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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
823161MGFS48B21222.11 - 2.17 Fet de la VENDA 60W GaAs Del GigahertzMitsubishi Electric Corporation
823162MGFS48V25272,7 - 2,5 Fet de la VENDA 60W GaAs Del GigahertzMitsubishi Electric Corporation
823163MGFX36V071710.7-11.7GHz Fet INTERNAMENTE EMPAREJADO de la VENDA 4W GaAsMitsubishi Electric Corporation
823164MGFX39V071710.7-11.7GHz Fet De la Venda 8W Internamente MATCHD GaAsMitsubishi Electric Corporation
823165MGLM111Negativo tensión de alimentación: -30V; tensión de alimentación positiva: + 30V; tensión total de suministro: 36V; comparador de tensión.National Semiconductor
823166MGM3000XModulador video para FM/AM-AudioSiemens
823167MGP11N60ETransistor Bipolar Aislado De la PuertaMotorola
823168MGP11N60E-DPuerta De Silicio Bipolar Aislada Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De la PuertaON Semiconductor
823169MGP11N60EDEn-voltaje BAJO CLASIFICADO del CIRCUITO CORTOON Semiconductor
823170MGP11N60ED-DTransistor bipolar aislado de la puerta con la puerta de silicio Contra-Paralela del Realce-Modo del N-Canal del diodoON Semiconductor
823171MGP14N60ETransistor Bipolar Aislado De la PuertaMotorola
823172MGP14N60E-DPuerta De Silicio Bipolar Aislada Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De la PuertaON Semiconductor
823173MGP15N35CLIgnición IGBT 15 Amperios, 350 VoltiosON Semiconductor
823174MGP15N35CL-DIgnición IGBT 15 amperios, 350 voltios de N-Canal To-220 y D2PAKON Semiconductor
823175MGP15N38CLN-Canal Internamente Afianzado Con abrazadera IGBTON Semiconductor
823176MGP15N38CL-DIgnición IGBT 15 amperios, 380 voltios de N-Canal To-220 y D2PAKON Semiconductor
823177MGP15N40CLIgnición IGBT 15 Amperios, 410 VoltiosON Semiconductor
823178MGP15N40CL-DIgnición IGBT 15 amperios, 410 voltios de N-Canal To-220 y D2PAKON Semiconductor
823179MGP15N43CLN-Canal Internamente Afianzado Con abrazadera IGBTON Semiconductor



823180MGP15N43CL-DIgnición IGBT 15 amperios, 430 voltios de N-Canal To-220 y D2PAKON Semiconductor
823181MGP15N60UTransistor Bipolar Aislado De la PuertaMotorola
823182MGP15N60U-DPuerta De Silicio Bipolar Aislada Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De la PuertaON Semiconductor
823183MGP19N35CLIgnición IGBT 19 Amperios, 350 VoltiosON Semiconductor
823184MGP19N35CL-DIgnición IGBT 19 amperios, 350 voltios de N-Canal To-220 y D2PAKON Semiconductor
823185MGP20N14CLInternamente Afianzado Con abrazadera, N-Canal IGBTMotorola
823186MGP20N14CL-DSMARTDISCRETES Internamente Afianzado Con abrazadera, N-Canal IGBTON Semiconductor
823187MGP20N35CLSMARTDISCRETES Internamente Afianzado Con abrazadera, N-Canal IGBTMotorola
823188MGP20N35CL-DSMARTDISCRETES Internamente Afianzado Con abrazadera, N-Canal IGBTON Semiconductor
823189MGP20N40CLSMARTDISCRETES Internamente Afianzado Con abrazadera, N-Canal IGBTMotorola
823190MGP20N40CL-DSMARTDISCRETES Internamente Afianzado Con abrazadera, N-Canal IGBTON Semiconductor
823191MGP20N60UTransistor Bipolar Aislado De la PuertaMotorola
823192MGP20N60U-DPuerta De Silicio Bipolar Aislada Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De la PuertaON Semiconductor
823193MGP21N60ETransistor Bipolar Aislado De la PuertaMotorola
823194MGP21N60E-DPuerta De Silicio Bipolar Aislada Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De la PuertaON Semiconductor
823195MGP3006Gigahertz PLL con el autobús de I2C y cuatro direcciones de la virutaSiemens
823196MGP3006XGigahertz PLL con el autobús de I2C y cuatro direcciones de la virutaSiemens
823197MGP3006X6Gigahertz PLL con el autobús de I2C y cuatro direcciones de la virutaSiemens
823198MGP4N60ETransistor Bipolar Aislado De la PuertaMotorola
823199MGP4N60E-DPuerta De Silicio Bipolar Aislada Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De la PuertaON Semiconductor
823200MGP4N60EDTransistor bipolar aislado de la puerta con el diodo Contra-ParaleloON Semiconductor
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