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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
892241MMDF6N03HDR2Mosfet De la Energía 6 Amperios, 30 VoltiosON Semiconductor
892242MMDF7N02ZMOSFET DUAL DE LA ENERGÍA DE TMOS 7,0 AMPERIOS 20 VOLTIOSMotorola
892243MMDF7N02ZOBSOLETOS - Mosfet De la Energía 7 Amperios, 20 VoltiosON Semiconductor
892244MMDF7N02Z-DMosfet De la Energía 7 Amperios, 20 Voltios De N-Canal So-8, DualON Semiconductor
892245MMDFS2P102Mosfet de la energía del P-Canal con el rectificador de Schottky 20 voltiosMotorola
892246MMDFS2P102Mosfet De la Energía 2 Amperios, 20 VoltiosON Semiconductor
892247MMDFS2P102-DMosfet De la Energía 2 Amperios, 20 Voltios De P-Canal So-8, FETKYON Semiconductor
892248MMDFS2P102R2MOSFET Schottky rectificador ahdMotorola
892249MMDFS3P303Mosfet 3 Amperios/30 Voltios De la EnergíaON Semiconductor
892250MMDFS3P303-DMosfet De la Energía 3 Amperios, 30 Voltios De P-Canal So-8, FETKYON Semiconductor
892251MMDFS3P303R2Mosfet 3 Amperios/30 Voltios De la EnergíaON Semiconductor
892252MMDFS6N303MOSFET de potencia 6 amperios, 30 voltios de N-Canal So-8 FETKYON Semiconductor
892253MMDFS6N303-DMosfet De la Energía 6 Amperios, 30 Voltios De N-Canal So-8, FETKYON Semiconductor
892254MMDJ3N03BJTSILICIO BIPOLAR DUAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA NPN 30 VOLTIOS 3 AMPERIOSMotorola
892255MMDJ3N03BJTTransistores De Energía PlásticosON Semiconductor
892256MMDJ3N03BJT-DTransistores de energía plásticos So-8 para los usos superficiales del montajeON Semiconductor
892257MMDJ3N03BJTR2Transistores De Energía PlásticosON Semiconductor
892258MMDJ3P03BJTSILICIO BIPOLAR DUAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA PNP 30 VOLTIOS 3 AMPERIOSMotorola
892259MMDJ3P03BJTTransistor De Energía Bipolar Dual de PNP, So-8ON Semiconductor
892260MMDJ3P03BJT-DTransistores de energía plásticos So-8 para los usos superficiales del montajeON Semiconductor



892261MMDJ3P03BJTR2Transistor De Energía Bipolar Dual de PNP, So-8ON Semiconductor
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1SupresoresON Semiconductor
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1SupresoresLeshan Radio Company
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1SupresoresON Semiconductor
892265MMDL101T1-Dequiv="content-type" content="text/html; charset=UTF-8">
1SupresoresON Semiconductor
892266MMDL301Diodos Del Caliente-Portador Del SilicioON Semiconductor
892267MMDL301T1Diodos Del Caliente-Portador Del SilicioLeshan Radio Company
892268MMDL301T1Diodos Del Caliente-Portador Del SilicioON Semiconductor
892269MMDL301T1-DDiodo De Barrera De Schottky De los Diodos Del Caliente-Portador Del SilicioON Semiconductor
892270MMDL6050Diodo De la ConmutaciónON Semiconductor
892271MMDL6050Diodo De la ConmutaciónLeshan Radio Company
892272MMDL6050T1DIODO SUPERFICIAL DE LA CONMUTACIÓN DEL MONTAJEZowie Technology Corporation
892273MMDL6050T1Diodo De la ConmutaciónLeshan Radio Company
892274MMDL6050T1Diodo De la ConmutaciónON Semiconductor
892275MMDL6050T1-DDiodo De la ConmutaciónON Semiconductor
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1SupresoresON Semiconductor
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1SupresoresLeshan Radio Company
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1SupresoresON Semiconductor
892279MMDL770T1-Dequiv="content-type" content="text/html; charset=UTF-8">
1SupresoresON Semiconductor
892280MMDL914Diodo De alta velocidad De la ConmutaciónLeshan Radio Company
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