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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
911801MTB10062-GArsenal Bicolor De la Lámpara del LEDMarktech Optoelectronics
911802MTB10062-HRArsenal Bicolor De la Lámpara del LEDMarktech Optoelectronics
911803MTB10062-HRGArsenal Bicolor De la Lámpara del LEDMarktech Optoelectronics
911804MTB10631-GYHRLED EstándaresMarktech Optoelectronics
911805MTB10N40EFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 10 AMPERIOSMotorola
911806MTB10N40E10 D2PAK Amp Montaje Superficial Productos, canal N, el VDSS 400ON Semiconductor
911807MTB10N40E-DFet D2PAK de la energía de la alta energía del E-e-fet de TMOS para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del N-Canal del montajeON Semiconductor
911808MTB10N60E7TMOS 7 E-fet™ Fet De la Energía De la Alta EnergíaON Semiconductor
911809MTB10N60E7-DPuerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal del Fet De la Energía De la Alta Energía E-E-fet de TMOS 7ON Semiconductor
911810MTB10N60E7T4TMOS 7 E-fet™ Fet De la Energía De la Alta EnergíaON Semiconductor
911811MTB1306FET DE LA ENERGÍA DE TMOS 75 AMPERIOSMotorola
911812MTB1306OBSOLETOS - Mosfet De la Energía 75 Amperios, 30 Voltios, de nivel lógicoON Semiconductor
911813MTB1306-DMosfet De la Energía 75 Amperios, 30 Voltios, N-Canal Llano D2PAK De la LógicaON Semiconductor
911814MTB15N06EFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 15 AMPERIOSMotorola
911815MTB15N06VFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 15 AMPERIOSMotorola
911816MTB15N06V15 A D2PAK N-Channel MOSFET, el VDSS 60ON Semiconductor
911817MTB15N06V-DTransistor de efecto de campo de la energía de TMOS V D2PAK para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del N-Canal del montajeON Semiconductor
911818MTB16N25EFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 16 AMPERIOSMotorola
911819MTB16N25E16 D2PAK Amp Montaje Superficial Productos, canal N, el VDSS 250ON Semiconductor



911820MTB16N25E-DFet D2PAK de la energía de la alta energía del E-e-fet de TMOS para el montaje superficialON Semiconductor
911821MTB1N100EFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 1,0 AMPERIOS 1000 VOLTIOSMotorola
911822MTB20N20EFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 20 AMPERIOS 200 VOLTIOSMotorola
911823MTB20N20EOBSOLETOS - Mosfet De la Energía 20 Amperios, 200 VoltiosON Semiconductor
911824MTB20N20E-DMosfet De la Energía 20 Amperios, 200 Voltios De N-Canal D2PAKON Semiconductor
911825MTB23P06FET DE LA ENERGÍA DE TMOS 23 AMPERIOS 60 VOLTIOSMotorola
911826MTB23P06EFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 23 AMPERIOS 60 VOLTIOSMotorola
911827MTB23P06VFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 23 AMPERIOS 60 VOLTIOSMotorola
911828MTB23P06VMosfet De la Energía 23 Amperios, 60 VoltiosON Semiconductor
911829MTB23P06V-DMosfet De la Energía 23 Amperios, 60 Voltios De P-Canal D2PAKON Semiconductor
911830MTB23P06VT4Mosfet De la Energía 23 Amperios, 60 VoltiosON Semiconductor
911831MTB24Paquete Pequeño Moldeado 24-Lead Del Contorno Del Encogimiento FinoNational Semiconductor
911832MTB29N15EFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 29 AMPERIOS 150 VOLTIOSMotorola
911833MTB29N15EMosfet De la Energía 29 Amperios, 150 VoltiosON Semiconductor
911834MTB29N15E-DMosfet De la Energía 29 Amperios, 150 Voltios De N-Canal D2PAKON Semiconductor
911835MTB29N15ET4Mosfet De la Energía 29 Amperios, 150 VoltiosON Semiconductor
911836MTB2N40EFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 2,0 AMPERIOS 400 VOLTIOSMotorola
911837MTB2N40E-DFet D2PAK de la energía de la alta energía del E-e-fet de TMOS para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del N-Canal del montajeON Semiconductor
911838MTB2N60EFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 2,0 AMPERIOS 600 VOLTIOSMotorola
911839MTB2N60EN-Canal Del Realce-Modo de Silicon PuertaON Semiconductor
911840MTB2N60E-DFet D2PAK de la energía de la alta energía del E-e-fet de TMOS para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del N-Canal del montajeON Semiconductor
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