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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
598812SK1085-MMos-fet Del N-canalFuji Electric
598822SK1086Mosfet de la ENERGÍA del SILICIO Del N-canalFuji Electric
598832SK1086-MRMosfet de la ENERGÍA del SILICIO Del N-canalFuji Electric
598842SK1087Mosfet de la ENERGÍA del SILICIO Del N-canalFuji Electric
598852SK1087-MRMosfet de la ENERGÍA del SILICIO Del N-canalFuji Electric
598862SK1088Mos-fet Del N-canalFuji Electric
598872SK1088-MMos-fet Del N-canalFuji Electric
598882SK1089Mos-fet Del N-canalFuji Electric
598892SK1093Fet del MOS Del N-Canal Del SilicioHitachi Semiconductor
598902SK1093Fet del MOS Del N-Canal Del SilicioHitachi Semiconductor
598912SK1094Fet del MOS Del N-Canal Del SilicioHitachi Semiconductor
598922SK1094Fet del MOS Del N-Canal Del SilicioHitachi Semiconductor
598932SK1095Fet del MOS Del N-Canal Del SilicioHitachi Semiconductor
598942SK1095Fet del MOS Del N-Canal Del SilicioHitachi Semiconductor
598952SK1096-MRMosfet de la ENERGÍA del SILICIO Del N-canalFuji Electric
598962SK1098-MMos-fet Del N-canalFuji Electric
598972SK1099Mos-fet de la ENERGÍA del SILICIO Del N-canalUnknow
598982SK1099Mos-fet de la ENERGÍA del SILICIO Del N-canalUnknow
598992SK1101Mos-fet de la ENERGÍA del SILICIO Del N-canalFuji Electric



599002SK1101Mos-fet de la ENERGÍA del SILICIO Del N-canalFuji Electric
599012SK1101MRMos-fet de la ENERGÍA del SILICIO Del N-canalFuji Electric
599022SK1101MRMos-fet de la ENERGÍA del SILICIO Del N-canalFuji Electric
599032SK1101MRMos-fet de la ENERGÍA del SILICIO Del N-canalFuji Electric
599042SK1101MRMos-fet de la ENERGÍA del SILICIO Del N-canalFuji Electric
599052SK1102Mos-fet de la ENERGÍA del SILICIO Del N-canalFuji Electric
599062SK1102Mos-fet de la ENERGÍA del SILICIO Del N-canalFuji Electric
599072SK1103Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs de la ensambladuraPanasonic
599082SK1104Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs de la ensambladuraPanasonic
599092SK1109TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LA ENSAMBLADURA DEL SILICIO DE N-CHANNEL PARA EL CONVERTIDOR DE LA IMPEDANCIA DEL ECMNEC
599102SK1109TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LA ENSAMBLADURA DEL SILICIO DE N-CHANNEL PARA EL CONVERTIDOR DE LA IMPEDANCIA DEL ECMNEC
599112SK11132SK1113TOSHIBA
599122SK11132SK1113TOSHIBA
599132SK11172SK1117Unknow
599142SK11172SK1117Unknow
599152SK1117V (DSS): 600V; V (DGR): 600V; V (GSS): + -20V; I (d): 6A; P (d): 100W; n-MOS IITOSHIBA
599162SK1118N acanala MOS impulsión de alta velocidad/arriba actual de Type(for del convertidor C.C.-C.C./del relais y zambullidor del motor)TOSHIBA
599172SK1119El convertidor y el motor del DC de la C.C. del tipo del MOS del canal del silicio N del transistor de efecto de campo (pi-MOSII -5) conducen usosTOSHIBA
599182SK1120El convertidor y el motor del DC de la C.C. del tipo del MOS del canal del silicio N del transistor de efecto de campo (pi-MOSII -5) conducen usosTOSHIBA
599192SK1122USO INDUSTRIAL del Fet del MOS de la ENERGÍA Del N-canal de la CONMUTACIÓNNEC
599202SK1123USO INDUSTRIAL del Fet del MOS de la ENERGÍA Del N-canal de la CONMUTACIÓNNEC
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