| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 58961 | 2SJ0536 | Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs del MOS | Panasonic |
| 58962 | 2SJ0536G | El silicio de canal P MOSFET | Panasonic |
| 58963 | 2SJ0582 | Dispositivo De Energía - FETs del MOS De la Energía | Panasonic |
| 58964 | 2SJ0672 | Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs del MOS | Panasonic |
| 58965 | 2SJ0674 | Silicio P-MOS FET de canal | Panasonic |
| 58966 | 2SJ0674G | Silicio P-MOS FET de canal | Panasonic |
| 58967 | 2SJ0675 | El silicio de canal P MOSFET | Panasonic |
| 58968 | 2SJ103 | Tipo de la ensambladura del canal del silicio P del transistor de efecto de campo para el amplificador audio, el interruptor análogo, la corriente constante y los usos del convertidor de la impedancia | TOSHIBA |
| 58969 | 2SJ104 | Tipo de la ensambladura del canal del silicio P del transistor de efecto de campo para el amplificador audio, el interruptor análogo, la corriente constante y los usos del convertidor de la impedancia | TOSHIBA |
| 58970 | 2SJ105 | Tipo de la ensambladura del canal del silicio P del transistor de efecto de campo para el amplificador audio, el interruptor análogo, la corriente constante y los usos del convertidor de la impedancia | TOSHIBA |
| 58971 | 2SJ106 | Usos Actuales Constantes Del Convertidor De la Impedancia De los Usos De los Usos Análogos Del Interruptor De los Usos Del Amplificador De la Frecuencia Audio Del Tipo De la Ensambladura Del Canal Del Silicio P Del Transistor De Efecto De | TOSHIBA |
| 58972 | 2SJ107 | Tipo de la ensambladura del canal del silicio P del transistor de efecto de campo para el amplificador audio, el interruptor análogo, la corriente constante y los usos del convertidor de la impedancia | TOSHIBA |
| 58973 | 2SJ108 | Usos Audio Del Amplificador Del Ruido Bajo Del Tipo De la Ensambladura Del Canal Del Silicio P Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
| 58974 | 2SJ109 | TIPO De la ENSAMBLADURA De P CAHNNEL (USOS Del AMPLIFICADOR AUDIO Del RUIDO BAJO/Del AMPLIFICADOR DIFERENCIADO) | TOSHIBA |
| 58975 | 2SJ113 | FET DEL MOS DEL SILICIO P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 58976 | 2SJ113 | FET DEL MOS DEL SILICIO P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 58977 | 2SJ115 | FET DEL MOS DEL SILICIO P-CHANNEL | Unknow |
| 58978 | 2SJ115 | FET DEL MOS DEL SILICIO P-CHANNEL | Unknow |
| 58979 | 2SJ116 | FET DEL MOS DEL SILICIO P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 58980 | 2SJ116 | FET DEL MOS DEL SILICIO P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 58981 | 2SJ117 | Fet del MOS Del P-Canal Del Silicio | Hitachi Semiconductor |
| 58982 | 2SJ118 | FET DEL MOS DEL SILICIO P-CHANNEL | Unknow |
| 58983 | 2SJ118 | FET DEL MOS DEL SILICIO P-CHANNEL | Unknow |
| 58984 | 2SJ119 | FET DEL MOS DEL SILICIO P-CHANNEL | Unknow |
| 58985 | 2SJ119 | FET DEL MOS DEL SILICIO P-CHANNEL | Unknow |
| 58986 | 2SJ125 | 150mW SMD J-FET (transistor de efecto de campo), la calificación máxima: 50V Vgdo, -10mA Ig, -1 a -12 mA Idss. | Isahaya Electronics Corporation |
| 58987 | 2SJ128 | Transistor de energía del efecto del campo eléctrico del MOS | NEC |
| 58988 | 2SJ128-Z | Transistor de energía del efecto del campo eléctrico del MOS | NEC |
| 58989 | 2SJ130 | Fet del MOS Del P-Canal Del Silicio | Hitachi Semiconductor |
| 58990 | 2SJ130(L) | MOSFET de potencia de conmutación | Hitachi Semiconductor |
| 58991 | 2SJ130(L)/(S) | Fet del MOS Del P-Canal Del Silicio | Hitachi Semiconductor |
| 58992 | 2SJ130(S) | MOSFET de potencia de conmutación | Hitachi Semiconductor |
| 58993 | 2SJ130L | Fet del MOS Del P-Canal Del Silicio | Hitachi Semiconductor |
| 58994 | 2SJ130L | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 58995 | 2SJ130S | Fet del MOS Del P-Canal Del Silicio | Hitachi Semiconductor |
| 58996 | 2SJ130S | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 58997 | 2SJ132 | Transistor de energía del efecto del campo eléctrico del MOS | NEC |
| 58998 | 2SJ132-Z | Transistor de energía del efecto del campo eléctrico del MOS | NEC |
| 58999 | 2SJ133 | Transistor de energía del efecto del campo eléctrico del MOS | NEC |
| 59000 | 2SJ133-Z | Transistor de energía del efecto del campo eléctrico del MOS | NEC |
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