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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
598761K4D553238F-JC2A256CMbit GDDR SDRAMSamsung Electronic
598762K4D553238F-JC33256CMbit GDDR SDRAMSamsung Electronic
598763K4D553238F-JC36256CMbit GDDR SDRAMSamsung Electronic
598764K4D553238F-JC40256CMbit GDDR SDRAMSamsung Electronic
598765K4D553238F-JC50256CMbit GDDR SDRAMSamsung Electronic
598766K4D623237512K x 32Bit x 4 bancos doblan la hoja de datos síncrona de la COPITA de la tarifa de datosSamsung Electronic
598767K4D623238B-G(Q)C512K x 32Bit x 4 bancos doblan datos ampliados wi síncrono del ESPOLÓN de la tarifa de datos fuera de la hoja de datosSamsung Electronic
598768K4D623238B-GC64CMbit DDR SDRAMSamsung Electronic
598769K4D623238B-GC/L3364CMbit DDR SDRAMSamsung Electronic
598770K4D623238B-GC/L4064CMbit DDR SDRAMSamsung Electronic
598771K4D623238B-GC/L4564CMbit DDR SDRAMSamsung Electronic
598772K4D623238B-GC/L5064CMbit DDR SDRAMSamsung Electronic
598773K4D623238B-GC/L5564CMbit DDR SDRAMSamsung Electronic
598774K4D623238B-GC/L6064CMbit DDR SDRAMSamsung Electronic
598775K4D64163HFel 1M x 16Bit x 4 bancos dobla COPITA síncrona de la tarifa de datosSamsung Electronic
598776K4D64163HF-TC33el 1M x 16Bit x 4 bancos dobla COPITA síncrona de la tarifa de datosSamsung Electronic
598777K4D64163HF-TC36el 1M x 16Bit x 4 bancos dobla COPITA síncrona de la tarifa de datosSamsung Electronic
598778K4D64163HF-TC40el 1M x 16Bit x 4 bancos dobla COPITA síncrona de la tarifa de datosSamsung Electronic
598779K4D64163HF-TC50el 1M x 16Bit x 4 bancos dobla COPITA síncrona de la tarifa de datosSamsung Electronic
598780K4D64163HF-TC60el 1M x 16Bit x 4 bancos dobla COPITA síncrona de la tarifa de datosSamsung Electronic



598781K4E151611ESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
598782K4E151611DESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
598783K4E151611D-J1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 5V Tensión de alimentación, 1K ciclo de actualización.Samsung Electronic
598784K4E151611D-T1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 5V Tensión de alimentación, 1K ciclo de actualización.Samsung Electronic
598785K4E151612DESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
598786K4E151612D-J1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización de 1K.Samsung Electronic
598787K4E151612D-T1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización de 1K.Samsung Electronic
598788K4E16(7)0411(2)DESPOLÓN dinámico de los 4M x 4Bit Cmos con datos extendidos fuera de la hoja de datosSamsung Electronic
598789K4E16(7)0811(2)DESPOLÓN dinámico de los 2M x 8Bit Cmos con datos extendidos fuera de la hoja de datosSamsung Electronic
598790K4E160411DESPOLÓN dinámico de los 4M x 4Bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
598791K4E160411D-B4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 5V Tensión de alimentación, 2K ciclo de actualización.Samsung Electronic
598792K4E160411D-F4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 5V Tensión de alimentación, 2K ciclo de actualización.Samsung Electronic
598793K4E160412DESPOLÓN dinámico de los 4M x 4Bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
598794K4E160412D-B4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización de 2K.Samsung Electronic
598795K4E160412D-F4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización de 2K.Samsung Electronic
598796K4E160811DESPOLÓN dinámico de los 2M x 8Bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
598797K4E160811D-B2M x 8 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 5V Tensión de alimentación, 2K ciclo de actualización.Samsung Electronic
598798K4E160811D-F2M x 8 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 5V Tensión de alimentación, 2K ciclo de actualización.Samsung Electronic
598799K4E160812DESPOLÓN dinámico de los 2M x 8Bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
598800K4E160812D-B2M x 8 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización de 2K.Samsung Electronic
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