|   Primera página   |   Todos los fabricantes   |   Por la función   |  

Número de pieza, la descripción o el fabricante contener:  
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Las hojas de datos encontraron :: 1351360Página: << | 22036 | 22037 | 22038 | 22039 | 22040 | 22041 | 22042 | 22043 | 22044 | 22045 | 22046 | >>
Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
881601MJD44H11T4Pla NPN De la Energía 10A 80VON Semiconductor
881602MJD44H11T4TRANSISTOR COMPLEMENTARIO DEL SILICIO PNPST Microelectronics
881603MJD44H11T4-ATransistores de potencia complementariasST Microelectronics
881604MJD44H11T4GTRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIOON Semiconductor
881605MJD44H11T4GTRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIOON Semiconductor
881606MJD44H11T5Pla NPN De la Energía 10A 80VON Semiconductor
881607MJD44H11TFTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
881608MJD44H11TMTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
881609MJD45H11Transistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
881610MJD45H11CIRCUITOS de CONTROL del CONVERTIDOR C.C.-C.C.ST Microelectronics
881611MJD45H11TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO PNPSGS Thomson Microelectronics
881612MJD45H11TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 8 AMPERIOS 80 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881613MJD45H11Pla PNP De la Energía 10A 80VON Semiconductor
881614MJD45H11-001Pla PNP De la Energía 10A 80VON Semiconductor
881615MJD45H11-1TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 8 AMPERIOS 80 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881616MJD45H11GTRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIOON Semiconductor
881617MJD45H11GTRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIOON Semiconductor
881618MJD45H11RLPla PNP De la Energía 10A 80VON Semiconductor
881619MJD45H11T4TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 8 AMPERIOS 80 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola



881620MJD45H11T4Pla PNP De la Energía 10A 80VON Semiconductor
881621MJD45H11T4TRANSISTOR COMPLEMENTARIO DEL SILICIO PNPST Microelectronics
881622MJD45H11T4GTRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIOON Semiconductor
881623MJD45H11T4GTRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIOON Semiconductor
881624MJD45H11TFTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
881625MJD45H11TMTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
881626MJD47Transistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
881627MJD47TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPNST Microelectronics
881628MJD47TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPNSGS Thomson Microelectronics
881629MJD47TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN 1 AMPERIO 250, 400 VOLTIOS 15 VATIOSMotorola
881630MJD47Ç$a 250V SM NPN De la EnergíaON Semiconductor
881631MJD47-1TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN 1 AMPERIO 250, 400 VOLTIOS 15 VATIOSMotorola
881632MJD47-DTransistores De Energía De alto voltaje DPAK Para Los Usos Superficiales Del MontajeON Semiconductor
881633MJD47T4TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN 1 AMPERIO 250, 400 VOLTIOS 15 VATIOSMotorola
881634MJD47T4Ç$a 250V SM NPN De la EnergíaON Semiconductor
881635MJD47T4TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPNST Microelectronics
881636MJD47TFTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
881637MJD49TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPNST Microelectronics
881638MJD49T4TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPNST Microelectronics
881639MJD50Transistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
881640MJD50TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPNST Microelectronics
Las hojas de datos encontraron :: 1351360Página: << | 22036 | 22037 | 22038 | 22039 | 22040 | 22041 | 22042 | 22043 | 22044 | 22045 | 22046 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com