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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
611481KM68257CLTG-2032Kx8 poco RAM estática de alta velocidad (5V operativo), 20nsSamsung Electronic
611482KM68257CP-1232Kx8 poco RAM estática de alta velocidad (5V operativo), 12nsSamsung Electronic
611483KM68257CP-1532Kx8 poco RAM estática de alta velocidad (5V operativo), 15nsSamsung Electronic
611484KM68257CP-2032Kx8 poco RAM estática de alta velocidad (5V operativo), 20nsSamsung Electronic
611485KM68257CTG-1232Kx8 poco RAM estática de alta velocidad (5V operativo), 12nsSamsung Electronic
611486KM68257CTG-1532Kx8 poco RAM estática de alta velocidad (5V operativo), 15nsSamsung Electronic
611487KM68257CTG-2032Kx8 poco RAM estática de alta velocidad (5V operativo), 20nsSamsung Electronic
611488KM68257E32Kx8 funcionamiento estático de alta velocidad del pedacito Cmos RAM(5V) funcionado en las gamas de temperaturas comerciales e industriales.Samsung Electronic
611489KM68257E-1032Kx8 funcionamiento estático de alta velocidad del pedacito Cmos RAM(5V) funcionado en las gamas de temperaturas comerciales e industriales.Samsung Electronic
611490KM68257E-1232Kx8 funcionamiento estático de alta velocidad del pedacito Cmos RAM(5V) funcionado en las gamas de temperaturas comerciales e industriales.Samsung Electronic
611491KM68257E-1532Kx8 funcionamiento estático de alta velocidad del pedacito Cmos RAM(5V) funcionado en las gamas de temperaturas comerciales e industriales.Samsung Electronic
611492KM68257EI-1032Kx8 Bit de alta velocidad CMOS RAM estática (5V de funcionamiento) Operado en rangos de temperatura Comerciales e Industriales.Samsung Electronic
611493KM68257EI-1232Kx8 funcionamiento estático de alta velocidad del pedacito Cmos RAM(5V) funcionado en las gamas de temperaturas comerciales e industriales.Samsung Electronic
611494KM68257EI-1532Kx8 funcionamiento estático de alta velocidad del pedacito Cmos RAM(5V) funcionado en las gamas de temperaturas comerciales e industriales.Samsung Electronic
611495KM68257EJ-1032Kx8 bits de alta velocidad CMOS RAM estática (5V de funcionamiento), 10nsSamsung Electronic
611496KM68257EJ-1232Kx8 bits de alta velocidad CMOS RAM estática (5V de funcionamiento), 12nsSamsung Electronic
611497KM68257EJ-1532Kx8 bits de alta velocidad CMOS RAM estática (5V de funcionamiento), 15nsSamsung Electronic
611498KM68257EJI-1032Kx8 bits de alta velocidad CMOS RAM estática (5V de funcionamiento), 10nsSamsung Electronic



611499KM68257EJI-1232Kx8 bits de alta velocidad CMOS RAM estática (5V de funcionamiento), 12nsSamsung Electronic
611500KM68257EJI-1532Kx8 bits de alta velocidad CMOS RAM estática (5V de funcionamiento), 15nsSamsung Electronic
611501KM68257ETG-1032Kx8 bits de alta velocidad CMOS RAM estática (5V de funcionamiento), 10nsSamsung Electronic
611502KM68257ETG-1232Kx8 bits de alta velocidad CMOS RAM estática (5V de funcionamiento), 12nsSamsung Electronic
611503KM68257ETG-1532Kx8 bits de alta velocidad CMOS RAM estática (5V de funcionamiento), 15nsSamsung Electronic
611504KM68257ETGI-1032Kx8 bits de alta velocidad CMOS RAM estática (5V de funcionamiento), 10nsSamsung Electronic
611505KM68257ETGI-1232Kx8 bits de alta velocidad CMOS RAM estática (5V de funcionamiento), 12nsSamsung Electronic
611506KM68257ETGI-1532Kx8 bits de alta velocidad CMOS RAM estática (5V de funcionamiento), 15nsSamsung Electronic
611507KM684000524288 WORD x ESPOLÓN DE ALTA VELOCIDAD de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de 8 PEDACITOS CmosSamsung Electronic
611508KM684000ALG-5ESPOLÓN bajo de los parásitos atmosféricos de la energía Cmos del pedacito 128Kx8Samsung Electronic
611509KM684000ALG-5L55ns, 512Kx8 bit CMOS de baja potencia de baja memoria RAM estáticaSamsung Electronic
611510KM684000ALG-770ns, 512Kx8 bit CMOS de bajo consumo de memoria RAM estáticaSamsung Electronic
611511KM684000ALG-7L70ns, 512Kx8 bit CMOS de baja potencia de baja memoria RAM estáticaSamsung Electronic
611512KM684000ALGI-770ns, 512Kx8 bit CMOS de bajo consumo de memoria RAM estáticaSamsung Electronic
611513KM684000ALGI-7LESPOLÓN bajo de los parásitos atmosféricos de la energía Cmos del pedacito 128Kx8Samsung Electronic
611514KM684000ALP-555ns, 512Kx8 bit CMOS de bajo consumo de memoria RAM estáticaSamsung Electronic
611515KM684000ALP-5L55ns, 512Kx8 bit CMOS de baja potencia de baja memoria RAM estáticaSamsung Electronic
611516KM684000ALP-7ESPOLÓN bajo de los parásitos atmosféricos de la energía Cmos del pedacito 128Kx8Samsung Electronic
611517KM684000ALP-7L70ns, 512Kx8 bit CMOS de baja potencia de baja memoria RAM estáticaSamsung Electronic
611518KM684000ALR-5L55ns, 512Kx8 bit CMOS de baja potencia de baja memoria RAM estáticaSamsung Electronic
611519KM684000ALR-7L70ns, 512Kx8 bit CMOS de baja potencia de baja memoria RAM estáticaSamsung Electronic
611520KM684000ALRI-7L70ns, 512Kx8 bit CMOS de baja potencia de baja memoria RAM estáticaSamsung Electronic
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