| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 63481 | 2SK979 | 2SK979 | Unknow |
| 63482 | 2SK979 | 2SK979 | Unknow |
| 63483 | 2SK982 | Usos Análogos Del Interfaz De los Usos Del Interruptor De los Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Tipo del MOS Del Canal Del Silicio N Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
| 63484 | 2SK996 | Fet De F-MOS De la Energía Del N-canal Del Silicio | Panasonic |
| 63485 | 2SK996 | Fet De F-MOS De la Energía Del N-canal Del Silicio | Panasonic |
| 63486 | 2ST31A | Baja tensión NPN transistor de potencia | ST Microelectronics |
| 63487 | 2STA1695 | De alta potencia PNP epitaxial transistor bipolar plana | ST Microelectronics |
| 63488 | 2STA1943 | De alta potencia PNP epitaxial transistor bipolar plana | ST Microelectronics |
| 63489 | 2STB121PM | CONDUZCA EL IC | Omron |
| 63490 | 2STBN15D100 | Baja tensión NPN Darlington transistor de potencia | ST Microelectronics |
| 63491 | 2STBN15D100T4 | Baja tensión NPN Darlington transistor de potencia | ST Microelectronics |
| 63492 | 2STC5242 | Alto NPN poder epitaxial transistor bipolar plana | ST Microelectronics |
| 63493 | 2STD1665 | Baja tensión de conmutación rápida transistor NPN de potencia | ST Microelectronics |
| 63494 | 2STD1665T4 | Baja tensión de conmutación rápida transistor NPN de potencia | ST Microelectronics |
| 63495 | 2STF1360 | Baja tensión de conmutación rápida transistores de potencia NPN | ST Microelectronics |
| 63496 | 2STF1550 | De alto rendimiento transistores de potencia NPN de baja tensión | ST Microelectronics |
| 63497 | 2STF2280 | Transistores, Energía Bipolar, baja tensión - Alto Rendimiento | ST Microelectronics |
| 63498 | 2STF2360 | Baja tensión de conmutación rápida transistores de potencia PNP | ST Microelectronics |
| 63499 | 2STF2550 | De alto rendimiento transistores de potencia PNP baja tensión | ST Microelectronics |
| 63500 | 2STL2580 | Alto voltaje de conmutación rápida transistor NPN de potencia | ST Microelectronics |
| 63501 | 2STL2580-AP | Alto voltaje de conmutación rápida transistor NPN de potencia | ST Microelectronics |
| 63502 | 2STN1360 | Baja tensión de conmutación rápida transistores de potencia NPN | ST Microelectronics |
| 63503 | 2STN1550 | De alto rendimiento transistores de potencia NPN de baja tensión | ST Microelectronics |
| 63504 | 2STN2360 | Baja tensión de conmutación rápida transistores de potencia PNP | ST Microelectronics |
| 63505 | 2STN2540 | Baja tensión de conmutación rápida de potencia PNP transistor bipolar | ST Microelectronics |
| 63506 | 2STP535FP | Potencia NPN Darlington transistor | ST Microelectronics |
| 63507 | 2STR1160 | Baja tensión de conmutación rápida transistor NPN de potencia | ST Microelectronics |
| 63508 | 2STR1215 | Baja tensión de conmutación rápida transistor NPN de potencia | ST Microelectronics |
| 63509 | 2STR1230 | Baja tensión de conmutación rápida transistor NPN de potencia | ST Microelectronics |
| 63510 | 2STR2160 | Baja tensión de conmutación rápida transistor PNP de potencia | ST Microelectronics |
| 63511 | 2STR2230 | Baja tensión de conmutación rápida transistor PNP de potencia | ST Microelectronics |
| 63512 | 2STW100 | Transistores, Power bipolar, Darlington | ST Microelectronics |
| 63513 | 2STW200 | Transistores, Power bipolar, Darlington | ST Microelectronics |
| 63514 | 2STX1360 | Baja tensión de conmutación rápida transistores de potencia NPN | ST Microelectronics |
| 63515 | 2STX1360-AP | Baja tensión de conmutación rápida transistores de potencia NPN | ST Microelectronics |
| 63516 | 2V010 | Varistor de óxido de metal. Diámetro de la caja 16 mm. Varistor Tensión nominal 18 V @ corriente de prueba 1 mA DC. | NTE Electronics |
| 63517 | 2V014 | Varistor de óxido de metal. Diámetro de la caja 16 mm. Varistor Tensión nominal 22 V @ corriente de prueba 1 mA DC. | NTE Electronics |
| 63518 | 2V015 | Varistor de óxido de metal. Diámetro de la caja 16 mm. Varistor Tensión nominal 24 V @ corriente de prueba 1 mA DC. | NTE Electronics |
| 63519 | 2V017 | Varistor de óxido de metal. Diámetro de la caja 16 mm. Varistor Tensión nominal 27 V @ corriente de prueba 1 mA DC. | NTE Electronics |
| 63520 | 2V020 | Varistor de óxido de metal. Diámetro de la caja 16 mm. Varistor Tensión nominal 33 V @ corriente de prueba 1 mA DC. | NTE Electronics |
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