| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 56641 | 2SC6000 | Transistor de potencia para aplicaciones de conmutación de alta velocidad | TOSHIBA |
| 56642 | 2SC6012 | Dispositivo De Energía - Transistores De Energía - Television/Display | Panasonic |
| 56643 | 2SC6023 | Frecuencia ultraelevada planar epitaxial del transistordel silicio de NPN al amplificador del Bajo-Ruido de la venda de C y alos usos del OSCILADOR | SANYO |
| 56644 | 2SC6023 | Frecuencia ultraelevada planar epitaxial del transistordel silicio de NPN al amplificador del Bajo-Ruido de la venda de C y alos usos del OSCILADOR | SANYO |
| 56645 | 2SC6024 | Frecuencia ultraelevada al amplificador del Bajo-Ruido de la venda de C y a los usos del OSCILADOR | SANYO |
| 56646 | 2SC6024 | Frecuencia ultraelevada al amplificador del Bajo-Ruido de la venda de C y a los usos del OSCILADOR | SANYO |
| 56647 | 2SC6026CT | Transistor para la amplificación de pequeña señal de baja frecuencia | TOSHIBA |
| 56648 | 2SC6026MFV | Transistor para la amplificación de pequeña señal de baja frecuencia | TOSHIBA |
| 56649 | 2SC6033 | Tipo Epitaxial Del Silicio NPN Del Transistor de TOSHIBA | TOSHIBA |
| 56650 | 2SC6033 | Tipo Epitaxial Del Silicio NPN Del Transistor de TOSHIBA | TOSHIBA |
| 56651 | 2SC6036 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - General-utilice Amplifires de baja frecuencia | Panasonic |
| 56652 | 2SC6036G | Silicio NPN epitaxial tipo planar | Panasonic |
| 56653 | 2SC6037G | Silicio NPN epitaxial tipo planar | Panasonic |
| 56654 | 2SC6037J | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - General-utilice Amplifires de baja frecuencia | Panasonic |
| 56655 | 2SC6043 | Bipolar Transistor, 50V, 2A, baja VCE (sat) NPN Individual MP | ON Semiconductor |
| 56656 | 2SC6045 | Silicio NPN epitaxial tipo planar | Panasonic |
| 56657 | 2SC6045G | Silicio NPN epitaxial tipo planar | Panasonic |
| 56658 | 2SC6046 | Transistor NPN 200mW SMD, calificación máxima: 40V VCEO, 600mA Ic, de 100 a 300 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
| 56659 | 2SC605 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN | Unknow |
| 56660 | 2SC605 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN | Unknow |
| 56661 | 2SC6050 | Silicio NPN epitaxial tipo planar | Panasonic |
| 56662 | 2SC6054G | Silicio NPN epitaxial tipo planar | Panasonic |
| 56663 | 2SC6054J | Silicio NPN epitaxial tipo planar | Panasonic |
| 56664 | 2SC606 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN | Unknow |
| 56665 | 2SC606 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN | Unknow |
| 56666 | 2SC6061 | Transistor de potencia para aplicaciones de conmutación de alta velocidad | TOSHIBA |
| 56667 | 2SC607 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP/NPN | Unknow |
| 56668 | 2SC607 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP/NPN | Unknow |
| 56669 | 2SC6076 | Transistor de potencia para aplicaciones de conmutación de alta velocidad | TOSHIBA |
| 56670 | 2SC6078 | Transistor de potencia para aplicaciones de conmutación de alta velocidad | TOSHIBA |
| 56671 | 2SC6097 | Bipolar Transistor, 60V, 3A, baja VCE (sat), NPN Individual TP / TP-FA | ON Semiconductor |
| 56672 | 2SC6100 | Transistor para la amplificación de pequeña señal de baja frecuencia | TOSHIBA |
| 56673 | 2SC6102 | NPN Transistor bipolar de convertidores DC-DC | ON Semiconductor |
| 56674 | 2SC6124 | Transistor de potencia para aplicaciones de conmutación de alta velocidad | TOSHIBA |
| 56675 | 2SC6125 | Transistor de potencia para aplicaciones de conmutación de alta velocidad | TOSHIBA |
| 56676 | 2SC6126 | Transistor de potencia para aplicaciones de conmutación de alta velocidad | TOSHIBA |
| 56677 | 2SC6127 | Transistor de potencia para aplicaciones de conmutación de alta velocidad | TOSHIBA |
| 56678 | 2SC6133 | Transistor para la amplificación de pequeña señal de baja frecuencia | TOSHIBA |
| 56679 | 2SC6134 | Transistor para la amplificación de pequeña señal de baja frecuencia | TOSHIBA |
| 56680 | 2SC6135 | Transistor para la amplificación de pequeña señal de baja frecuencia | TOSHIBA |
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