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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
890161MMBT5088LT1Ruido Bajo De la Señal PequeñaON Semiconductor
890162MMBT5088LT1-DSilicio Bajo De los Transistores NPN Del RuidoON Semiconductor
890163MMBT5089Amplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor
890164MMBT5089NPN transistor de silicio de bajo ruido.Motorola
890165MMBT508930 V, 50 mA, el transistor NPN de silicio epitaxialSamsung Electronic
890166MMBT5089LRuido Bajo De la Señal PequeñaON Semiconductor
890167MMBT5089LT1Silicio Bajo De Transistors(NPN Del Ruido)Leshan Radio Company
890168MMBT5089LT1Transistores Bajos Del RuidoMotorola
890169MMBT5089LT1Ruido Bajo De la Señal PequeñaON Semiconductor
890170MMBT5179Transistor de NPN RfFairchild Semiconductor
890171MMBT5179_NLTransistor de NPN RfFairchild Semiconductor
890172MMBT5210Amplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor
890173MMBT5401Amplificador De los Fines generales de PNPNational Semiconductor
890174MMBT5401Amplificador De los Fines generales de PNPFairchild Semiconductor
890175MMBT5401Transistores BipolaresDiodes
890176MMBT5401SILICIO DE ALTO VOLTAJE DEL TRANSISTOR PNPZowie Technology Corporation
890177MMBT5401TRANSISTOR PEQUEÑO DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE LA SEÑAL DE PNPTRSYS
890178MMBT5401PNP transistor de silicio de alta tensión.Motorola
890179MMBT5401180 V, pequeña superficie de señal PNP montaje transistorTRANSYS Electronics Limited



890180MMBT5401-7TRANSISTOR PEQUEÑO DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE LA SEÑAL DE PNPDiodes
890181MMBT5401-7-FTransistores bipolaresDiodes
890182MMBT5401-GTransistores para aplicaciones generales, V CBO = -160V, V CEO = -150V, V EBO = -5V, I C = -0.6AComchip Technology
890183MMBT5401LAlto voltaje Pequeño De la SeñalON Semiconductor
890184MMBT5401LT1Silicio De alto voltaje De Transistor(PNP)Leshan Radio Company
890185MMBT5401LT1Transistor De alto voltajeMotorola
890186MMBT5401LT1Alto voltaje Pequeño De la SeñalON Semiconductor
890187MMBT5401LT1-DSilicio De alto voltaje Del Transistor PNPON Semiconductor
890188MMBT5401LT1GSilicio De alto voltaje De Transistor(PNP)ON Semiconductor
890189MMBT5401LT3Alto voltaje Pequeño De la SeñalON Semiconductor
890190MMBT5401LT3GSilicio De alto voltaje De Transistor(PNP)ON Semiconductor
890191MMBT5401WMini tamaño de los elementos discretos del semiconductorSINYORK
890192MMBT5401WTransistor de alto voltajeON Semiconductor
890193MMBT5401_D87ZAmplificador De los Fines generales de PNPFairchild Semiconductor
890194MMBT5401_NLAmplificador De los Fines generales de PNPFairchild Semiconductor
890195MMBT5550SILICIO DE ALTO VOLTAJE DEL TRANSISTOR NPNZowie Technology Corporation
890196MMBT5550NPN epitaxial transistor del silicioFairchild Semiconductor
890197MMBT5550NPN transistor de silicio de alta tensión.Motorola
890198MMBT5550160 V, 600 mA, el transistor NPN de silicio epitaxialSamsung Electronic
890199MMBT5550LAlto voltaje Pequeño De la SeñalON Semiconductor
890200MMBT5550LT1Silicio De alto voltaje De Transistors(NPN)Leshan Radio Company
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