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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
881441MJD210TFTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
881442MJD243TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN 4 AMPERIOS 100 VOLTIOS 12,5 VATIOSMotorola
881443MJD243Transistor De Energía PlásticoON Semiconductor
881444MJD243-1TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN 4 AMPERIOS 100 VOLTIOS 12,5 VATIOSMotorola
881445MJD243-DTransistor de energía plástico del silicio complementario DPAK para los usos superficiales del montajeON Semiconductor
881446MJD243T4TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN 4 AMPERIOS 100 VOLTIOS 12,5 VATIOSMotorola
881447MJD243T4Transistor De Energía PlásticoON Semiconductor
881448MJD243T4GTransistor De Energía Plástico Del Silicio ComplementarioON Semiconductor
881449MJD253Transistor De Energía PlásticoON Semiconductor
881450MJD253-001Transistor De Energía PlásticoON Semiconductor
881451MJD253T4Transistor De Energía PlásticoON Semiconductor
881452MJD29Transistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
881453MJD2955Transistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
881454MJD2955TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIOST Microelectronics
881455MJD2955TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIOSGS Thomson Microelectronics
881456MJD2955TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIOSGS Thomson Microelectronics
881457MJD2955TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 10 AMPERIOS 60 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881458MJD2955Energía 10A 60V PNP DiscretoON Semiconductor
881459MJD2955-001Energía 10A 60V PNP DiscretoON Semiconductor



881460MJD2955-1TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 10 AMPERIOS 60 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881461MJD2955-DTransistores De Energía Complementarios DPAK Para Los Usos Superficiales NPN Del MontajeON Semiconductor
881462MJD2955T4TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 10 AMPERIOS 60 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881463MJD2955T4Energía 10A 60V PNP DiscretoON Semiconductor
881464MJD2955T4TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIOST Microelectronics
881465MJD2955TFTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
881466MJD29CTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
881467MJD29CTFTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
881468MJD30Transistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
881469MJD3055Transistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
881470MJD3055TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIOST Microelectronics
881471MJD3055TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIOSGS Thomson Microelectronics
881472MJD3055TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIOSGS Thomson Microelectronics
881473MJD3055TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 10 AMPERIOS 60 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881474MJD3055Energía 10A 60V NPN DiscretoON Semiconductor
881475MJD3055-1TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 10 AMPERIOS 60 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881476MJD3055T4TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 10 AMPERIOS 60 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881477MJD3055T4Energía 10A 60V NPN DiscretoON Semiconductor
881478MJD3055T4TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIOST Microelectronics
881479MJD3055TFTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
881480MJD30CTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
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