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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
610401KM416C1204BJ-L455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
610402KM416C1204BJ-L55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610403KM416C1204BJ-L65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610404KM416C1204BJ-L75V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
610405KM416C1204BT-455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
610406KM416C1204BT-55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610407KM416C1204BT-65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610408KM416C1204BT-75V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
610409KM416C1204BT-L455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
610410KM416C1204BT-L55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610411KM416C1204BT-L65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610412KM416C1204BT-L75V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
610413KM416C1204CESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
610414KM416C1204CJ-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 16 msSamsung Electronic
610415KM416C1204CJ-55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610416KM416C1204CJ-501M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 16 msSamsung Electronic
610417KM416C1204CJ-65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610418KM416C1204CJ-601M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 16 msSamsung Electronic
610419KM416C1204CJ-L455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic



610420KM416C1204CJ-L55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610421KM416C1204CJ-L65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610422KM416C1204CJL-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
610423KM416C1204CJL-501M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
610424KM416C1204CJL-601M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
610425KM416C1204CT-455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
610426KM416C1204CT-55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610427KM416C1204CT-501M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 16 msSamsung Electronic
610428KM416C1204CT-65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610429KM416C1204CT-601M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 16 msSamsung Electronic
610430KM416C1204CT-L455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
610431KM416C1204CT-L55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610432KM416C1204CT-L65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610433KM416C1204CTL-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
610434KM416C1204CTL-501M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
610435KM416C1204CTL-601M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
610436KM416C254DESPOLÓN dinámico de 256K x de 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
610437KM416C254DJ-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 50ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
610438KM416C254DJ-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 60ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
610439KM416C254DJ-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 70ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
610440KM416C254DJL-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 50ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
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