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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
912121MTD2955VAhora emigre a NTD2955 - disponibleON Semiconductor
912122MTD2955VModo Mejora P-Canal de efecto de campo transistor [compra de por vida]Fairchild Semiconductor
912123MTD2955V-DMosfet De la Energía 12 Amperios, 60 Voltios De P-Canal DPAKON Semiconductor
912124MTD2955V1Ahora emigre a NTD2955 - disponibleON Semiconductor
912125MTD2955V1GAhora emigre a NTD2955 - disponibleON Semiconductor
912126MTD2955VGAhora emigre a NTD2955 - disponibleON Semiconductor
912127MTD2955VT4Ahora emigre a NTD2955 - disponibleON Semiconductor
912128MTD2955VT4GAhora emigre a NTD2955 - disponibleON Semiconductor
912129MTD2N40EFet de la ENERGÍA de TMOS 2,0 AMPERIOS 400 VOLTIOS De RDS(on) = 3,5 OHMIOSMotorola
912130MTD2N40EMosfet De la Energía 2 Amperios, 400 VoltiosON Semiconductor
912131MTD2N40E-DMosfet De la Energía 2 Amperios, 400 Voltios De N-Canal DPAKON Semiconductor
912132MTD2N50EFet de la ENERGÍA de TMOS 2,0 AMPERIOS 500 VOLTIOS De RDS(on) = 3,6 OHMIOSMotorola
912133MTD2N50EOBSOLETOS - Mosfet De la Energía 2 Amperios, 500 VoltiosON Semiconductor
912134MTD2N50E-DMosfet De la Energía 2 Amperios, 500 Voltios De N-Canal DPAKON Semiconductor
912135MTD3010PMDiodo De la FotoMarktech Optoelectronics
912136MTD3055EFET de potencia TMOS. 60 V, 8 A, RDS (on) 0.15 Ohm.Motorola
912137MTD3055E1FET de potencia TMOS. 60 V, 8 A, RDS (on) 0.15 Ohm.Motorola
912138MTD3055ELPuerta De Silicio Del Realce-Modo Del Transistor(N-Canal Del Efecto Del Campo De la Energía de TMOS IV)Motorola
912139MTD3055EL1TMOS nivel lógico MOSFET de potencia. 60 V, 10 A, RDS (on) 0.18 Ohm.Motorola



912140MTD3055VTransistor De Efecto De Campo Del Modo Del Realce Del N-CanalFairchild Semiconductor
912141MTD3055VFet de la ENERGÍA de TMOS 12 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,15 OHMIOSMotorola
912142MTD3055VMosfet De la Energía 12 Amperios, DPAK 60 voltios de N-CanalON Semiconductor
912143MTD3055V-DMosfet De la Energía 12 Amperios, 60 Voltios De N-Canal DPAKON Semiconductor
912144MTD3055V1Mosfet 12Amps, 60 Voltios De la EnergíaON Semiconductor
912145MTD3055VLTransistor De Efecto De Campo Del Modo Del Realce Del Nivel De la Lógica Del N-CanalFairchild Semiconductor
912146MTD3055VLFet de la ENERGÍA de TMOS 12 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,18 OHMIOSMotorola
912147MTD3055VLMosfet De la Energía 12 Amperios, 60 VoltiosON Semiconductor
912148MTD3055VL-DMosfet De la Energía 12 Amperios, 60 Voltios De N-Canal DPAKON Semiconductor
912149MTD3055VL1Mosfet De la Energía 12 Amperios, 60 VoltiosON Semiconductor
912150MTD3055VLT4Mosfet De la Energía 12 Amperios, 60 VoltiosON Semiconductor
912151MTD3055VT4Mosfet 12Amps, 60 Voltios De la EnergíaON Semiconductor
912152MTD3302SOLO MOSFET de la ENERGÍA de TMOS 30 VOLTIOS de RDS(on) = mohm 10Motorola
912153MTD3302OBOSLETE - REPUESTO P / N # - NTD4302ON Semiconductor
912154MTD3302-DMosfet De la Energía 18 Amperios, 30 Voltios De N-Canal DPAKON Semiconductor
912155MTD392NInterfaz de transceptor coaxialMYSON TECHNOLOGY
912156MTD392VInterfaz de transceptor coaxialMYSON TECHNOLOGY
912157MTD393NInterfaz de transceptor coaxialMYSON TECHNOLOGY
912158MTD393VInterfaz de transceptor coaxialMYSON TECHNOLOGY
912159MTD394NInterfaz de transceptor coaxialMYSON TECHNOLOGY
912160MTD394VInterfaz de transceptor coaxialMYSON TECHNOLOGY
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