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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
610881KM432S2030CT-G102M x 32 SDRAM 512K x 32bit x COPITA síncrona LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
610882KM432S2030CT-G62M x 32 SDRAM 512K x 32bit x COPITA síncrona LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
610883KM432S2030CT-G72M x 32 SDRAM 512K x 32bit x COPITA síncrona LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
610884KM432S2030CT-G82M x 32 SDRAM 512K x 32bit x COPITA síncrona LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
610885KM4470Bajo Costo, +2.7V Y +5V, Amplificadores Del Carril-a-Carril I/OFairchild Semiconductor
610886KM4470IP14TR3Bajo Costo/+2.7V Y +5V/Amplificadores Del Carril-a-Carril I/OFairchild Semiconductor
610887KM44C1000DESPOLÓN dinámico del 1M x 4Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
610888KM44C1000DJ-51M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
610889KM44C1000DJ-61M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
610890KM44C1000DJ-71M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
610891KM44C1000DJL-51M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
610892KM44C1000DJL-61M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
610893KM44C1000DJL-71M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
610894KM44C1000DT-51M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
610895KM44C1000DT-61M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
610896KM44C1000DT-71M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
610897KM44C1000DTL-51M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
610898KM44C1000DTL-61M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
610899KM44C1000DTL-71M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic



610900KM44C256B-10100 ns; V (cc / in / out): -1.0 a 7.0V; 600MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dinámica con Página de la moda rápidaSamsung Electronic
610901KM44C256B-770ns; V (cc / in / out): -1.0 a 7.0V; 600MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dinámica con Página de la moda rápidaSamsung Electronic
610902KM44C256B-880ns; V (cc / in / out): -1.0 a 7.0V; 600MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dinámica con Página de la moda rápidaSamsung Electronic
610903KM44C256C-660ns; V (cc / in / out): -1.0 a 7.0V; 385MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dinámica con Página de la moda rápidaSamsung Electronic
610904KM44C256C-770ns; V (cc / in / out): -1.0 a 7.0V; 385MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dinámica con Página de la moda rápidaSamsung Electronic
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610906KM44C256CL-660ns; V (cc / in / out): -1.0 a 7.0V; 385MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dinámica con Página de la moda rápidaSamsung Electronic
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610908KM44C256CL-880ns; V (cc / in / out): -1.0 a 7.0V; 385MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dinámica con Página de la moda rápidaSamsung Electronic
610909KM44C256CSL-660ns; V (cc / in / out): -1.0 a 7.0V; 385MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dinámica con Página de la moda rápidaSamsung Electronic
610910KM44C256CSL-770ns; V (cc / in / out): -1.0 a 7.0V; 385MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dinámica con Página de la moda rápidaSamsung Electronic
610911KM44C256CSL-880ns; V (cc / in / out): -1.0 a 7.0V; 385MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dinámica con Página de la moda rápidaSamsung Electronic
610912KM44C256D-660ns; V (cc / in / out): -1.0 a 7.0V; 385MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dinámica con Página de la moda rápidaSamsung Electronic
610913KM44C256D-760ns; V (cc / in / out): -1.0 a 7.0V; 358mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dinámica con Página de la moda rápidaSamsung Electronic
610914KM44C256D-860ns; V (cc / in / out): -1.0 a 7.0V; 330MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dinámica con Página de la moda rápidaSamsung Electronic
610915KM44C4000CESPOLÓN dinámico de los 4M x 4Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
610916KM44C4000CK-54M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
610917KM44C4000CK-64M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
610918KM44C4000CKL-54M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
610919KM44C4000CKL-64M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
610920KM44C4000CS-54M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
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