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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
890001MMBT3906PNP transistor de conmutaciónNXP Semiconductors
890002MMBT3906Vce = 1.0V transistorMCC
890003MMBT3906PNP transistor de silicio de uso general.Motorola
890004MMBT390640 V, pequeña superficie de señal PNP montaje transistorTRANSYS Electronics Limited
890005MMBT3906-7TRANSISTOR PEQUEÑO DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE LA SEÑAL DE PNPDiodes
890006MMBT3906-7-FTransistores bipolaresDiodes
890007MMBT3906-GTransistores para aplicaciones generales, V CBO = -40V, V CEO = -40V, V EBO = -5V, I C = -0.2AComchip Technology
890008MMBT3906-HFLibre de halógenos Transistor, V CBO = -40V, V CEO = -40V, V EBO = 5V, yo C = -200mAComchip Technology
890009MMBT3906FADiscretos - Transistores Bipolares - Transistor (BJT) tabla maestra - Transistores 30V a 50VDiodes
890010MMBT3906FA-7BDiscretos - Transistores Bipolares - Transistor (BJT) tabla maestra - Transistores 30V a 50VDiodes
890011MMBT3906FZDiscretos - Transistores Bipolares - Transistor (BJT) tabla maestra - Transistores 30V a 50VDiodes
890012MMBT3906FZ-7BDiscretos - Transistores Bipolares - Transistor (BJT) tabla maestra - Transistores 30V a 50VDiodes
890013MMBT3906KAmplificador De los Fines generales de PNPFairchild Semiconductor
890014MMBT3906K_QAmplificador De los Fines generales de PNPFairchild Semiconductor
890015MMBT3906LGp Pequeño PNP De la SeñalON Semiconductor
890016MMBT3906LPDiscretos - Transistores Bipolares - Transistor (BJT) tabla maestra - Transistores 30V a 50VDiodes
890017MMBT3906LP-7Discretos - Transistores Bipolares - Transistor (BJT) tabla maestra - Transistores 30V a 50VDiodes
890018MMBT3906LT1Silicio De fines generales De Transistor(PNP)Leshan Radio Company



890019MMBT3906LT1Transistor De fines generalesMotorola
890020MMBT3906LT1Gp Pequeño PNP De la SeñalON Semiconductor
890021MMBT3906LT1-DSilicio De fines generales Del Transistor PNPON Semiconductor
890022MMBT3906LT1GGp Pequeño PNP De la SeñalON Semiconductor
890023MMBT3906LT3Gp Pequeño PNP De la SeñalON Semiconductor
890024MMBT3906Q-7-FTransistores bipolaresDiodes
890025MMBT3906SLPNP epitaxial transistor del silicioFairchild Semiconductor
890026MMBT3906TTransistores BipolaresDiodes
890027MMBT3906TTransistores De fines generalesON Semiconductor
890028MMBT3906TPNP epitaxial transistor del silicioFairchild Semiconductor
890029MMBT3906T-7TRANSISTOR PEQUEÑO DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE LA SEÑAL DE PNPDiodes
890030MMBT3906T-7-FTransistores bipolaresDiodes
890031MMBT3906TT1Transistores De fines generalesON Semiconductor
890032MMBT3906TT1-DTransistores De fines generalesON Semiconductor
890033MMBT3906WTransistor MINIBLOCON Semiconductor
890034MMBT3906WT1Transistors(NPN de fines generales y silicio de PNP)Leshan Radio Company
890035MMBT3906WT1Transistor De fines generalesMotorola
890036MMBT3906WT1Transistor MINIBLOCON Semiconductor
890037MMBT3906WT1GTransistor MINIBLOCON Semiconductor
890038MMBT3906_D87ZAmplificador De los Fines generales de PNPFairchild Semiconductor
890039MMBT3906_NLAmplificador De los Fines generales de PNPFairchild Semiconductor
890040MMBT404PNP transistor modulador de silicio.Motorola
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