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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
567681IRF330-333MOSFETs/5.Ä/350 V/400V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
567682IRF330555V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
567683IRF331MOSFETs/5.Ä/350 V/400V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
567684IRF331MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567685IRF331N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5.5A.General Electric Solid State
567686IRF3314,5 A y 5.5A, 350V y 400V, 1,0 y 1,5 ohmios, N-Channel MOSFET de potenciaIntersil
567687IRF3315150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
567688IRF3315L150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262International Rectifier
567689IRF3315PBF150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
567690IRF3315S150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567691IRF3315STRL150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567692IRF3315STRR150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567693IRF332MOSFETs/5.Ä/350 V/400V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
567694IRF332MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567695IRF332N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4,5 A.General Electric Solid State
567696IRF3324,5 A y 5.5A, 350V y 400V, 1,0 y 1,5 ohmios, N-Channel MOSFET de potenciaIntersil
567697IRF333MOSFETs/5.Ä/350 V/400V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
567698IRF333MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567699IRF333N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4,5 A.General Electric Solid State



567700IRF3334,5 A y 5.5A, 350V y 400V, 1,0 y 1,5 ohmios, N-Channel MOSFET de potenciaIntersil
567701IRF340400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âaInternational Rectifier
567702IRF340MOSFETs/10A/350V/400V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
567703IRF340MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567704IRF34010A y 8.3A, 400V y 350V, 0.55 y 0.80 Ohm, N-Channel MOSFET de potenciaIntersil
567705IRF340-343MOSFETs/10A/350V/400V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
567706IRF341MOSFETs/10A/350V/400V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
567707IRF341MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567708IRF3415150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
567709IRF3415L150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262International Rectifier
567710IRF3415LPBF150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262International Rectifier
567711IRF3415PBF150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
567712IRF3415S150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567713IRF3415SPBF150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567714IRF3415STRL150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567715IRF3415STRR150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567716IRF341IRF34210A y 8.3A, 400V y 350V, 0.55 y 0.80 Ohm, N-Channel MOSFET de potenciaIntersil
567717IRF342MOSFETs/10A/350V/400V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
567718IRF342MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567719IRF343MOSFETs/10A/350V/400V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
567720IRF343MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
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