| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 56681 | 2SC6140 | Transistor de potencia para aplicaciones de conmutación de alta velocidad | TOSHIBA |
| 56682 | 2SC6142 | Transistor de potencia para aplicaciones de conmutación de alta velocidad | TOSHIBA |
| 56683 | 2SC633SP | 2SC634SP | SONY |
| 56684 | 2SC633SP | 2SC634SP | SONY |
| 56685 | 2SC634SP | 2SC634SP | SONY |
| 56686 | 2SC634SP | 2SC634SP | SONY |
| 56687 | 2SC641 | PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO | Hitachi Semiconductor |
| 56688 | 2SC641 | PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO | Hitachi Semiconductor |
| 56689 | 2SC641K | PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO | Hitachi Semiconductor |
| 56690 | 2SC641K | PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO | Hitachi Semiconductor |
| 56691 | 2SC6465 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLE de NPN (REGULADOR de CONMUTACIÓN Y CONMUTACIÓN del ALTO VOLTAJE/USOS DE ALTA VELOCIDAD del CONVERTIDOR C.C.-C.C.) | TOSHIBA |
| 56692 | 2SC668SP | 2SC668SP | SANYO |
| 56693 | 2SC668SP | 2SC668SP | SANYO |
| 56694 | 2SC681 | ENERGÍA TRANSISTOR(Ã, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
| 56695 | 2SC681ARD | ENERGÍA TRANSISTOR(Ã, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
| 56696 | 2SC681AYL | ENERGÍA TRANSISTOR(Ã, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
| 56697 | 2SC697 | Planar Epitaxial Del Silicio NPN | TOSHIBA |
| 56698 | 2SC697 | Planar Epitaxial Del Silicio NPN | TOSHIBA |
| 56699 | 2SC697A | Planar Epitaxial Del Silicio NPN | TOSHIBA |
| 56700 | 2SC697A | Planar Epitaxial Del Silicio NPN | TOSHIBA |
| 56701 | 2SC7008 | PAQUETE GRABADO DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA PARA EL USO CON UNA MÁQUINA DE COLOCACIÓN AUTOMÁTICA | ROHM |
| 56702 | 2SC7008 | PAQUETE GRABADO DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA PARA EL USO CON UNA MÁQUINA DE COLOCACIÓN AUTOMÁTICA | ROHM |
| 56703 | 2SC717 | AMPLIFICADOR DEL VHF RF, MEZCLADOR, OSCILADOR | Unknow |
| 56704 | 2SC717 | AMPLIFICADOR DEL VHF RF, MEZCLADOR, OSCILADOR | Unknow |
| 56705 | 2SC730 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 56706 | 2SC732TM | TIPO EPITAXIAL DE NPN (USOS AUDIO DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO BAJO) | TOSHIBA |
| 56707 | 2SC741 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 56708 | 2SC752 | PROCESO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN TYPE(PCT DEL TRANSISTOR DE TOSHIBA) | TOSHIBA |
| 56709 | 2SC752(G)TM | Computadora ultra de alta velocidad epitaxial de los usos de la conmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso del PCT), usos contrarios | TOSHIBA |
| 56710 | 2SC752GTM | Computadora Ultra De alta velocidad De los Usos De la Conmutación, Usos Contrarios | TOSHIBA |
| 56711 | 2SC752GTM | Computadora Ultra De alta velocidad De los Usos De la Conmutación, Usos Contrarios | TOSHIBA |
| 56712 | 2SC752TM | Computadora Ultra De alta velocidad De los Usos De la Conmutación, Usos Contrarios | TOSHIBA |
| 56713 | 2SC752TM | Computadora Ultra De alta velocidad De los Usos De la Conmutación, Usos Contrarios | TOSHIBA |
| 56714 | 2SC756A | TRANSISTORES de la ESPECIFICACIÓN, diodos | Unknow |
| 56715 | 2SC756A | TRANSISTORES de la ESPECIFICACIÓN, diodos | Unknow |
| 56716 | 2SC781 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Unknow |
| 56717 | 2SC781 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Unknow |
| 56718 | 2SC790 | 2SC790 | TOSHIBA |
| 56719 | 2SC790 | 2SC790 | TOSHIBA |
| 56720 | 2SC799 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Unknow |
| | | |
