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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
568321IRF644STRR250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
568322IRF6461Â, 275V, 0,280 Ohmios, Mosfet De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
568323IRF646Mosfet De la Energía Del 1Â/275V/0,280 Ohmios/N-CanalIntersil
568324IRF650Mosfet Del N-Canal 200VFairchild Semiconductor
568325IRF650BMosfet Del N-Canal 200VFairchild Semiconductor
568326IRF650B_FP001B-b-fet del N-Canal 200V/substituto de IRF650AFairchild Semiconductor
568327IRF654Mosfet Del N-Canal 250VFairchild Semiconductor
568328IRF654BMosfet Del N-Canal 250VFairchild Semiconductor
568329IRF654B_FP001B-b-fet del N-Canal 250V/substituto de IRF65ÂFairchild Semiconductor
568330IRF660120V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de DirectFETInternational Rectifier
568331IRF660220V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de DirectFETInternational Rectifier
568332IRF6602TR1Mosfet De la Energía de HEXFETInternational Rectifier
568333IRF6602TR1Mosfet De la Energía de HEXFETInternational Rectifier
568334IRF660330V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de DirectFETInternational Rectifier
568335IRF660430V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de DirectFETInternational Rectifier
568336IRF660730V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de DirectFETInternational Rectifier
568337IRF6607TR1Mosfet De la EnergíaInternational Rectifier
568338IRF660830V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de DirectFETInternational Rectifier
568339IRF660920V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de DirectFETInternational Rectifier



568340IRF6609TR120V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de DirectFETInternational Rectifier
568341IRF6610Tecnología del silicio del MOSFET de la energía de HEXFET con el DirectFETTM avanzadoInternational Rectifier
568342IRF6610Tecnología del silicio del MOSFET de la energía de HEXFET con el DirectFETTM avanzadoInternational Rectifier
568343IRF6611Mosfet De la Energía De DirectFETInternational Rectifier
568344IRF6611Mosfet De la Energía De DirectFETInternational Rectifier
568345IRF661230V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de DirectFETInternational Rectifier
568346IRF6612TR1Mosfet De la Energía de HEXFETInternational Rectifier
568347IRF6613Mosfet De la Energía de HEXFETInternational Rectifier
568348IRF6614Mosfet De la Energía De DirectFETInternational Rectifier
568349IRF6614Mosfet De la Energía De DirectFETInternational Rectifier
568350IRF661730V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de DirectFETInternational Rectifier
568351IRF6617TR1Mosfet De la Energía de HEXFETInternational Rectifier
568352IRF661830V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de DirectFETInternational Rectifier
568353IRF6618TR130V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de DirectFETInternational Rectifier
568354IRF6619Mosfet De la Energía De DirectFETInternational Rectifier
568355IRF6619Mosfet De la Energía De DirectFETInternational Rectifier
568356IRF662020V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de DirectFETInternational Rectifier
568357IRF6620TR120V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de DirectFETInternational Rectifier
568358IRF6621El IRF6621 combina la tecnología más última del silicio del MOSFET de la energía de HEXFET con el DirectFET avanzado que empaqueta para alcanzar la resistencia más baja del en-estadoInternational Rectifier
568359IRF6621El IRF6621 combina la tecnología más última del silicio del MOSFET de la energía de HEXFET con el DirectFET avanzado que empaqueta para alcanzar la resistencia más baja del en-estadoInternational Rectifier
568360IRF662320V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de DirectFETInternational Rectifier
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