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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
567441IRF131N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Continua de drenaje 56A actual.General Electric Solid State
567442IRF13112A y 14A, 80V y 100V, 0.16 y 0.23 Ohm, N-Channel MOSFET de potenciaIntersil
567443IRF1310N100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
567444IRF1310NL100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262International Rectifier
567445IRF1310NS100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567446IRF1310NSTRL100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567447IRF1310NSTRR100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567448IRF1310S100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567449IRF131280V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
567450IRF1312L80V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262International Rectifier
567451IRF1312S80V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567452IRF1312STRL80V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567453IRF1312STRR80V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567454IRF132Energía Del N-Canal A MOSFETs/20/60-100 VFairchild Semiconductor
567455IRF132MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567456IRF132N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Continua de drenaje 48A actual.General Electric Solid State
567457IRF13212A y 14A, 80V y 100V, 0.16 y 0.23 Ohm, N-Channel MOSFET de potenciaIntersil
567458IRF133Energía Del N-Canal A MOSFETs/20/60-100 VFairchild Semiconductor
567459IRF133MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic



567460IRF133N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Continua de drenaje 48A actual.General Electric Solid State
567461IRF13312A y 14A, 80V y 100V, 0.16 y 0.23 Ohm, N-Channel MOSFET de potenciaIntersil
567462IRF140100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âeInternational Rectifier
567463IRF140Mosfet de la ENERGÍA Del N-canalSemeLAB
567464IRF140Energía A MOSFETs/27/60-100V Del N-CanalFairchild Semiconductor
567465IRF140Mosfet De la Energía De 2Å/De 100V/0,077 Ohmios/N-CanalIntersil
567466IRF140MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567467IRF140-143Energía A MOSFETs/27/60-100V Del N-CanalFairchild Semiconductor
567468IRF140440V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
567469IRF1404L40V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262International Rectifier
567470IRF1404LPBF40V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262International Rectifier
567471IRF1404PBF40V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
567472IRF1404S40V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567473IRF1404SPBF40V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567474IRF1404STRL40V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567475IRF1404STRR40V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567476IRF1404Z40V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
567477IRF1404ZL40V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262International Rectifier
567478IRF1404ZS40V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567479IRF140555V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
567480IRF1405L55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262International Rectifier
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