| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 567521 | IRF153 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567522 | IRF153 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 33A. | General Electric Solid State |
| 567523 | IRF153 | 33A y 40A, 60V y 100V, 0,055 y 0,08 Ohm, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
| 567524 | IRF1607 | 75V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567525 | IRF1704 | Energía MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A.?/td > |
| 8029 | IRF2907ZS-7PPBF | International Rectifier |
| 567526 | IRF1704 | Energía MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A.?/td > |
| 8029 | IRF2907ZS-7PPBF | International Rectifier |
| 567527 | IRF1730G | Energía MOSFET(Vdss=400V/Rds(on)=1.0ohm/Id=3.7A) | International Rectifier |
| 567528 | IRF1902 | 20V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 567529 | IRF1902TR | 20V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 567530 | IRF200 | 50W al ALUMINIO FORMADO PLANO de los RESISTORES de la HERIDA del ALAMBRE de la ALTA ENERGÍA 500W CONTUVO | etc |
| 567531 | IRF200 | 50W al ALUMINIO FORMADO PLANO de los RESISTORES de la HERIDA del ALAMBRE de la ALTA ENERGÍA 500W CONTUVO | etc |
| 567532 | IRF200S100RJ | 50W al ALUMINIO FORMADO PLANO de los RESISTORES de la HERIDA del ALAMBRE de la ALTA ENERGÍA 500W CONTUVO | etc |
| 567533 | IRF200S100RJ | 50W al ALUMINIO FORMADO PLANO de los RESISTORES de la HERIDA del ALAMBRE de la ALTA ENERGÍA 500W CONTUVO | etc |
| 567534 | IRF220 | MOSFETs/7A/150-200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567535 | IRF220 | 4.0A y 5.0A/150V y 200V/mOSFETs de la energía de 0,8 y 1,2 ohmios/N-Canal | Intersil |
| 567536 | IRF220 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567537 | IRF220 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5,0 A. | General Electric Solid State |
| 567538 | IRF220-223 | MOSFETs/7A/150-200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567539 | IRF2204 | 40V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567540 | IRF2204L | 40V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
| 567541 | IRF2204S | 40V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567542 | IRF221 | MOSFETs/7A/150-200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567543 | IRF221 | 4.0A y 5.0A/150V y 200V/mOSFETs de la energía de 0,8 y 1,2 ohmios/N-Canal | Intersil |
| 567544 | IRF221 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567545 | IRF221 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5,0 A. | General Electric Solid State |
| 567546 | IRF222 | MOSFETs/7A/150-200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567547 | IRF222 | 4.0A y 5.0A/150V y 200V/mOSFETs de la energía de 0,8 y 1,2 ohmios/N-Canal | Intersil |
| 567548 | IRF222 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567549 | IRF222 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567550 | IRF223 | MOSFETs/7A/150-200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567551 | IRF223 | 4.0A y 5.0A/150V y 200V/mOSFETs de la energía de 0,8 y 1,2 ohmios/N-Canal | Intersil |
| 567552 | IRF223 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567553 | IRF223 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567554 | IRF224 | (IRF225) Transistores de HEXFET | International Rectifier |
| 567555 | IRF230 | 200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âa | International Rectifier |
| 567556 | IRF230 | Mosfet DE ALTO VOLTAJE de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canal | SemeLAB |
| 567557 | IRF230 | MOSFETs/1À/150-200 V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567558 | IRF230 | 8.0A y 9.0A/150V y 200V/mOSFETs de la energía de 0,4 y 0,6 ohmios/N-Canal | Intersil |
| 567559 | IRF230 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567560 | IRF230 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 9.0a. | General Electric Solid State |
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