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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
568161IRF614BMosfet Del N-Canal 250VFairchild Semiconductor
568162IRF614B_FP001B-b-fet del N-Canal 250V/substituto del & IRF614; IRF61ÂFairchild Semiconductor
568163IRF614PBF250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
568164IRF614S250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
568165IRF6150-20V se doblan MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de 16-Lead FlipFETInternational Rectifier
568166IRF615620V se doblan MOSFET N-Bidireccional de la energía de HEXFET en un 6-Lead FlipFETInternational Rectifier
568167IRF6205.0A, 200V, 0,800 Ohmios, Mosfet De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
568168IRF620VIEJO PRODUCT:NOT CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enST Microelectronics
568169IRF620200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
568170IRF620N - TRANSISTORES Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
568171IRF620TRANSISTORES del MOS de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canalSGS Thomson Microelectronics
568172IRF620Mosfet De la Energía De 5.0A/De 200V/0,800 Ohmios/N-CanalIntersil
568173IRF620N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5,0 A.General Electric Solid State
568174IRF620BMosfet Del N-Canal 200VFairchild Semiconductor
568175IRF620B_FP001B-b-fet del N-Canal 200V/substituto del & IRF620; IRF620AFairchild Semiconductor
568176IRF620FIVIEJO PRODUCT:NOT CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enST Microelectronics
568177IRF620FITRANSISTORES del MOS de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canalSGS Thomson Microelectronics
568178IRF620FIN - TRANSISTORES Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
568179IRF620PBF200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier



568180IRF620S200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
568181IRF620STRL200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
568182IRF620STRR200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
568183IRF621MOSFETs/7A/150-200V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
568184IRF621N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5,0 A.General Electric Solid State
568185IRF6215-150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
568186IRF6215L-150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete To-262International Rectifier
568187IRF6215PBF-150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
568188IRF6215S-150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
568189IRF6215STRL-150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
568190IRF6215STRR-150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
568191IRF6216-150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8International Rectifier
568192IRF6216TR-150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8International Rectifier
568193IRF6217-150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8International Rectifier
568194IRF6217TR-150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8International Rectifier
568195IRF6218-150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
568196IRF6218L-150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete To-262International Rectifier
568197IRF6218S-150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2PakInternational Rectifier
568198IRF622MOSFETs/7A/150-200V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
568199IRF622N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4.0A.General Electric Solid State
568200IRF623MOSFETs/7A/150-200V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
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