXIAL BAJO DEL TRANSISTOR | NEC |
56015 | 2SC5194 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL RUIDO DE LA MICROONDA DEL SILICIO BAJO DEL AMPLIFICADOR NPN | NEC |
56016 | 2SC5194-T1 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL RUIDO DE LA MICROONDA DEL SILICIO BAJO DEL AMPLIFICADOR NPN | NEC |
56017 | 2SC5194-T2 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL RUIDO DE LA MICROONDA DEL SILICIO BAJO DEL AMPLIFICADOR NPN | NEC |
56018 | 2SC5195 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL RUIDO DE LA MICROONDA DEL SILICIO BAJO DEL AMPLIFICADOR NPN | NEC |
56019 | 2SC5195-T1 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL RUIDO DE LA MICROONDA DEL SILICIO BAJO DEL AMPLIFICADOR NPN | NEC |
56020 | 2SC5196 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLE DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR. USOS DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA | TOSHIBA |
56021 | 2SC5196 | C.C. PLANAR DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL SILICIO TRANSISTOR(AUDIO DE NPN AL CONVERTIDOR DE LA C.C.) | Wing Shing Computer Components |
56022 | 2SC5197 | USOS DIFUNDIDOS TRIPLES DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL TIPO DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR | TOSHIBA |
56023 | 2SC5198 | USOS DIFUNDIDOS TRIPLES DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL TIPO DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR | TOSHIBA |
56024 | 2SC5199 | USOS DIFUNDIDOS TRIPLES DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL TIPO DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR | TOSHIBA |
56025 | 2SC5200 | USOS DIFUNDIDOS TRIPLES DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL TIPO DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR | TOSHIBA |
56026 | 2SC5200 | NPN epitaxial transistor del silicio | Fairchild Semiconductor |
56027 | 2SC5200N | Transistor de potencia para aplicaciones de conmutación de alta velocidad | TOSHIBA |
56028 | 2SC5201 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLE DEL MESA DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR. USOS DE ALTO VOLTAJE DE LA CONMUTACIÓN. | TOSHIBA |
56029 | 2SC5207A | PLANAR DIFUNDIDA TRIPLE DEL SILICIO NPN | Hitachi Semiconductor |
56030 | 2SC5209 | PARA EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DE LA IMPULSIÓN DEL RELAIS | Isahaya Electronics Corporation |
56031 | 2SC5209 | PARA EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DE LA IMPULSIÓN DEL RELAIS | Isahaya Electronics Corporation |
56032 | 2SC5210 | Transistor NPN 500mW SMD, calificación máxima: 250V VCEO, 100mA Ic, 55-230 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
56033 | 2SC5211 | SILICIO NPN TRANSISOR | Isahaya Electronics Corporation |
56034 | 2SC5211 | SILICIO NPN TRANSISOR | Isahaya Electronics Corporation |
56035 | 2SC5212 | PARA EL TIPO EPITAXIAL ARRIBA ACTUAL DEL SILICIO NP DELUSO DE LA IMPULSIÓN | Isahaya Electronics Corporation |
56036 | 2SC5212 | PARA EL TIPO EPITAXIAL ARRIBA ACTUAL DEL SILICIO NP DELUSO DE LA IMPULSIÓN | Isahaya Electronics Corporation |
56037 | 2SC5213 | 2SC5213 | Isahaya Electronics Corporation |
56038 | 2SC5213 | 2SC5213 | Isahaya Electronics Corporation |
56039 | 2SC5214 | Para La Frecuencia Baja Amplifique El Tipo Epitaxial DeNpn Del Silicio Del Uso | Isahaya Electronics Corporation |
56040 | 2SC5214 | Para La Frecuencia Baja Amplifique El Tipo Epitaxial DeNpn Del Silicio Del Uso | Isahaya Electronics Corporation |
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