| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 892401 | MMFT3055VL | MOSFET de potencia 1 Amp, 60 Voltios | ON Semiconductor |
| 892402 | MMFT3055VL-D | Mosfet De la Energía 1 Amperio, 60 Voltios De N-Canal Sot-223 | ON Semiconductor |
| 892403 | MMFT5P03HD | FET MEDIO DE LA ENERGÍA DE TMOS 5,2 AMPERIOS 30 VOLTIOS | Motorola |
| 892404 | MMFT5P03HD | Mosfet De la Energía 5 Amperios, 30 Voltios | ON Semiconductor |
| 892405 | MMFT5P03HD-D | Mosfet De la Energía 5 Amperios, 30 Voltios De P-Canal Sot-223 | ON Semiconductor |
| 892406 | MMFT5P03HDT1 | Mosfet De la Energía 5 Amperios, 30 Voltios | ON Semiconductor |
| 892407 | MMFT5P03HDT3 | TRANSISTOR DEL CAMPO FEECT DE TMOS P-CHANNEL | Motorola |
| 892408 | MMFT5P03HDT3 | Mosfet De la Energía 5 Amperios, 30 Voltios | ON Semiconductor |
| 892409 | MMFT6N03HD | ENERGÍA DE TMOS 6,0 AMPERIOS 30 VOLTIOS | Motorola |
| 892410 | MMFT960 | Mosfet de la energía 300 mA, 60 voltios | ON Semiconductor |
| 892411 | MMFT960T1 | Fet MEDIO de la ENERGÍA TMOS 300 mA 60 VOLTIOS | Motorola |
| 892412 | MMFT960T1 | Mosfet de la energía 300 mA, 60 voltios | ON Semiconductor |
| 892413 | MMFT960T1-D | Accione el MOSFET 300 mA, 60 voltios de N-Canal Sot-223 | ON Semiconductor |
| 892414 | MMFT960T1G | Mosfet de la energía 300 mA, 60 voltios | ON Semiconductor |
| 892415 | MMG05N60D | POWERLUX IGBT | Motorola |
| 892416 | MMG05N60D | OBSOLETO - IGBT N-Canal (0.5A, 600V) | ON Semiconductor |
| 892417 | MMG05N60D-D | Puerta De Silicio Bipolar Aislada Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De la Puerta | ON Semiconductor |
| 892418 | MMG1001R2 | MMG1001R2 870 megaciclos, 19 aumentos del DB, módulo integrado CATV del amplificador 132-Channel | Motorola |
| 892419 | MMG1001R2 | 870 el aumento 132–Channel GaAs CATV del DB del megaciclo 19 integró el módulo del amplificador | Freescale (Motorola) |
| 892420 | MMG2001R2 | MMG2001R2 870 MHz, 19,5 aumento del DB, módulo integrado CATV del amplificador 132-Channel | Motorola |
| 892421 | MMG2001R2 | el aumento 19,5 del DB de 870 megaciclos 132–Channel GaAs CATV integró el módulo del amplificador | Freescale (Motorola) |
| 892422 | MMG3002NT1 | Tecnología Bipolar Del Transistor Del Heterojunction (InGaP HBT) | Motorola |
| 892423 | MMJT350T1 | Transistores De Energía Bipolares | ON Semiconductor |
| 892424 | MMJT350T1-D | Silicio Bipolar De los Transistores De Energía PNP | ON Semiconductor |
| 892425 | MMJT9410 | Transistores De Energía Bipolares | Motorola |
| 892426 | MMJT9410 | Transistor De Energía Bipolar de NPN | ON Semiconductor |
| 892427 | MMJT9410-D | Silicio Bipolar De los Transistores De Energía NPN | ON Semiconductor |
| 892428 | MMJT9410T1 | Transistor De Energía Bipolar de NPN | ON Semiconductor |
| 892429 | MMJT9435 | Transistores De Energía Bipolares | Motorola |
| 892430 | MMJT9435 | Transistor De Energía Bipolar de PNP | ON Semiconductor |
| 892431 | MMJT9435-D | Silicio Bipolar De los Transistores De Energía PNP | ON Semiconductor |
| 892432 | MMJT9435T1 | Transistor De Energía Bipolar de PNP | ON Semiconductor |
| 892433 | MMJT9435T3 | Transistor De Energía Bipolar de PNP | ON Semiconductor |
| 892434 | MMK | Poliester metalizado según CECC 30401-042, IEC 60384-2, estruendo 44122 | etc |
| 892435 | MMK10 | Poliester metalizado según CECC 30401-042, IEC 60384-2, estruendo 44122 | etc |
| 892436 | MMK15 | Poliester metalizado según CECC 30401-042, IEC 60384-2, estruendo 44122 | etc |
| 892437 | MMK5 | Poliester metalizado según CECC 30401-042, IEC 60384-2, estruendo 44122 | etc |
| 892438 | MMK7.5 | Poliester metalizado según CECC 30401-042, IEC 60384-2, estruendo 44122 | etc |
| 892439 | MMKP 383 | Doble metalizado, encajonado, pitch<! de 7,5-27,5m m -- --> de Pulse-AC/Precision | Vishay |
| 892440 | MMKP 483 | Doble metalizado, laqueado, pitch<! de 7,5-27,5m m -- --> de Pulse-AC/Precision | Vishay |
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