| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 881801 | MJE172 | Energía Á 80V PNP | ON Semiconductor |
| 881802 | MJE172 | 12.500W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 80V VCEO, 3.000A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
| 881803 | MJE172 | -100 V, -1 A, transistor PNP epitaxial de silicio | Samsung Electronic |
| 881804 | MJE172STU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 881805 | MJE180 | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881806 | MJE180 | ENERGÍA TRANSISTORS(3.0A, 40-80v, 12.5w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881807 | MJE180 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 881808 | MJE180 | 12.500W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 40V VCEO, 3.000A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
| 881809 | MJE180 | 60 V, 3 A, el transistor NPN de silicio epitaxial | Samsung Electronic |
| 881810 | MJE18002 | TRANSISTOR de ENERGÍA 2,0 AMPERIOS 1000 VOLTIOS 25 y 50 VATIOS | Motorola |
| 881811 | MJE18002 | Switchmode™ | ON Semiconductor |
| 881812 | MJE18002-D | Transistor De Energía Bipolar de SWITCHMODE NPN Para Los Usos De la Fuente De Alimentación De la Conmutación | ON Semiconductor |
| 881813 | MJE18002D2 | TRANSISTORES DE ENERGÍA 2 AMPERIOS 1000 VOLTIOS 50 VATIOS | Motorola |
| 881814 | MJE18002D2 | De alta velocidad, de alta ganancia bipolar de NPN transistor de energía con integrado colector-emisor Diodo y Red antisaturación eficiente Built-In | ON Semiconductor |
| 881815 | MJE18002D2-D | Transistor de energía bipolar del aumento de alta velocidad, alto NPN con el diodo integrado del collector-Emitter y TRANSISTORES de ENERGÍA eficientes incorporados de la red de Antisaturation 2 AMPERIOS 1000 VOLTIOS 50 VATIOS | ON Semiconductor |
| 881816 | MJE18004 | TRANSISTOR de ENERGÍA 5,0 AMPERIOS 1000 VOLTIOS 35 y 75 VATIOS | Motorola |
| 881817 | MJE18004 | Switchmode™ | ON Semiconductor |
| 881818 | MJE18004 | Switchmode™ | ON Semiconductor |
| 881819 | MJE18004-D | Transistor De Energía Bipolar de SWITCHMODE NPN Para Los Usos De la Fuente De Alimentación De la Conmutación | ON Semiconductor |
| 881820 | MJE18004D2 | TRANSISTORES DE ENERGÍA 5 AMPERIOS 1000 VOLTIOS 75 VATIOS | Motorola |
| 881821 | MJE18004D2 | Transistor de energía bipolar del aumento de alta velocidad, alto NPN con el diodo integrado del collector-Emitter y Antisaturation eficiente incorporado... | ON Semiconductor |
| 881822 | MJE18004D2 | Transistor de energía bipolar del aumento de alta velocidad, alto NPN con el diodo integrado del collector-Emitter y Antisaturation eficiente incorporado... | ON Semiconductor |
| 881823 | MJE18004D2-D | Transistor de energía bipolar del aumento de alta velocidad, alto NPN con el diodo integrado del collector-Emitter y TRANSISTORES de ENERGÍA eficientes incorporados de la red de Antisaturation 5 AMPERIOS 1000 VOLTIOS 75 VATIOS | ON Semiconductor |
| 881824 | MJE18006 | TRANSISTOR de ENERGÍA 6,0 AMPERIOS 1000 VOLTIOS 40 y 100 VATIOS | Motorola |
| 881825 | MJE18006 | Energía Å 450V NPN | ON Semiconductor |
| 881826 | MJE18006-D | Transistor De Energía Bipolar de SWITCHMODE NPN Para Los Usos De la Fuente De Alimentación De la Conmutación | ON Semiconductor |
| 881827 | MJE18008 | TRANSISTOR de ENERGÍA 8,0 AMPERIOS 1000 VOLTIOS 45 y 125 VATIOS | Motorola |
| 881828 | MJE18008 | SWITCHMODE™ Transistor De Energía Bipolar de NPN Para Los Usos De la Fuente De Alimentación De la Conmutación | ON Semiconductor |
| 881829 | MJE18008-D | Transistor De Energía Bipolar de SWITCHMODE NPN Para Los Usos De la Fuente De Alimentación De la Conmutación | ON Semiconductor |
| 881830 | MJE18009 | TRANSISTORES de ENERGÍA 10 AMPERIOS 1000 VOLTIOS 50 y 150 VATIOS | Motorola |
| 881831 | MJE18009-D | Transistor De Energía Planar Del Silicio de SWITCHMODE NPN | ON Semiconductor |
| 881832 | MJE180STU | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881833 | MJE181 | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881834 | MJE181 | ENERGÍA TRANSISTORS(3.0A, 40-80v, 12.5w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881835 | MJE181 | SILICIO COMPLEMENTARIO DE 3 DEL AMPERIO TRANSISTORES DE ENERGÍA 60-80 VOLTIOS 12,5 VATIOS | Motorola |
| 881836 | MJE181 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 881837 | MJE181 | Energía Á 60V NPN | ON Semiconductor |
| 881838 | MJE181 | 12.500W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 3.000A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
| 881839 | MJE181 | 60 V, 3 A, el transistor NPN de silicio epitaxial | Samsung Electronic |
| 881840 | MJE181STU | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
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