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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
610361KM416C1004CJ-L55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610362KM416C1004CJ-L65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610363KM416C1004CJL-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
610364KM416C1004CJL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
610365KM416C1004CJL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
610366KM416C1004CT-455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
610367KM416C1004CT-55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610368KM416C1004CT-65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610369KM416C1004CT-L455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
610370KM416C1004CT-L55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610371KM416C1004CT-L65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610372KM416C1004CTL-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
610373KM416C1004CTL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
610374KM416C1004CTL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
610375KM416C1200BESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
610376KM416C1200BJ-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
610377KM416C1200BJ-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
610378KM416C1200BJ-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
610379KM416C1200BJL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic



610380KM416C1200BJL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
610381KM416C1200BJL-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
610382KM416C1200BT-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
610383KM416C1200BT-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
610384KM416C1200BT-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
610385KM416C1200BTL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
610386KM416C1200BTL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
610387KM416C1200BTL-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
610388KM416C1200CESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
610389KM416C1200CJ-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
610390KM416C1200CJ-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
610391KM416C1200CJL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
610392KM416C1200CJL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
610393KM416C1200CT-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
610394KM416C1200CT-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
610395KM416C1200CTL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
610396KM416C1200CTL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
610397KM416C1204BJ-455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
610398KM416C1204BJ-55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610399KM416C1204BJ-65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610400KM416C1204BJ-75V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
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