Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
890161 | MMBT5088LT1 | Ruido Bajo De la Señal Pequeña | ON Semiconductor |
890162 | MMBT5088LT1-D | Silicio Bajo De los Transistores NPN Del Ruido | ON Semiconductor |
890163 | MMBT5089 | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
890164 | MMBT5089 | NPN transistor de silicio de bajo ruido. | Motorola |
890165 | MMBT5089 | 30 V, 50 mA, el transistor NPN de silicio epitaxial | Samsung Electronic |
890166 | MMBT5089L | Ruido Bajo De la Señal Pequeña | ON Semiconductor |
890167 | MMBT5089LT1 | Silicio Bajo De Transistors(NPN Del Ruido) | Leshan Radio Company |
890168 | MMBT5089LT1 | Transistores Bajos Del Ruido | Motorola |
890169 | MMBT5089LT1 | Ruido Bajo De la Señal Pequeña | ON Semiconductor |
890170 | MMBT5179 | Transistor de NPN Rf | Fairchild Semiconductor |
890171 | MMBT5179_NL | Transistor de NPN Rf | Fairchild Semiconductor |
890172 | MMBT5210 | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
890173 | MMBT5401 | Amplificador De los Fines generales de PNP | National Semiconductor |
890174 | MMBT5401 | Amplificador De los Fines generales de PNP | Fairchild Semiconductor |
890175 | MMBT5401 | Transistores Bipolares | Diodes |
890176 | MMBT5401 | SILICIO DE ALTO VOLTAJE DEL TRANSISTOR PNP | Zowie Technology Corporation |
890177 | MMBT5401 | TRANSISTOR PEQUEÑO DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE LA SEÑAL DE PNP | TRSYS |
890178 | MMBT5401 | PNP transistor de silicio de alta tensión. | Motorola |
890179 | MMBT5401 | 180 V, pequeña superficie de señal PNP montaje transistor | TRANSYS Electronics Limited |
890180 | MMBT5401-7 | TRANSISTOR PEQUEÑO DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE LA SEÑAL DE PNP | Diodes |
890181 | MMBT5401-7-F | Transistores bipolares | Diodes |
890182 | MMBT5401-G | Transistores para aplicaciones generales, V CBO = -160V, V CEO = -150V, V EBO = -5V, I C = -0.6A | Comchip Technology |
890183 | MMBT5401L | Alto voltaje Pequeño De la Señal | ON Semiconductor |
890184 | MMBT5401LT1 | Silicio De alto voltaje De Transistor(PNP) | Leshan Radio Company |
890185 | MMBT5401LT1 | Transistor De alto voltaje | Motorola |
890186 | MMBT5401LT1 | Alto voltaje Pequeño De la Señal | ON Semiconductor |
890187 | MMBT5401LT1-D | Silicio De alto voltaje Del Transistor PNP | ON Semiconductor |
890188 | MMBT5401LT1G | Silicio De alto voltaje De Transistor(PNP) | ON Semiconductor |
890189 | MMBT5401LT3 | Alto voltaje Pequeño De la Señal | ON Semiconductor |
890190 | MMBT5401LT3G | Silicio De alto voltaje De Transistor(PNP) | ON Semiconductor |
890191 | MMBT5401W | Mini tamaño de los elementos discretos del semiconductor | SINYORK |
890192 | MMBT5401W | Transistor de alto voltaje | ON Semiconductor |
890193 | MMBT5401_D87Z | Amplificador De los Fines generales de PNP | Fairchild Semiconductor |
890194 | MMBT5401_NL | Amplificador De los Fines generales de PNP | Fairchild Semiconductor |
890195 | MMBT5550 | SILICIO DE ALTO VOLTAJE DEL TRANSISTOR NPN | Zowie Technology Corporation |
890196 | MMBT5550 | NPN epitaxial transistor del silicio | Fairchild Semiconductor |
890197 | MMBT5550 | NPN transistor de silicio de alta tensión. | Motorola |
890198 | MMBT5550 | 160 V, 600 mA, el transistor NPN de silicio epitaxial | Samsung Electronic |
890199 | MMBT5550L | Alto voltaje Pequeño De la Señal | ON Semiconductor |
890200 | MMBT5550LT1 | Silicio De alto voltaje De Transistors(NPN) | Leshan Radio Company |
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