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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
902241MRF545TRANSISTORES DE ENERGÍA BAJOS DISCRETOS DEL RF Y DE LA MICROONDAMicrosemi
902242MRF553SILICIO BAJO DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPNMotorola
902243MRF553RF NPN TransistorMicrosemi
902244MRF555SILICIO BAJO DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPNMotorola
902245MRF555RF NPN TransistorMicrosemi
902246MRF555TRF NPN TransistorMicrosemi
902247MRF557SILICIO BAJO DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPNMotorola
902248MRF5583SILICIO De alta frecuencia del TRANSISTOR PNP del MONTAJE SUPERFICIALMotorola
902249MRF559TRANSISTORES DE ENERGÍA BAJOS DISCRETOS DEL RF Y DE LA MICROONDAMicrosemi
902250MRF571Transistores De alta frecuencia Del Silicio de NPNMotorola
902251MRF5711LT1Transistores De alta frecuencia Del Silicio de NPNMotorola
902252MRF572TRANSISTOR DEL SILICIO NPN RFAdvanced Semiconductor
902253MRF581TRANSISTORES DE ENERGÍA BAJOS DISCRETOS DEL RF Y DE LA MICROONDAMicrosemi
902254MRF5811LT1SILICIO De alta frecuencia del TRANSISTOR NPN del RUIDO BAJOMotorola
902255MRF5812TRANSISTORES DE ENERGÍA BAJOS DISCRETOS DEL RF Y DE LA MICROONDAMicrosemi
902256MRF5812R1TRANSISTORES DE ENERGÍA BAJOS DISCRETOS DEL RF Y DE LA MICROONDAMicrosemi
902257MRF5812R2TRANSISTORES DE ENERGÍA BAJOS DISCRETOS DEL RF Y DE LA MICROONDAMicrosemi
902258MRF581ATRANSISTORES DE ENERGÍA BAJOS DISCRETOS DEL RF Y DE LA MICROONDAMicrosemi
902259MRF586TRANSISTORES DE ENERGÍA BAJOS DISCRETOS DEL RF Y DE LA MICROONDAMicrosemi
902260MRF587SILICIO De alta frecuencia del TRANSISTOR NPNTyco Electronics



902261MRF587SILICIO De alta frecuencia del TRANSISTOR NPNMotorola
902262MRF587De alta frecuencia del transistor NPN de silicioMA-Com
902263MRF5943TRANSISTORES DE ENERGÍA BAJOS DISCRETOS DEL RF Y DE LA MICROONDAMicrosemi
902264MRF5943R1TRANSISTORES DE ENERGÍA BAJOS DISCRETOS DEL RF Y DE LA MICROONDAMicrosemi
902265MRF5943R2TRANSISTORES DE ENERGÍA BAJOS DISCRETOS DEL RF Y DE LA MICROONDAMicrosemi
902266MRF5P20180MRF5P20180R6 1990 megaciclo, 38 W Avg., 2 x W-cdma, MOSFET lateral de la energía del RF del N-Canal de 28 VMotorola
902267MRF5P20180R6TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LA ENERGÍA DEL RFMotorola
902268MRF5P21180MRF5P21180 2170 megaciclos, 38 W Avg., 2 x W-cdma, MOSFET lateral de la energía del RF del N-Canal de 28 VMotorola
902269MRF5P21180R6Transistor De Efecto De Campo De la Energía del RfMotorola
902270MRF5P21180R62170 megaciclos, 38 W AVG., 2 x W–CDMA, 28 MOSFET lateral de la energía de V N–Channel RFFreescale (Motorola)
902271MRF5P21240MRF5P21240R6 2170 megaciclos, 52 W Avg., 2 x W-cdma, MOSFET lateral de la energía del RF del N-Canal de 28 VMotorola
902272MRF5P21240R62170 megaciclos, 52 W Avg., 2 x W–CDMA, 28 MOSFET lateral de la energía de V N–Channel RFFreescale (Motorola)
902273MRF5S19090LMRF5S19090L, MRF5S19090LR3, MRF5S19090LSR3 1990 megaciclo, 18 W Avg., 2 x N-cdma, 28 mOSFETs laterales de la energía del RF del N-Canal de VMotorola
902274MRF5S19090LR31990 megaciclo, 18 W Avg., 2 x N–CDMA, 28 MOSFET lateral de la energía de V N–Channel RFFreescale (Motorola)
902275MRF5S19090LSR31990 megaciclo, 18 W Avg., 2 x N–CDMA, 28 MOSFET lateral de la energía de V N–Channel RFFreescale (Motorola)
902276MRF5S19100HDLos MOSFETs Del Lateral Del Realce-Modo Del N-Canal De los Transistores De Efecto De Campo De la Energía del Rf De la Línea del Mosfet del RfMotorola
902277MRF5S19100HR3Los MOSFETs Del Lateral Del Realce-Modo Del N-Canal De los Transistores De Efecto De Campo De la Energía del Rf De la Línea del Mosfet del RfMotorola
902278MRF5S19100HR31990 megaciclo, 22 W Avg., 28 V, 2 MOSFET lateral de la energía de x N–CDMA N–Channel RFFreescale (Motorola)
902279MRF5S19100HSR3Los MOSFETs Del Lateral Del Realce-Modo Del N-Canal De los Transistores De Efecto De Campo De la Energía del Rf De la Línea del Mosfet del RfMotorola
902280MRF5S19100HSR31990 megaciclo, 22 W Avg., 28 V, 2 MOSFET lateral de la energía de x N–CDMA N–Channel RFFreescale (Motorola)
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