Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
610401 | KM416C1204BJ-L45 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45ns | Samsung Electronic |
610402 | KM416C1204BJ-L5 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50ns | Samsung Electronic |
610403 | KM416C1204BJ-L6 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60ns | Samsung Electronic |
610404 | KM416C1204BJ-L7 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70ns | Samsung Electronic |
610405 | KM416C1204BT-45 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45ns | Samsung Electronic |
610406 | KM416C1204BT-5 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50ns | Samsung Electronic |
610407 | KM416C1204BT-6 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60ns | Samsung Electronic |
610408 | KM416C1204BT-7 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70ns | Samsung Electronic |
610409 | KM416C1204BT-L45 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45ns | Samsung Electronic |
610410 | KM416C1204BT-L5 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50ns | Samsung Electronic |
610411 | KM416C1204BT-L6 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60ns | Samsung Electronic |
610412 | KM416C1204BT-L7 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70ns | Samsung Electronic |
610413 | KM416C1204C | ESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
610414 | KM416C1204CJ-45 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 16 ms | Samsung Electronic |
610415 | KM416C1204CJ-5 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50ns | Samsung Electronic |
610416 | KM416C1204CJ-50 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 16 ms | Samsung Electronic |
610417 | KM416C1204CJ-6 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60ns | Samsung Electronic |
610418 | KM416C1204CJ-60 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 16 ms | Samsung Electronic |
610419 | KM416C1204CJ-L45 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45ns | Samsung Electronic |
610420 | KM416C1204CJ-L5 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50ns | Samsung Electronic |
610421 | KM416C1204CJ-L6 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60ns | Samsung Electronic |
610422 | KM416C1204CJL-45 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 5.0V, auto-actualización | Samsung Electronic |
610423 | KM416C1204CJL-50 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 5.0V, auto-actualización | Samsung Electronic |
610424 | KM416C1204CJL-60 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 5.0V, auto-actualización | Samsung Electronic |
610425 | KM416C1204CT-45 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45ns | Samsung Electronic |
610426 | KM416C1204CT-5 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50ns | Samsung Electronic |
610427 | KM416C1204CT-50 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 16 ms | Samsung Electronic |
610428 | KM416C1204CT-6 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60ns | Samsung Electronic |
610429 | KM416C1204CT-60 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 16 ms | Samsung Electronic |
610430 | KM416C1204CT-L45 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45ns | Samsung Electronic |
610431 | KM416C1204CT-L5 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50ns | Samsung Electronic |
610432 | KM416C1204CT-L6 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60ns | Samsung Electronic |
610433 | KM416C1204CTL-45 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 5.0V, auto-actualización | Samsung Electronic |
610434 | KM416C1204CTL-50 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 5.0V, auto-actualización | Samsung Electronic |
610435 | KM416C1204CTL-60 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 5.0V, auto-actualización | Samsung Electronic |
610436 | KM416C254D | ESPOLÓN dinámico de 256K x de 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
610437 | KM416C254DJ-5 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 50ns, 8ms período de refresco | Samsung Electronic |
610438 | KM416C254DJ-6 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 60ns, 8ms período de refresco | Samsung Electronic |
610439 | KM416C254DJ-7 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 70ns, 8ms período de refresco | Samsung Electronic |
610440 | KM416C254DJL-5 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 50ns, la auto-actualización | Samsung Electronic |
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