Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
568161 | IRF614B | Mosfet Del N-Canal 250V | Fairchild Semiconductor |
568162 | IRF614B_FP001 | B-b-fet del N-Canal 250V/substituto del & IRF614; IRF61Â | Fairchild Semiconductor |
568163 | IRF614PBF | 250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
568164 | IRF614S | 250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568165 | IRF6150 | -20V se doblan MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de 16-Lead FlipFET | International Rectifier |
568166 | IRF6156 | 20V se doblan MOSFET N-Bidireccional de la energía de HEXFET en un 6-Lead FlipFET | International Rectifier |
568167 | IRF620 | 5.0A, 200V, 0,800 Ohmios, Mosfet De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
568168 | IRF620 | VIEJO PRODUCT:NOT CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
568169 | IRF620 | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
568170 | IRF620 | N - TRANSISTORES Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
568171 | IRF620 | TRANSISTORES del MOS de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canal | SGS Thomson Microelectronics |
568172 | IRF620 | Mosfet De la Energía De 5.0A/De 200V/0,800 Ohmios/N-Canal | Intersil |
568173 | IRF620 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5,0 A. | General Electric Solid State |
568174 | IRF620B | Mosfet Del N-Canal 200V | Fairchild Semiconductor |
568175 | IRF620B_FP001 | B-b-fet del N-Canal 200V/substituto del & IRF620; IRF620A | Fairchild Semiconductor |
568176 | IRF620FI | VIEJO PRODUCT:NOT CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
568177 | IRF620FI | TRANSISTORES del MOS de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canal | SGS Thomson Microelectronics |
568178 | IRF620FI | N - TRANSISTORES Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
568179 | IRF620PBF | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
568180 | IRF620S | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568181 | IRF620STRL | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568182 | IRF620STRR | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568183 | IRF621 | MOSFETs/7A/150-200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
568184 | IRF621 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5,0 A. | General Electric Solid State |
568185 | IRF6215 | -150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
568186 | IRF6215L | -150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
568187 | IRF6215PBF | -150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
568188 | IRF6215S | -150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568189 | IRF6215STRL | -150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568190 | IRF6215STRR | -150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568191 | IRF6216 | -150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
568192 | IRF6216TR | -150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
568193 | IRF6217 | -150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
568194 | IRF6217TR | -150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
568195 | IRF6218 | -150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
568196 | IRF6218L | -150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
568197 | IRF6218S | -150V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2Pak | International Rectifier |
568198 | IRF622 | MOSFETs/7A/150-200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
568199 | IRF622 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
568200 | IRF623 | MOSFETs/7A/150-200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
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