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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
892361MMDTA42DUAL SUPERFICIE NPN de pequeña señal MONTAJE DEL TRANSISTORDiodes
892362MMDTA42-7-FDUAL SUPERFICIE NPN de pequeña señal MONTAJE DEL TRANSISTORDiodes
892363MMFR-29C516E-31SBel pedacito 16 atraviesa la unidad de la detección y de la corrección de error de EDACAtmel
892364MMFT107Mosfet de la energía 250 mA, 200 voltiosON Semiconductor
892365MMFT107T1Fet MEDIO de la ENERGÍA TMOS 250 mA, 200 VOLTIOSMotorola
892366MMFT107T1Mosfet de la energía 250 mA, 200 voltiosON Semiconductor
892367MMFT107T1-DAccione el MOSFET 250 mA, 200 voltios de N-Canal Sot-223ON Semiconductor
892368MMFT107T1DMosfet 250 mA/200 voltios de la energíaON Semiconductor
892369MMFT107T3Mosfet 250 mA/200 voltios de la energíaON Semiconductor
892370MMFT108T1N-canal del TRANSISTOR del Fet de TMOS - REALCEMotorola
892371MMFT1N10FET MEDIO DE LA ENERGÍA TMOS 1 AMPERIO 100 VOLTIOSMotorola
892372MMFT1N10EFET MEDIO DE LA ENERGÍA TMOS 1 AMPERIO 100 VOLTIOSMotorola
892373MMFT2406Mosfet de la energía 700 mA, 240 voltiosON Semiconductor
892374MMFT2406TFet MEDIO de la ENERGÍA TMOS 700 mA 240 VOLTIOSMotorola
892375MMFT2406T1Fet MEDIO de la ENERGÍA TMOS 700 mA 240 VOLTIOSMotorola
892376MMFT2406T1Mosfet de la energía 700 mA, 240 voltiosON Semiconductor
892377MMFT2406T1-DAccione el MOSFET 700 mA, 240 voltios de N-Canal Sot-223ON Semiconductor
892378MMFT2406T1GMosfet de la energía 700 mA, 240 voltiosON Semiconductor
892379MMFT2406T3Mosfet De la EnergíaON Semiconductor



892380MMFT2406T3GMosfet de la energía 700 mA, 240 voltiosON Semiconductor
892381MMFT2955EFET MEDIO DE LA ENERGÍA DE TMOS 1,2 AMPERIOS 60 VOLTIOSMotorola
892382MMFT2955EMosfet De la Energía 1 Amperio, 60 VoltiosON Semiconductor
892383MMFT2955E-DMosfet De la Energía 1 Amperio, 60 Voltios De P-Canal Sot-223ON Semiconductor
892384MMFT2955ET1Mosfet De la Energía 1 Amperio, 60 VoltiosON Semiconductor
892385MMFT2955ET1GMosfet De la Energía 1 Amperio, 60 VoltiosON Semiconductor
892386MMFT2955ET3Mosfet De la Energía 1 Amperio, 60 VoltiosON Semiconductor
892387MMFT2N02ELFET MEDIO DEL NIVEL TMOS DE LA LÓGICA DE LA ENERGÍA 1,6 AMPERIOS 20 VOLTIOSMotorola
892388MMFT2N02ELMosfet De la Energía 2 Amperios, 20 VoltiosON Semiconductor
892389MMFT2N02EL-DMosfet De la Energía 2 Amperios, 20 Voltios De N-Canal Sot-223ON Semiconductor
892390MMFT2N25EFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 2,0 AMPERIOS 250 VOLTIOSMotorola
892391MMFT2N25EAlta energía de energía del FETON Semiconductor
892392MMFT2N25E-DPuerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal del Fet De la Energía De la Alta Energía Del E-E-fet de TMOSON Semiconductor
892393MMFT3055EFET MEDIO DE LA ENERGÍA TMOS 1,7 AMPERIOS 60 VOLTIOSMotorola
892394MMFT3055EMOSFET de potencia 60 V, 1,7 A N-Channel SOT-223ON Semiconductor
892395MMFT3055E-DE-e-fet medio Sot-223 de la puerta de silicio del modo del realce del N-Canal del transistor de efecto de campo de la energía TMOS para el montaje superficialON Semiconductor
892396MMFT3055ELFET MEDIO DEL NIVEL TMOS DE LA LÓGICA DE LA ENERGÍA 1,5 AMPERIOS 60 VOLTIOSMotorola
892397MMFT3055VFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 1,7 AMPERIOS 60 VOLTIOSMotorola
892398MMFT3055VMOSFET de potencia 1 Amp, 60 VoltiosON Semiconductor
892399MMFT3055V-DMosfet De la Energía 1 Amperio, 60 Voltios De N-Canal Sot-223ON Semiconductor
892400MMFT3055VLFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 1,5 AMPERIOS 60 VOLTIOSMotorola
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