| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 568841 | IRF820S | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568842 | IRF820STRL | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568843 | IRF820STRR | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568844 | IRF821 | Puerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-canal TMOS | Motorola |
| 568845 | IRF821 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 568846 | IRF821 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 568847 | IRF821 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 450V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 568848 | IRF821 | MOSFET de canal N, 450V, 2.5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568849 | IRF821FI | MOSFET de canal N, 450V, 2.0A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568850 | IRF822 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 568851 | IRF822 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 568852 | IRF822 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 500V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 568853 | IRF822 | N-canal de modo de mejora transistor MOS de potencia, 500V, 2.8A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568854 | IRF822FI | ENERGÍA MOSTRANSISTORS Del MODO Del REALCE Del CANAL De N | ST Microelectronics |
| 568855 | IRF822FI | ENERGÍA MOSTRANSISTORS Del MODO Del REALCE Del CANAL De N | ST Microelectronics |
| 568856 | IRF822FI | N-canal de modo de mejora transistor MOS de potencia, 500 V, 1,9 A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568857 | IRF823 | Puerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-canal TMOS | Motorola |
| 568858 | IRF823 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 568859 | IRF823 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 568860 | IRF823 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 450V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 568861 | IRF823 | MOSFET de canal N, 450V, 2.2A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568862 | IRF823FI | MOSFET de canal N, 450V, 1.5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568863 | IRF82FI | ENERGÍA MOSTRANSISTORS Del MODO Del REALCE Del CANAL De N | ST Microelectronics |
| 568864 | IRF82FI | ENERGÍA MOSTRANSISTORS Del MODO Del REALCE Del CANAL De N | ST Microelectronics |
| 568865 | IRF830 | 4.Ä, 500V, 1,500 Ohmios, Mosfet De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568866 | IRF830 | N-canal 500V - 1,35 OHMIOS - 4.Ä - Mosfet De To-220 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 568867 | IRF830 | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 568868 | IRF830 | MOSFET DE LA ENERGÍA | BayLinear |
| 568869 | IRF830 | N - CANAL 500V - 1.35W - 4.Ä - Mosfet De To-220 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 568870 | IRF830 | Energía de la avalancha del transistor de PowerMOS clasificada | Philips |
| 568871 | IRF830 | Mosfet De la Energía De 4.Ä/De 500V/1,500 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 568872 | IRF830 | MODO del REALCE Del N-canal | TRSYS |
| 568873 | IRF830 | Poder transistor de efecto campo | ON Semiconductor |
| 568874 | IRF830 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 500V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4,5 A. | General Electric Solid State |
| 568875 | IRF830 | 500 V, potencia transistor de efecto de campo | TRANSYS Electronics Limited |
| 568876 | IRF830-D | Puerta De Silicio Del Modo Del Realce Del N-Canal Del Transistor De Efecto De Campo De la Energía TMOS | ON Semiconductor |
| 568877 | IRF830A | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 568878 | IRF830AL | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
| 568879 | IRF830APBF | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 568880 | IRF830AS | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
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